一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计

一种增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计
技术领域
1.本技术涉及半导体功率器件技术领域，尤其是一种增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计。


背景技术：

2.随着电力电子技术的不断发展，集成化、智能化、小型化成为了主要的发展方向。智能功率集成电路应运而生，它将控制电路，驱动电路，保护电路以及功率半导体器件等集成到一个芯片里面，从而增加了系统的智能度和集成度。为了将功率器件集成到同一个芯片里，横向功率器件是最常见和最可行的选择。
3.为提升器件击穿电压并且降低比导通电阻，resurf技术被广泛应用于横向功率器件之中。为进一步优化了横向器件的表面电场分布，在传统的resurf结构上引入沟槽结构并且在内部填充高电介质常数的介质形成一种增强型resurf结构，从而引入了多个电场峰值，有效抑制了表面电场的掉落，在保证较低比导通电阻的同时提高了器件的耐压。此外，在横向器件有源区外围增加宽槽终端，有利于提升整体阻断电压，减小泄漏电流。为进一步将具有该结构的横向功率器件制造出来，针对该新型结构进行版图设计是具有较为迫切的要求。
4.而在集成电路设计中,器件的版图结构时常成为决定集成电路性能好坏的关键。布局紧凑、合理的版图能够增加集成电路的稳定性，防止芯片失效。而差的版图结构不仅会引起芯片面积的巨大浪费，而且将使集成电路发生闩锁效应，器件产生局部热点等，致使芯片寿命短,成品率低。
5.对于横向功率器件的版图而言，常采用叉指区结构，如图1所示，所述现有技术横向功率器件叉指区状版图结构包括阳极金属区域1、阴极金属区域2以及二者之间的轻掺杂漂移区3，所述轻掺杂漂移区3是器件的主要耐压区域。所述阳极金属区域1与所述阴极金属区域2包括叉指区和pad区(即叉指区连接部分)，所述叉指区与pad区边缘角落以及相互连接部分的曲率效应严重，电场集中且电场尖峰较大，易于击穿，因此，需要额外针对曲率效应严重这一缺陷进行器件终端设计，并且复杂度大大增加，芯片成本增高，版图结构由一系列相互交叉电极叉指区条构成，虽然该结构应用广泛，但不足之处也非常明显。例如在ldmos中，叉指区型版图的多晶硅栅电极较长,器件在导通和关断时会出现不同区域导通和关断不均匀的现象，导致器件开启和关断的局部不统一，为器件工作的稳定性带来了隐患。此外，这种版图形式单一,碳化硅晶圆片面积使用率上有着一定的不足。最后，器件叉指区边缘终端处引起曲率效应,电场聚集,器件易于击穿，对于曲率部分的考虑引起器件设计复杂度增加，芯片成本增加。


技术实现要素：

6.本技术的目的在于克服现有技术中器件在导通和关断时会出现不同区域导通和
关断不均匀，以及器件叉指区边缘终端处引起曲率效应，电场聚集,器件易于击穿的问题，提供一种增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计。
7.具体的，所述一种增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，包括阳极金属区域、阴极金属区域、轻掺杂漂移区、resurf掺杂区、resurf沟槽和宽槽终端，横向功率器件的新型版图设置呈叉指区状，所述阳极金属区域和阴极金属区域均包括叉指区和pad区，所述叉指区和pad区的转角处均设置呈圆弧形，所述阴极金属区域的外侧设置有宽槽终端，所述宽槽终端设置呈矩形且转角处均设置呈圆弧形，所述阳极金属区域的外侧和所述阳极金属区域的内侧均设置有轻掺杂漂移区，所述轻掺杂漂移区之间设置有多个resurf沟槽，所述resurf沟槽的两侧均设置有resurf掺杂区。
8.可选的，所述resurf沟槽为连续的条形分布。
9.可选的，所述resurf沟槽为单元图形的条状点阵式分布，所述单元图形的行形状包括但不限于圆形、椭圆形或多边形。
10.其中，在resurf沟槽的刻蚀上该结构存在连续与离散设计，可以为连续分布，也可以为单元图形的点阵式分布，注意，所述单元图形不限于矩形、多边形、圆形等，连续与离散两种结构的存在使得器件在保持较低比导通电阻的情况下，阻断电压进一步提升，泄漏电流进一步减小。
11.在一种可能的实现方式中，所述横向功率器件的新型版图设置呈圆形，所述阳极金属区域设置呈圆形，所述阴极金属区域的靠近内侧设置有宽槽终端，所述宽槽终端设置呈环形且两侧对称预留有缺口，在发挥原本曲率半径大的优势基础上合理地减小了pad区的区域，使得排布更加紧凑，占用面积更小，增加了晶圆利用率。
12.可选的，所述resurf沟槽为连续的环形分布。
13.可选的，所述resurf沟槽为单元图形的环状点阵式分布，所述单元图形的行形状包括但不限于圆形、椭圆形或多边形。
14.其中，在resurf沟槽的刻蚀上该结构存在连续与离散设计，可以为连续分布，也可以为单元图形的点阵式分布，注意，所述单元图形不限于矩形、多边形、圆形等，连续与离散两种结构的存在使得器件在保持较低比导通电阻的情况下，阻断电压进一步提升，泄漏电流进一步减小。
15.在一种可能的实现方式中，所述横向功率器件的新型版图设置呈多边形，所述阳极金属区域设置呈多边形，所述阴极金属区域的外侧设置有宽槽终端，所述宽槽终端设置呈多边形，使得横向功率器件的新型版图结构布局紧密，比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快且电流能力强。
16.可选的，所述resurf沟槽为连续的多变形分布。
17.可选的，所述resurf沟槽为单元图形的多变形状点阵式分布，所述单元图形的行形状包括但不限于圆形、椭圆形或多边形。
18.其中，在resurf沟槽的刻蚀上该结构存在连续与离散设计，可以为连续分布，也可以为单元图形的点阵式分布，注意，所述单元图形不限于矩形、多边形、圆形等，连续与离散两种结构的存在使得器件在保持较低比导通电阻的情况下，阻断电压进一步提升，泄漏电流进一步减小。
19.本技术具有如下有益效果：
20.1、在现有技术设计基础上，对叉指区结构边缘进行圆弧化设计，对于pad区，四个角落同样进行了圆弧化设计，旨在缓解版图边缘部分的曲率效应，降低电场尖峰，提高器件整体阻断电压；新型圆形元胞版图结构，在发挥原本曲率半径大的优势基础上合理地减小了pad区，使得排布更加紧凑，占用面积更小，增加了晶圆利用率；新型多边形元胞版图结构包括三角形、正方形、六边形等结构，继续发挥布局紧凑的优势，具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优势；
21.2、本技术添加了增强型resurf结构以及宽槽终端结构，宽槽终端的形状根据把不同的版图结构而确定，紧密贴合包围整个有源区，有效提高了器件阻断电压，降低了漏电流，增强型终端结构介于两电极之间，形状分布根据版图设计类别确定；
22.3、本技术可应用于含有增强型resurf与宽槽终端结构的横向jbs、横向mosfet等功率器件版图结构中。
附图说明
23.构成本技术的一部分的附图用于来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。
24.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1是现有技术中的横向功率器件叉指区状版图结构示意图；
26.图2是本技术实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型叉指区状版图结构示意图一；
27.图3是图2的局部放大图；
28.图4是本技术实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型叉指区状版图结构示意图二；
29.图5是图4的局部放大图；
30.图6是本技术实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型圆形元胞版图结构示意图一；
31.图7是本技术实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型圆形元胞版图结构示意图二；
32.图8是本技术实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图一；
33.图9是本技术实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图二；
34.图10是本技术实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图三；
35.图11是本技术实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图四；
36.图12是本技术实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型
多边形元胞版图结构示意图五；
37.图13是本技术实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图六。
38.附图标记：
39.1、阳极金属区域；2、阴极金属区域；3、轻掺杂漂移区；4、resurf掺杂区；5、resurf沟槽；6、宽槽终端。
具体实施方式
40.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
41.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“顶/底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
42.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
43.本技术的一个较佳实施例，一种增强型resurf与宽槽终端6结构的横向功率器件的新型版图结构，包括阳极金属区域1、阴极金属区域2、轻掺杂漂移区3、resurf掺杂区4、resurf沟槽5和宽槽终端6，横向功率器件的新型版图设置呈叉指区状，所述阳极金属区域1和阴极金属区域2均包括叉指区和pad区，所述叉指区和pad区的转角处均设置呈圆弧形，所述阴极金属区域2的外侧设置有宽槽终端6，所述宽槽终端6设置呈矩形且转角处均设置呈圆弧形，所述阳极金属区域1的外侧和所述阳极金属区域1的内侧均设置有轻掺杂漂移区3，所述轻掺杂漂移区3之间设置有多个resurf沟槽5，所述resurf沟槽5的两侧均设置有resurf掺杂区4。
44.图2-图3为根据本发明一实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型叉指区状版图结构示意图，所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型叉指区状版图结构包括阳极金属区域1、阴极金属区域2、轻掺杂漂移区3、resurf掺杂区4，resurf沟槽5以及宽槽终端6，所述阳极金属区域1和所述阴极金属区域2均由叉指区和pad区组成，所述新型叉指区状版图结构与图1所示的现有技术横向功率器件叉指区状版图结构的主要区别在于对于叉指区以及pad区进行了圆弧化处理以及增加的增强型resurf结构和宽槽终端结构。
45.在该实施例中，所述叉指区末端均为半圆形，所述叉指区与相连接的所述pad区之间用半圆形平滑过渡，即同一块金属区域的叉指区与叉指区之间的金属边缘为半圆形状，
此外，某一块金属的所述叉指区位于另一块金属的两所述叉指区之间并且该金属所述叉指区末端与另一块金属的两所述叉指区之间的金属边缘形成半圆环区域，所述pad区角落不再是矩形，变为四分之一圆弧，此外，所述阳极金属区域1的pad区被所述阴极金属区域2的pad区左右两端的叉指区延伸后包围，在所述阳极金属区域1的pad区角落处，所述延伸的叉指区呈四分之一圆环状，通过圆弧化设计，一方面缓解了曲率效应，减少了电场集中，避免电场尖峰过大而导致器件局部提前击穿，另一方面，所述阳极金属区域1完全包围所述阴极金属区域2，电流密度增大，提高了器件的晶圆利用率。
46.在该实施例中，所述阴极金属区域2最外围为所述宽槽终端6，提高了阻断电压，减小了泄漏电流，所述resurf掺杂区4位于所述轻掺杂漂移区3中，与所述叉指区以及所述pad区保持平行，呈现条状加圆环状的组合，在所述resurf掺杂区4存在resurf沟槽5，需要注意的是，resurf沟槽5可以是多个，此处，只是展现两个resurf沟槽5，另外，resurf沟槽5的深度、宽度都需要根据具体器件参数确定，该实施例中，resurf沟槽5为连续的条状分布，与所述resurf掺杂区4平行，呈现条状加圆环状的组合，所述resurf沟槽5中可以填充多种高介电常数的介质，此增强型resurf结构，调节了表面电场，使得器件的阻断电压得以提升。
47.图4-图5为根据本发明另一实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型叉指区状版图结构示意图，所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型叉指区状版图结构与图2所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型叉指区状版图结构的主要区别在于所述resurf沟槽5为离散的单元图形的条状点阵式分布，需要注意的是，单位图形可以为正方形、多边形或圆形等，单位图形不限于实施例中的圆形，此外，点阵的疏密程度以及单位图形的面积大小可调整，不限于本实施例中完全一样的单位圆形以及完全相同的点阵密度，所述resurf沟槽5的离散点列状分布和连续的条形分布一样，整体呈现条状加圆环状。
48.图6为根据本发明另一实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型圆形元胞版图结构示意图，所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型圆形元胞版图结构包括阳极金属区域1、阴极金属区域2、轻掺杂漂移区3、resurf掺杂区4，resurf沟槽5以及宽槽终端6，所述阳极金属区域1为内部的圆形；所述阴极金属区域2由左右的半圆形加上挖空圆形以及圆环的矩形组成；所述轻掺杂漂移区3位于两电极之间，所述resurf掺杂区4在所述轻掺杂漂移区3上，且呈现圆环状；所述resurf沟槽5位于所述resurf掺杂区4上，且呈现两个圆环状，与图2所示的实施例一样，resurf沟槽5的数量、深度、宽度都需要根据具体器件参数调整确定，该实施例只是其中一种示范；宽槽终端6位于阴极金属区域2，包围着内部的阳极金属区域1、轻掺杂漂移区3、resurf掺杂区4，resurf沟槽5等结构，不为完整的圆环，而开了左右对称的两个缺口，起到传导电流的作用，此外，和常规的多个圆环相套的版图结构相比较，本实施例中的阴极金属区域2省下了一定的区域空间，提高了器件晶圆的利用率，同时继续发挥圆形元胞版图曲率效应较小的优势。
49.图7为根据本发明另一实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型圆形元胞版图结构示意图，所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型圆形元胞版图结构与图6所示的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型圆形元胞版图结构的主要区别在于所述resurf沟槽5为离散的点列状分布，与图4所示的实施例一样，单位图形可以为正方形、多边形或圆形等，不限于实施例中的圆形；点
阵的疏密程度以及单位图形的面积大小可调整，所述resurf沟槽5的离散点列状分布和连续的条形分布一样，整体呈现圆环状。
50.图8为根据本发明另一实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图，所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构包括阳极金属区域1、阴极金属区域2、轻掺杂漂移区3、resurf掺杂区4，resurf沟槽5以及宽槽终端6，所述阳极金属区域1为内部的三角形；所述阴极金属区域2为最外部的三角形环状；所述轻掺杂漂移区3位于两电极之间，所述resurf掺杂区4在所述轻掺杂漂移区3上，呈现三角形环状；所述resurf沟槽5位于所述resurf掺杂区4上，呈现两个三角形环状，与图2所示的实施例一样，resurf沟槽5的数量、深度、宽度都需要根据具体器件参数调整确定，该实施例只是其中一种示范；宽槽终端6位于多个三角形元胞组合的最外围，紧密贴合它们的所述阴极金属区域2边缘，三角形元胞设计使得元胞贴合程度增大，器件晶圆面积的利用率得以提升。
51.图9为根据本发明另一实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图，所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构与图8所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构的主要区别在于所述resurf沟槽5为离散的点列状分布，与图4所示的实施例同样的，单位图形可以正方形、多边形或圆形等，不限于实施例中的圆形；点阵的疏密程度以及单位图形的面积大小可调整，所述resurf沟槽5的离散点列状分布和连续的条形分布一样，整体呈现三角形环状。
52.图10为根据本发明另一实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图，所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构与图8所示的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构的主要区别在于所述阳极金属区域1变为正方形；所述阴极金属区域2、所述轻掺杂漂移区3、所述resurf掺杂区4、所述resurf沟槽5均变为正方形环状，宽槽终端6位于多个正方形元胞组合的最外围，紧密贴合它们的所述阴极金属区域2边缘。
53.图11为根据本发明另一实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图，所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构与图10所示的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构的主要区别在于所述resurf沟槽5为离散的点列状分布，与图4所示的实施例同样的，单位图形可以正方形、多边形、圆形等，不限于实施例中的圆形；点阵的疏密程度以及单位图形的面积大小可调整，所述resurf沟槽5的离散点列状分布和连续的条形分布一样，整体呈现正方形环状。
54.图12为根据本发明另一实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图，所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构与图8所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构的主要区别在于所述阳极金属区域1变为六边形；所述阴极金属区域2、所述轻掺杂漂移区3、所述resurf掺杂区4、所述resurf沟槽5均变为六边形环状，宽槽终端6位于多个六边形元胞组合的最外围，紧密贴合它们的所述阴极金属区域2边
缘。
55.图13为根据本发明另一实施例的具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构示意图，所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构与图12所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构的主要区别在于所述resurf沟槽5为离散的点列状分布，与图4所示的实施例同样的，单位图形可以正方形、多边形、圆形等，不限于实施例中的圆形；点阵的疏密程度以及单位图形的面积大小可调整，所述resurf沟槽5的离散点列状分布和连续的条形分布一样，整体呈现六边形环状。
56.在所述具有增强型resurf与宽槽终端结构的横向sbd器件的新型多边形元胞版图结构中，每个元胞与周围相邻四个元胞共用所述阴极金属区域2，相比于三角形和正方形元胞结构，六边形元胞提供更为紧凑的元胞排列，更均匀的电流分布，所以，六边形元胞结构有更小的比导通电阻与开关速度，缓冲层5同样可以集成在六边形元胞中，所述缓冲层5同样位于轻掺杂漂移区3与漏电极4之间。
57.如图2至图13所示的实施例中，器件不限于碳化硅器件，所述增强型resurf结构和宽槽终端结构也不限于仅作为图示横向sbd功率器件的版图结构，在其它实施例中，还可以用于横向功率pin二极管、横向功率jbs二极管、横向功率mosfet、横向功率igbt等器件结构版图设计，特别的，对于横向功率mosfet而言，在多元胞版图设计上，漏电极位于元胞中心，从里面到外依次为轻掺杂漂移区、栅电极、源电极，由于源电极位于最外层,紧靠其旁边的栅电极拥有较大周长,使得横向功率器件沟道宽度较大，器件可提供大的电流能力，小的比导通电阻；漏电极在器件中心,使得器件具有小的栅漏密勒电容，提高了器件的开关频率。
58.以上，仅为本技术较佳的具体实施方式；但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围内。

技术特征：
1.一种增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，包括阳极金属区域、阴极金属区域、轻掺杂漂移区、resurf掺杂区、resurf沟槽和宽槽终端，横向功率器件的新型版图设置呈叉指区状，所述阳极金属区域和阴极金属区域均包括叉指区和pad区，所述叉指区和pad区的转角处均设置呈圆弧形，所述阴极金属区域的外侧设置有宽槽终端，所述宽槽终端设置呈矩形且转角处均设置呈圆弧形，所述阳极金属区域的外侧和所述阳极金属区域的内侧均设置有轻掺杂漂移区，所述轻掺杂漂移区之间设置有多个resurf沟槽，所述resurf沟槽的两侧均设置有resurf掺杂区。2.根据权利要求1所述的增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述resurf沟槽为连续的条形分布。3.根据权利要求1所述的增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述resurf沟槽为单元图形的条状点阵式分布。4.根据权利要求1所述的增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述横向功率器件的新型版图设置呈圆形，所述阳极金属区域设置呈圆形，所述阴极金属区域的靠近内侧设置有宽槽终端，所述宽槽终端设置呈环形且两侧对称预留有缺口。5.根据权利要求4所述的增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述resurf沟槽为连续的环形分布。6.根据权利要求4所述的增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述resurf沟槽为单元图形的环状点阵式分布。7.根据权利要求1所述的增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述横向功率器件的新型版图设置呈多边形，所述阳极金属区域设置呈多边形，所述阴极金属区域的外侧设置有宽槽终端，所述宽槽终端设置呈多边形。8.根据权利要求7所述的增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述resurf沟槽为连续的多边形分布。9.根据权利要求7中任一项所述的增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述resurf沟槽为单元图形的多边形状点阵式分布。10.根据权利要求3、6或9所述的增强型resurf与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，其特征在于，所述单元图形的形状包括但不限于圆形、椭圆形或多边形。

技术总结
本申请涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，解决了现有技术中器件在导通和关断时会出现不同区域导通和关断不均匀，以及器件叉指区边缘终端处引起曲率效应，电场聚集,器件易于击穿的问题，包括阳极金属区域、阴极金属区域、轻掺杂漂移区、RESURF掺杂区、RESURF沟槽和宽槽终端，能够缓解版图边缘部分的曲率效应，降低电场尖峰，提高器件整体阻断电压，通过增强型RESURF结构以及宽槽终端结构，宽槽终端的形状根据把不同的版图结构而确定，紧密贴合包围整个有源区，有效提高了器件阻断电压，降低了漏电流，增强型终端结构介于两电极之间，形状分布根据版图设计类别确定。定。定。


技术研发人员：张銮喜 王珩宇 周翰 程浩远
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2023.04.06
技术公布日：2023/8/14