等离子体处理方法以及等离子体处理系统与流程

1.本公开的示例性实施方式涉及等离子体处理方法以及等离子体处理系统。


背景技术：

2.专利文献1中公开有提高相对于掩模膜的选择比的技术。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1:国际公开第2014/046083号


技术实现要素：

6.本公开提供在蚀刻中抑制颈缩(necking)的技术。
7.在本公开的一个示例性实施方式中，提供一种等离子体处理方法，在具有腔室的等离子体处理装置中执行。等离子体处理方法具备：(a)向所述腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板的工序，所述基板具备所述蚀刻膜露出的第一区域和所述掩模膜露出的第二区域；(b)向所述腔室内供给包含含碳气体的处理气体，由所述处理气体生成等离子体，蚀刻所述蚀刻膜并且在所述掩模膜上形成保护膜的工序；以及(c)向所述腔室内供给所述处理气体而由所述处理气体生成等离子体，进一步蚀刻所述蚀刻膜并且去除所述保护膜的至少一部分的工序，所述(b)的工序包含第一期间以及第二期间，所述第一期间中的所述含碳气体的流量比所述第二期间中的所述含碳气体的流量多，所述(c)的工序包含第三期间以及第四期间，所述第三期间中的所述含碳气体的流量比所述第二期间中的所述含碳气体的流量以及所述第四期间中的所述含碳气体的流量少。
8.发明效果
9.根据本公开的一个示例性实施方式，能够提供在蚀刻中抑制颈缩的技术。
附图说明
10.图1是概略性地示出示例性等离子体处理装置系统的图。
11.图2是表示本处理方法的流程图。
12.图3是示意性地示出在工序st1提供的基板w的截面构造的一例的图。
13.图4a是示意性地示出在工序st2的第一期间处理后的基板w的截面构造的一例的图。
14.图4b是示意性地示出在工序st2的第二期间处理后的基板w的截面构造的一例的图。
15.图5a是示意性地示出在工序st3的第三期间处理后的基板w的截面构造的一例的图。
16.图5b是示意性地示出在工序st3的第四期间处理后的基板w的截面构造的一例的图。
17.图6a是表示工序st2以及工序st3中的含碳气体的流量的一例的时序图。
18.图6b是表示工序st2以及工序st3中的含氧气体的流量的一例的时序图。
19.图6c是表示工序st2以及工序st3中的偏置电压的一例的时序图。
20.图7a是表示工序st2以及工序st3中的含碳气体的流量的另一例的时序图。
21.图7b是表示工序st2以及工序st3中的含氧气体的流量的另一例的时序图。
22.图7c是表示工序st2以及工序st3中的偏置电压的另一例的时序图。
23.图8是示意性地示出本处理方法的另一例中的基板w的截面构造的一例的图。
24.附图标记说明
[0025]1……
等离子体处理装置、2
……
控制部、10
……
等离子体处理腔室、10s
……
等离子体处理空间、11
……
基板支承部、20
……
气体供给部、pf
……
保护膜、mf
……
掩模膜、ef
……
蚀刻膜、uf
…
底膜、w
…
基板、op
……
开口、rc
……
凹部、ts
……
掩模膜的上表面、ss
……
掩模膜的侧面
具体实施方式
[0026]
以下，关于本公开的各实施方式进行说明。
[0027]
在一个示例性实施方式中，提供一种等离子体处理方法，在具有腔室的等离子体处理装置中执行。等离子体处理方法具备：(a)向腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板的工序，基板具备蚀刻膜露出的第一区域和掩模膜露出的第二区域；(b)向腔室内供给包含含碳气体的处理气体，由处理气体生成等离子体，对蚀刻膜进行蚀刻并且在掩模膜上形成保护膜的工序；(c)向腔室内供给处理气体而由处理气体生成等离子体，进一步对蚀刻膜进行蚀刻并且去除保护膜的至少一部分的工序，(b)的工序包含第一期间以及第二期间，第一期间中的含碳气体的流量比第二期间中的含碳气体的流量多，(c)的工序包含第三期间以及第四期间，第三期间中的含碳气体的流量比第二期间中的含碳气体的流量以及第四期间中的含碳气体的流量少。
[0028]
在一个示例性实施方式中，掩模膜设置在蚀刻膜上，掩模膜具有在第二区域中覆盖蚀刻膜的上表面和在第一区域中规定蚀刻膜露出的开口的侧面，(b)的工序包含对蚀刻膜进行蚀刻，在第一区域在蚀刻膜上形成凹部并且在掩模膜的上表面和侧面以及凹部形成保护膜，(c)的工序包含去除保护膜的至少一部分。
[0029]
在一个示例性实施方式中，第四期间中的含碳气体的流量比第二期间中的含碳气体的流量少。
[0030]
在一个示例性实施方式中，在从第一期间至第四期间之中的一个期间过渡至另一期间时，含碳气体的流量连续地或者阶段性地变化。
[0031]
在一个示例性实施方式中，等离子体处理装置在腔室内还具有基板支承部，(a)包含在基板支承部上提供基板，(b)以及(c)包含向基板支承部供给偏置信号。
[0032]
在一个示例性实施方式中，在(b)以及(c)中，偏置信号的功率的有效值是一定的。
[0033]
在一个示例性实施方式中，在(b)中，第一期间中的偏置信号的功率的有效值比第二期间中的偏置信号的功率的有效值大。
[0034]
在一个示例性实施方式中，在(c)中，第三期间中的偏置信号的功率的有效值比第四期间中的偏置信号的功率的有效值小。
[0035]
在一个示例性实施方式中，在从第一期间至第四期间之中的一个期间过渡至另一期间时，偏置信号的功率的有效值连续地或者阶段性地变化。
[0036]
在一个示例性实施方式中，(b)包含向腔室内供给源射频信号而生成等离子体，第一期间中的源射频信号的功率的有效值比第二期间中的源射频信号的功率的有效值小。
[0037]
在一个示例性实施方式中，(c)包含向腔室供给源射频信号而生成等离子体，第三期间中的源射频信号的功率的有效值比第四期间中的源射频信号的功率的有效值大。
[0038]
在一个示例性实施方式中，处理气体包含含氧气体，在(b)中，第一期间中的含氧气体的流量比第二期间中的含氧气体的流量多。
[0039]
在一个示例性实施方式中，在(c)中，第三期间中的含氧气体的流量比第四期间中的含氧气体的流量少。
[0040]
在一个示例性实施方式中，基板还具备底膜，蚀刻膜设置于第一区域，掩模膜以在与蚀刻膜被蚀刻的方向垂直的方向上，与蚀刻膜相互邻接的方式设置于第二区域。
[0041]
在一个示例性实施方式中，蚀刻膜为氧化硅膜或者氮化硅膜。
[0042]
在一个示例性实施方式中，掩模膜包含含硼硅膜、含碳膜、含氮膜以及钨硅膜之中的至少一种。
[0043]
在一个示例性实施方式中，含碳气体为cafb气体或者cchdfe气体，其中，a、b、c、d、e为1以上的整数。
[0044]
在一个示例性实施方式中，多次重复(b)以及(c)的工序。
[0045]
在一个示例性实施方式中，在从第一期间至第四期间的至少一部分中，形成于掩模膜的侧面的保护膜的顶部随着蚀刻膜的蚀刻进行，向蚀刻膜被蚀刻的方向推移。
[0046]
在一个示例性实施方式中，提供一种等离子体处理方法，在具有腔室的等离子体处理装置中执行。等离子体处理方法具备：(a)向腔室内提供具备包含蚀刻膜露出的部分的第一区域和掩模膜露出的第二区域的工序；(b)向腔室内供给包含第一流量的含碳气体的处理气体而生成等离子体，对蚀刻膜进行蚀刻并且在掩模膜上形成保护膜的第一工序；(c)向腔室内供给包含比第一流量多的第二流量的含碳气体的处理气体而生成等离子体，进一步对蚀刻膜进行蚀刻并且在掩模膜上形成保护膜的第二工序；(d)向腔室内供给包含第三流量的含碳气体的处理气体而生成等离子体，进一步对蚀刻膜进行蚀刻并且去除掩模膜上的保护膜的第三工序；以及(e)向腔室内供给比第二流量少并且比第三流量多的第四流量的含碳气体而生成等离子体，进一步对蚀刻膜进行蚀刻并且进一步去除掩模膜上的保护膜的第四工序。
[0047]
在一个示例性实施方式中，提供一种等离子体处理系统，具有腔室、处理气体供给部、等离子体生成部以及控制部。在等离子体处理系统中，控制部执行如下控制：(a)向腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板；(b)处理气体供给部向腔室内供给包含含碳气体的处理气体，等离子体生成部从处理气体生成等离子体，对蚀刻膜进行蚀刻并且在掩模膜上形成保护膜；以及(c)处理气体供给部向腔室内供给处理气体，等离子体生成部从处理气体生成等离子体，进一步对蚀刻膜进行蚀刻并且去除保护膜的至少一部分，基板具备蚀刻膜露出的第一区域和掩模膜露出的第二区域，(b)的工序包含第一期间以及第二期间，第一期间中的含碳气体的流量比第二期间中的含碳气体的流量多，(c)的工序包含第三期间以及第四期间，第三期间中的含碳气体的流量比第二期间中的含碳气体的流量以及第四期间中
的含碳气体的流量少。
[0048]
＜等离子体处理系统的构成例＞
[0049]
以下，关于等离子体处理系统的构成例进行说明。图1是用于说明电容耦合型的等离子体处理装置的构成例的图。
[0050]
等离子体处理系统包含电容耦合型的等离子体处理装置1以及控制部2。电容耦合型的等离子体处理装置1包含等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30以及排气系统40。此外，等离子体处理装置1包含基板支承部11以及气体导入部。气体导入部构成为向离子体处理腔室10内导入至少一种处理气体。气体导入部包含喷头13。基板支承部11配置在等离子体处理腔室10内。喷头13配置在基板支承部11的上方。在一实施方式中，喷头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a以及基板支承部11规定的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10具有用于向等离子体处理空间10s供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口和用于从等离子体处理空间排出气体的至少一个气体排出口。等离子体处理腔室10接地。喷头13以及基板支承部11与等离子体处理腔室10的框体电绝缘。
[0051]
基板支承部11包含主体部111以及环组件112。主体部111具有用于支承基板w的中央区域111a和用于支承环组件112的环状区域111b。晶圆是基板w的一例。主体部111的环状区域111b在俯视下包围主体部111的中央区域111a。基板w配置在主体部111的中央区域111a上，环组件112以包围主体部111的中央区域111a上的基板w的方式配置在主体部111的环状区域111b上。因此，中央区域111a也称为用于支承基板w的基板支承面，环状区域111b也称为用于支承环组件112的环支承面。
[0052]
在一实施方式中，主体部111包含基台1110以及静电吸盘1111。基台1110包含导电性部件。基台1110的导电性部件能够作为下部电极发挥作用。静电吸盘1111配置在基台1110上。静电吸盘1111包含陶瓷部件1111a和配置在陶瓷部件1111a内的静电电极1111b。陶瓷部件1111a具有中央区域111a。在一实施方式中，陶瓷部件1111a也具有环状区域111b。此外，也可以是环状静电吸盘或如环状绝缘部件那样的包围静电吸盘1111的其他部件具有环状区域111b。在这种情况下，环组件112既可以配置在环状静电吸盘或者环状绝缘部件上，也可以配置在静电吸盘1111和环状绝缘部件这两方上。此外，与后述的射频(radio frequency)电源31和/或直流(direct current)电源32结合的至少一个射频/直流电极也可以配置在陶瓷部件1111a内。在这种情况下，至少一个射频/直流电极作为下部电极发挥作用。在后述的偏置射频信号和/或直流信号供给至至少一个射频/直流电极的情况下，射频/直流电极也称为偏置电极。此外，基台1110的导电性部件和至少一个射频/直流电极也可以作为多个下部电极发挥作用。此外，静电电极1111b也可以作为下部电极发挥作用。因此，基板支承部11包含至少一个下部电极。
[0053]
环组件112包含一个或者多个环状部件。在一实施方式中，一个或者多个环状部件包含一个或者多个边缘环和至少一个覆盖环。边缘环由导电性材料或者绝缘材料形成，覆盖环由绝缘材料形成。
[0054]
此外，基板支承部11也可以包含构成为将静电吸盘1111、环组件112以及基板之中的至少一个调节至目标温度的调温模块。调温模块也可以包含加热器、传热介质、流路1110a或者它们的组合。在流路1110a中，流过盐水或气体那样的传热流体。在一实施方式
中，流路1110a形成于基台1110内，一个或者多个加热器配置在静电吸盘1111的陶瓷部件1111a内。此外，基板支承部11也可以包含构成为向基板w的背面与中央区域111a之间的间隙供给传热气体的传热气体供给部。
[0055]
喷头13构成为向等离子体处理空间10s内导入来自气体供给部20的至少一种处理气体。喷头13具有至少一个气体供给口13a、至少一个气体扩散室13b以及多个气体导入口13c。向气体供给口13a供给的处理气体通过气体扩散室13b从多个气体导入口13c导入等离子体处理空间10s内。此外，喷头13包含至少一个上部电极。此外，气体导入部除了喷头13以外，也可以包含安装于在侧壁10a上形成的一个或者多个开口部的一个或者多个侧面气体注入部(sgi：side gas injector)。
[0056]
气体供给部20也可以包含至少一个气体源21以及至少一个流量控制器22。在一实施方式中，气体供给部20构成为从分别对应的气体源21经由分别对应的流量控制器22向喷头13供给至少一种处理气体。各流量控制器22例如也可以包含质量流量控制器或者压力控制式的流量控制器。而且，气体供给部20也可以包含对至少一种处理气体的流量进行调制或者脉冲化的一个或多个流量调制设备。
[0057]
电源30包含作为经由至少一个阻抗匹配电路与等离子体处理腔室10耦合的射频电源31。射频电源31构成为向至少一个下部电极和/或至少一个上部电极供给至少一种射频信号(射频功率)。由此，由供给至等离子体处理空间10s的至少一种处理气体形成等离子体。由此，射频电源31能够作为构成为在等离子体处理腔室10中由一种或多种处理气体生成等离子体的等离子体生成部的至少一部分发挥作用。此外，通过向至少一个下部电极供给偏置射频信号(偏置信号)，能够在基板w上产生偏置电位(偏置功率)，将形成的等离子体中的离子成分引入基板w。
[0058]
在一实施方式中，射频电源31包含第一射频生成部31a以及第二射频生成部31b。第一射频生成部31a构成为经由至少一个阻抗匹配电路与至少一个下部电极和/或至少一个上部电极耦合，生成等离子体生成用的源射频信号(源射频功率)。在一实施方式中，源射频信号具有10mhz～150mhz的范围内的频率。在一实施方式中，第一射频生成部31a也可以构成为生成具有不同频率的多个源射频信号。生成的一个或者多个源射频信号供给至至少一个下部电极和/或至少一个上部电极。
[0059]
第二射频生成部31b构成为经由至少一个阻抗匹配电路与至少一个下部电极耦合，生成偏置射频信号(偏置射频功率)。偏置射频信号的频率既可以与源射频信号的频率相同也可以不同。在一实施方式中，偏置射频信号具有比源射频信号的频率低的频率。在一实施方式中，偏置射频信号具有100khz～60mhz的范围内的频率。在一实施方式中，第二射频生成部31b也可以构成为生成具有不同频率的多种偏置射频信号。生成的一种或者多种偏置射频信号供给至至少一个下部电极。此外，在各种实施方式中，源射频信号以及偏置射频信号之中的至少一种可以被脉冲化。
[0060]
此外，电源30也可以包含与等离子体处理腔室10耦合的直流电源32。直流电源32包含第一直流生成部32a以及第二直流生成部32b。在一实施方式中，第一直流生成部32a构成为与至少一个下部电极连接，生成第一直流信号。生成的第一偏置直流信号施加于至少一个下部电极。在一实施方式中，第二直流生成部32b构成为与至少一个上部电极连接，生成第二直流信号。生成的第二直流信号施加于至少一个上部电极。
[0061]
在各种实施方式中，第一以及第二直流信号之中的至少一种可以被脉冲化。在这种情况下，电压脉冲的序列施加于至少一个下部电极和/或至少一个上部电极。电压脉冲也可以具有矩形、梯形、三角形或者它们的组合的脉冲波形。在一实施方式中，用于从直流信号生成电压脉冲的序列的波形生成部连接于第一直流生成部32a与至少一个下部电极之间。因此，第一直流生成部32a以及波形生成部构成电压脉冲生成部。在第二直流生成部32b以及波形生成部构成电压脉冲生成部的情况下，电压脉冲生成部与至少一个上部电极连接。电压脉冲既可以具有正极性，也可以具有负极性。此外，电压脉冲的序列也可以在一个周期内包含一个或者多个正极性电压脉冲和一个或者多个负极性电压脉冲。此外，第一以及第二直流生成部32a、32b既可以是除了射频电源31以外设置，也可以是第一直流生成部32a代替第二射频生成部31b设置。
[0062]
排气系统40能够与例如设置于等离子体处理腔室10的底部的气体排出口10e连接。排气系统40也可以包含压力调节阀以及真空泵。通过压力调节阀调节等离子体处理空间10s内的压力。真空泵也可以包含涡轮分子泵、干燥泵或者它们的组合。
[0063]
控制部2处理使等离子体处理装置1执行本公开中描述的各种工序的计算机可执行指令。控制部2能够构成为以执行在此描述的各种工序的方式控制等离子体处理装置1的各要素。在一实施方式中，也可以是控制部2的一部分或者全部包含于等离子体处理装置1。控制部2也可以包含处理部2a1、存储部2a2以及通信接口2a3。控制部2例如通过计算机2a实现。处理部2a1能够构成为通过从存储部2a2读出程序，执行读出的程序进行各种控制动作。该程序可以预先存储于存储部2a2，在需要时，也可以经由介质获取。获取的程序存储于存储部2a2，通过处理部2a1从存储部2a2读出而执行。介质既可以是能够在计算机2a中读取的各种存储介质，也可以是与通信接口2a3连接的通信线路。处理部2a1也可以是cpu(central processing unit)。存储部2a2也可以包含ram(random access memory)、rom(read only memory)、hdd(hard disk drive)、ssd(solid state drive)或者它们的组合。通信接口2a3也可以经由lan(local area network)等的通信线路在与等离子体处理装置1之间通信。
[0064]
图2是表示一个示例性实施方式涉及的等离子体处理方法(以下，也称为“本处理方法”)的流程图。如图2所示，本处理方法具有提供基板的工序st1、第一蚀刻工序st2和第二蚀刻工序st3。各工序中的处理可以在如图1所示的等离子体处理系统中执行。在以下，将控制部2控制等离子体处理装置1的各部分，对基板w执行本处理方法的情况作为例子进行说明。
[0065]
(工序st1：基板的提供)
[0066]
在工序st1中，向等离子体处理装置1的等离子体处理空间10s内提供基板w。向基板支承部11的中央区域111a提供基板w。然后，基板w通过静电吸盘1111保持于基板支承部11。
[0067]
图3是表示在工序st1提供的基板w的截面构造的一例的图。基板w是在底膜uf上按蚀刻对象膜ef以及掩模膜mf的顺序层积而成。基板w可以在半导体设备的制造中使用。半导体设备例如包含dram、3d-nand闪速存储器等的半导体存储器设备。
[0068]
底膜uf例如可以为硅晶圆或形成在硅晶圆上的有机膜、介电膜、金属膜、半导体膜等。底膜uf可以是多个膜层积而构成。
[0069]
蚀刻膜ef为本处理方法中成为蚀刻对象的膜。在一例中，蚀刻膜ef为含硅膜。在一
例中，含硅膜为氧化硅膜、氮化硅膜等。此外，蚀刻膜ef可以为由两个以上的层构成的多层膜。
[0070]
掩模膜mf是在蚀刻膜ef的蚀刻中作为掩模发挥作用的膜。在一例中，掩模膜mf可以为含碳膜、含硅膜。作为含硅膜，例如既可以为硅膜，还可以为包含金属或者非金属的膜。作为金属，也可以包含钨。作为非金属也可以包含硼。此外，掩模膜mf既可以为由一层构成的单层掩模，也可以为由两层以上构成的多层掩模。此外，掩模膜mf可以包含有机膜。在一例中，有机膜为光刻胶膜。
[0071]
如图3所示，掩模膜mf具有至少一个开口op。开口op设置于区域re1。开口op为在蚀刻膜ef上被掩模膜mf的侧面ss所包围的空间。即，在图3中，蚀刻膜ef的上表面的一部分具有在开口op露出的部分。即，蚀刻膜ef在区域re1露出。此外，蚀刻膜ef在区域re2，被掩模膜mf覆盖。蚀刻膜ef的上表面为蚀刻膜ef与掩模膜mf接触的面。开口op在基板w的俯视(图3中从上向下的方向观察基板w的情况)下，可以具有任意的形状。该形状例如可以为圆形状、椭圆形状、矩形形状、线形状。此外，该形状可以为组合这些形状的一种以上的形状。掩模膜mf可以具有多个开口op。在一例中，多个开口op可以分别具有孔形状。然后，具有孔形状的多个开口op可以以一定的间隔排列，构成阵列图案。此外，多个开口op可以分别具有线形状。然后，具有线形状的多个开口op也可以以一定的间隔排列，构成线条和空间的图案。
[0072]
此外，图3中的区域re1为第一区域的一例。此外，区域re2为第二区域的一例。区域re1在基板w的俯视下，为蚀刻膜ef露出的区域。此外，区域re2在基板w的俯视下，为掩模膜mf露出的区域。即，区域re2在基板w的俯视下，为掩模膜mf覆盖蚀刻膜ef的区域。
[0073]
构成基板w的各膜(底膜uf、蚀刻膜ef、掩模膜mf)可以分别通过cvd(chemical vapor deposition)法、ald(atomic layer deposition)法、旋涂法等形成。上述各膜既可以是平坦的膜，此外，也可以是具有凹凸的膜。开口op可以通过蚀刻掩模膜mf形成。此外，基板w在底膜uf之下还具有其他膜，蚀刻膜ef以及底膜uf的层积膜也可以作为多层掩模发挥作用。即，也可以将蚀刻膜ef以及底膜uf的层积膜作为多层掩模，蚀刻该其他膜。
[0074]
形成基板w的各膜的处理的至少一部分可以在等离子体处理腔室10的空间内进行。在一例中，蚀刻掩模膜mf而形成开口op的工序可以在等离子体处理腔室10中执行。即，开口op以及后述的蚀刻对象膜ef的蚀刻可以在同一腔室内连续执行。此外，也可以基板w的各膜的全部或者一部分在等离子体处理装置1的外部的装置或腔室形成之后，基板w搬入等离子体处理空间10s内，通过在基板支承部11的中央区域111a配置而提供基板。
[0075]
(工序st2：第一蚀刻)
[0076]
在工序st2中，对蚀刻膜ef进行蚀刻。蚀刻膜ef通过由供给至等离子体处理腔室10的处理气体生成的等离子体蚀刻。即，首先，处理气体从气体供给部20向等离子体处理空间10s内供给。然后，源射频信号供给至基板支承部11的下部电极。由此，在喷头13与基板支承部11之间生成高频电场，由等离子体处理空间10s内的处理气体生成等离子体。此外，向基板支承部11的下部电极(偏置电极)供给偏置射频信号(偏置信号)，在等离子体与基板w之间产生偏置电位(偏置电位)。通过偏置电位，等离子体中的离子、自由基等的活性种被吸引至基板w，通过该活性种对蚀刻膜ef进行蚀刻。
[0077]
本处理方法如从后述的图6a至图7c所示那样，具有第一期间至第四期间。工序st2如从图6a至图7c所示那样，包含第一期间以及第二期间。在第一期间以及第二期间双方，对
蚀刻膜ef进行蚀刻。此外，分别在第一期间以及第二期间，蚀刻膜ef在不同的蚀刻条件下蚀刻。
[0078]
图4a是示出在工序st2中的第一期间处理后的基板w的截面构造的一例的图。在工序st2中，在蚀刻膜ef之中的、开口op中露出的部分沿深度方向(图4a中从上向下的方向)蚀刻，形成凹部rc。凹部rc为由蚀刻膜ef的侧壁包围的空间。此外，该侧壁从掩模膜mf的侧面ss连续。此外，在掩模膜的上表面ts、掩模膜的侧面ss以及凹部rc的一部分形成伴随蚀刻生成的保护膜pf。保护膜pf能够在蚀刻膜ef的蚀刻中保护掩模膜mf。保护膜pf包含形成于掩模膜的上表面ts的保护膜pf1以及形成于掩模膜的侧面ss的保护膜pf2。此外，保护膜pf2可以从侧面ss遍及凹部rc的至少一部分形成。保护膜pf可以为由处理气体所包含的含碳气体生成的堆积物。此外，保护膜pf可以为包含由蚀刻膜ef的蚀刻产生的副生成物的堆积物。
[0079]
处理气体包含含碳气体。含碳气体至少有助于保护膜pf的堆积。即，可以堆积通过等离子体由含碳气体生成的生成物，形成保护膜pf。当处理气体中的含碳气体的流量变多时，与基于后述的含氧气体形成的保护膜pf的去除速度相比，保护膜pf的堆积速度能够变大。含碳气体由cafb(a以及b为1以上的整数)气体或者cchdfe(c、d以及e为1以上的整数)气体表示，例如，可以使用从由cf4气体、c2f6气体、c2f4气体、c3f8气体、c4f8气体、ch2f2气体、c3h2f4气体、c3h2f6气体、c3h3f5气体、c4h2f6气体、c4h5f5气体、c4h2f8气体、c5h2f6气体、c5h2f
10
气体以及c5h3f7气体构成的组选择的至少一种。
[0080]
此外，处理气体包含蚀刻气体。蚀刻气体主要有助于蚀刻膜ef的蚀刻。蚀刻气体含有氟，例如可以使用从由hf气体、nf3气体以及wf6气体构成的组选择的至少一种。此外，含碳气体可以有助于蚀刻膜ef的蚀刻。即，通过由等离子体从含碳气体生成的活性种，可以对蚀刻膜ef进行蚀刻。作为一例，该活性种包含氟的活性种。
[0081]
此外，处理气体包含含氧气体。含氧气体能够有助于去除在蚀刻中堆积的保护膜pf。当处理气体中的含氧气体的流量变多时，与保护膜pf的堆积速度相比，保护膜pf的去除速度能够变大。此外，含氧气体为包含氧的气体，例如可以为从由o2气体、co气体以及co2气体构成的组选择的至少一种。此外，处理气体可以还包含ar等的惰性气体。
[0082]
图4b是表示在工序st2中的第二期间处理后的基板w的截面构造的一例的图。与工序st2中的第一期间的处理相同，在等离子体处理空间10s中，由处理气体生成等离子体，对蚀刻膜ef进行蚀刻。由此，进一步对蚀刻膜ef进行蚀刻。即，图4b中的蚀刻膜ef的凹部rc比图4a的凹部rc深。
[0083]
在第一期间以及第二期间，随着进行蚀刻膜ef的蚀刻，进行保护膜pf的形成。即，在第一期间以及第二期间，能够发生保护膜pf的形成以及保护膜pf的去除这两方。然后，在第一期间以及第二期间，以保护膜pf的堆积速度超过保护膜pf的去除速度的方式控制含碳气体的流量以及含氧气体的流量。此外，第二期间中的保护膜pf的堆积速度比第一期间中的保护膜pf的堆积速度小。在一例中，使第二期间的含碳气体的流量比第一期间的含碳气体的流量少，使第二期间中的保护膜pf的堆积速度比第一期间中的保护膜pf的堆积速度小。此外，第二期间中的保护膜pf的去除速度比第一期间中的保护膜pf的去除速度小。在一例中，使第二期间的含氧气体的流量比第一期间的含氧气体的流量少，使第二期间中的保护膜pf的去除速度比第一期间中的保护膜pf的去除速度小。
[0084]
(工序st3：第二蚀刻)
[0085]
在工序st3中，进一步对蚀刻膜ef进行蚀刻。蚀刻膜ef与工序st2相同，通过由供给至等离子体处理腔室10的处理气体生成的等离子体进一步蚀刻。
[0086]
图5a是表示在工序st3中的第三期间处理后的基板w的截面构造的一例的图。与工序st2中的处理相同，处理气体包含含碳气体、蚀刻气体以及含氧气体。由供给至等离子体处理空间10s内的处理气体生成等离子体，对蚀刻膜ef进行蚀刻。形成在掩模膜mf的上表面ts的保护膜pf1以及形成在掩模膜的侧面ss以及凹部rc中的蚀刻膜ef的侧壁的一部分的保护膜pf2伴随着蚀刻膜ef的蚀刻而被去除。此外，图5a中的蚀刻膜ef的凹部rc比图4b的凹部rc深。
[0087]
图5b是表示在工序st3中的第四期间处理中的基板w的截面构造的一例的图。与工序st2中的处理相同，处理气体包含含碳气体、蚀刻气体以及含氧气体。由供给至等离子体处理空间10s内的处理气体生成等离子体，对蚀刻膜ef进行蚀刻。形成于掩模膜mf的上表面ts的保护膜pf1以及形成于掩模膜的侧面ss以及凹部rc中的蚀刻膜ef的侧壁的一部分的保护膜pf2伴随着蚀刻膜ef的蚀刻被去除。在第四期间，保护膜pf能够去除其一部分或者全部。此外，图5b中的蚀刻膜ef的凹部rc比图5a的凹部rc深。此外，凹部rc也可以为到达底膜uf的深度。
[0088]
在第三以及第四期间，伴随着蚀刻膜ef的蚀刻进行，进行保护膜pf的去除。即，在第三期间以及第四期间，能够发生保护膜pf的形成以及保护膜pf的去除这两方。然后，在第三期间以及第四期间，以保护膜pf的去除速度超过保护膜pf的堆积速度的方式控制含碳气体的流量以及含氧气体的流量。此外，第四期间的保护膜pf的去除速度比第三期间的保护膜pf的去除速度大。在一例中，使第四期间的含氧气体的流量比第三期间的含氧气体的流量多，在第四期间进行颈缩的控制。此外，第四期间中的保护膜pf的堆积速度比第三期间中的保护膜pf的堆积速度大。在一例中，使第四期间的含碳气体的流量比第三期间的含碳气体的流量多，使第四期间的保护膜pf的堆积速度比第三期间的保护膜pf的堆积速度大。
[0089]
工序st2以及工序st3可以重复执行。重复工序st2以及工序st3的次数可以任意地设定。例如，将工序st2以及工序st3作为一次循环，判断循环数是否达到预先设定的重复次数，可以重复工序st2以及工序st3至达到该次数。此外，重复次数可以基于蚀刻膜ef的膜厚(即，形成的凹部rc的深度)设定。此外，最初的循环可以从第一期间以外的期间开始。
[0090]
图6a、图6b以及图6c分别是表示在工序st2以及工序st3中供给的含碳气体的流量、含氧气体的流量以及偏置电压的一例的时序图。在图6a、图6b以及图6c中，横轴表示时间。此外，纵轴分别表示含碳气体的流量、含氧气体的流量以及偏置电压。
[0091]
如图6a所示，在本例中，第一期间以及第二期间中的含碳气体的流量比第三期间以及第四期间中的含碳气体的流量多。此外，第一期间中的含碳气体的流量比第二期间中的含碳气体的流量多。此外，第三期间中的含碳气体的流量比第四期间中的含碳气体的流量少。此外，第四期间中的含碳气体的流量比第二期间中的含碳气体的流量少。如此，在本处理方法中，由于第二期间中的含碳气体的流量比第一期间中的含碳气体的流量少，所以能够抑制在第二期间中保护膜pf的堆积。由此，能够控制开口op中的保护膜pf的颈缩，抑制或者分散向开口op倾斜地入射的离子。此外，第四期间中的含碳气体的流量比第三期间中的含碳气体的流量多。由此，尤其是在对蚀刻膜ef进行蚀刻的元素包含于含碳气体的情况下，由于在第四期间，能够在颈缩降低的状态下向蚀刻膜ef较多地供给该元素的离子，所以
能够使蚀刻膜ef的蚀刻速率提高。
[0092]
此外，如图6b所示，在本例中，第一期间中的含氧气体的流量比第二期间中的含氧气体的流量多。第三期间以及第四期间中的含氧气体的流量比第一期间以及第二期间中的含氧气体的流量多。此外，第三期间中的含氧气体的流量比第二期间中的含氧气体的流量多。此外，第四期间中的含氧气体的流量比第三期间中的含氧气体的流量多。此外，第三期间中的含氧气体的流量比第一期间中的含氧气体的流量多。如此，在本处理方法中，能够通过在各期间控制含氧气体的流量，控制保护膜pf的堆积以及去除。由此，能够控制开口op中的保护膜pf的颈缩。
[0093]
此外，如图6c所示，在本例中，在从第一期间至第四期间，偏置电压为一定。此外，在本例中，作为偏置信号的一例向基板支承部11供给偏置直流信号。如图6c所示的偏置电压具有负极性。如图6c所示的偏置电压为偏置功率的一例。此外，偏置电压的绝对值为偏置信号的功率的有效值的一例。偏置信号可以为偏置射频信号。在这种情况下，偏置射频信号的功率的有效值为偏置信号的功率的有效值的一例。通过将偏置电压设为一定，使含碳气体的流量以及含氧气体的流量分别阶段性地增减，能够通过保护膜pf保护掩模膜mf并且进行蚀刻膜ef的蚀刻。由此，能够使相对于掩模膜mf的选择比提高。
[0094]
图7a、图7b以及图7c分别是表示工序st2以及工序st3中的含碳气体流量、含氧气体的流量以及偏置电压的其他例的时序图。在图7a、图7b以及图7c中，横轴表示时间。此外，纵轴表示含碳气体的流量、含氧气体的流量以及偏置电压的绝对值。
[0095]
如图7a所示，在本例中，第一期间以及第二期间中的含碳气体的流量比第三期间以及第四期间中的含碳气体的流量多。此外，第一期间中的含碳气体的流量比第二期间中的含碳气体的流量多。此外，第三期间中的含碳气体的流量比第四期间中的含碳气体的流量少。此外，第四期间中的含碳气体的流量比第二期间中的含碳气体的流量少。
[0096]
此外，如图7b所示，在本例中，第一期间中的含氧气体的流量比第二期间中的含氧气体的流量多。第三期间以及第四期间中的含氧气体的流量比第一期间以及第二期间中的含氧气体的流量多。此外，第三期间中的含氧气体的流量比第二期间中的含氧气体的流量多。此外，第四期间中的含氧气体的流量比第三期间中的含氧气体的流量多。此外，第三期间中的含氧气体的流量比第一期间中的含氧气体的流量多。
[0097]
如图7c所示，在本例中，在从第一期间到第四期间，偏置电压的绝对值阶段性地变化。此外，在本例中，作为偏置信号的一例向基板支承部11供给偏置直流信号。如图7c所示的偏置电压可以具有负极性。如图7c所示的偏置电压为偏置功率的一例。此外，偏置电压的绝对值为偏置信号的功率的有效值的一例。偏置信号可以为偏置射频信号。在这种情况下，偏置射频信号的功率的有效值为偏置信号的功率的有效值的一例。在本例中，第一期间以及第二期间中的偏置电压的绝对值比第三期间以及第四期间中的偏置电压的绝对值大。此外，第一期间中的偏置电压的绝对值比第二期间中的偏置电压的绝对值大。此外，第三期间中的偏置电压的绝对值比第四期间中的偏置电压的绝对值小。此外，第四期间中的偏置电压的绝对值为与第一期间中的偏置电压的绝对值相同的大小。此外，第四期间中的偏置电压的绝对值既可以比第一期间中的偏置电压的绝对值大，此外，也可以比绝对值小。通过使偏置电压与含碳气体的流量相同地阶段性地增减，能够提高保护膜pf的掩模膜mf的保护效果，且使相对于掩模膜mf的选择比更加提高。此外，在本例中，通过使第二期间中的偏置电
压的绝对值比第一期间中的偏置电压的绝对值小，能够控制开口op中的保护膜pf的颈缩。保护膜pf的颈缩控制例如能够包含使颈缩的顶部沿蚀刻方向推移或者使颈缩的厚度或者宽度变化。此外，在本例中，第四期间中的偏置电压的绝对值比第三期间中的偏置电压的绝对值大。由此，在第四期间颈缩降低的状态下，能够提高离子保持的能量，使蚀刻膜ef的蚀刻速率提高。此外，由于在第四期间，处于颈缩降低的状态，所以即使增大偏置电压的绝对值，离子也难以散乱。
[0098]
此外，在从第一期间至第四期间，也可以控制源射频信号的功率的有效值。在一例中，第一期间中的源射频信号的功率的有效值可以比第二期间中的源射频信号的功率的有效值高。此外，第三期间中的源射频信号的功率的有效值可以比第二期间中的源射频信号的功率的有效值高。此外，第四期间中的源射频信号的功率的有效值可以比第三期间中的源射频信号的功率的有效值高。此外，第三期间中的源射频信号的功率的有效值可以比第一期间中的源射频信号的功率的有效值高。如此，在本处理方法中，通过在各期间控制源射频信号的功率的有效值，能够控制由含碳气体生成的离子的量，控制保护膜pf的堆积以及去除。由此，能够控制开口op中的保护膜pf的颈缩。
[0099]
此外，各循环所包含的期间数量以及期间长度可以根据蚀刻条件适当确定。该蚀刻条件在一例中包含掩模膜mf或蚀刻膜ef的种类、处理气体所包含的气体的种类、源射频信号以及偏置信号的功率的有效值等。此外，各期间的气体流量、源射频信号以及偏置信号的功率的有效值、期间长度等可以根据蚀刻的对象或目的适当确定。
[0100]
在从第一期间至第四期间，在从一个期间过渡至另一期间时，含碳气体的流量也可以从一个期间的流量向另一期间的流量阶段性地变化。此外，在从第一期间至第四期间，在从一个期间过渡至另一期间时，含碳气体的流量也可以从一个期间的流量向另一期间的流量连续地变化。即，含碳气体的流量在t0、t1、t2、t3和/或t4中，可以立即变化，此外，也可以阶段性地或者连续性地逐渐变化。
[0101]
在从第一期间至第四期间，在从一个期间过渡至另一期间时，含氧气体的流量也可以在从一个期间的流量到另一期间的流量阶段性地变化。此外，在从第一期间至第四期间，在从一个期间过渡至另一期间时，含氧气体的流量也可以从一个期间的流量向另一期间的流量连续地变化。即，含氧气体的流量在t0、t1、t2、t3和/或t4中，既可以立即变化，此外，也可以阶段性地或者连续性地逐渐变化。
[0102]
在从第一期间至第四期间，在从一个期间过渡至另一期间时，偏置电压也可以从一个期间的电压向另一期间的电压阶段性地变化。此外，在从第一期间至第四期间，在从一个期间过渡至另一期间时，偏置电压也可以从一个期间的电压向另一期间的电压连续地变化。即，偏置电压在t0、t1、t2、t3和/或t4，既可以立即变化，此外，也可以阶段性地或者连续性地逐渐变化。
[0103]
图8是表示本处理方法的其他例中的基板w的截面构造的一例的图。本例中的基板w在底膜uf上，氮化硅膜nf和氧化硅膜of在氧化硅膜of的蚀刻方向(即，图8中的水平方向)上彼此邻接而设置。氮化硅膜nf为掩模膜的一例。此外，氧化硅膜of为蚀刻膜的一例。在本例中，与在从图3至图7说明的例相同，能够在氮化硅膜nf上形成保护膜pf，并且蚀刻氧化硅膜of。由此，能够使氧化硅膜of相对于氮化硅膜nf的选择比提高。此外，也可以在氮化硅膜nf上进一步形成其他掩模膜。
[0104]
此外，图8中的区域re1为第一区域的一例。此外，区域re2为第二区域的一例。区域re1在基板w的俯视下，为在底膜uf上设置氧化硅膜of的区域。此外，区域re2在基板w的俯视下，为在底膜uf上设置氮化硅膜nf的区域。
[0105]
根据本处理方法，能够控制掩模膜mf以及保护膜pf的颈缩的位置或形状。由此，能够抑制颈缩并且使掩模膜mf以及保护膜pf与蚀刻膜ef的蚀刻选择比提高。例如，在本处理方法中，在蚀刻中使颈缩的顶部位置推移，向开口op倾斜地入射的离子在与凹部rc的侧壁冲突的位置分散。由此，能够抑制形成于蚀刻膜ef的凹部rc的弯曲。此外，颈缩向下方推移，并且蚀刻膜ef的蚀刻能够进一步进行。通过颈缩向下方推移，并且消除开口op的封闭，从而等离子体中的离子变得容易入射，蚀刻膜ef的蚀刻速率变大。
[0106]
而且，在本处理方法中，能够使相对于蚀刻膜ef的选择比提高。此外，选择比是指蚀刻膜ef的蚀刻速率相对于掩模膜mf的蚀刻速率之比。尤其是，凹部rc的深度越深，选择比能够越高。此外，凹部rc的垂直性也能够变高。
[0107]
以上的各实施方式以说明的目的进行了说明，能够不脱离本公开的范围及宗旨地进行各种变形。例如，本处理方法除了使用电容耦合型等离子体处理装置1以外，也可以使用电感耦合型的等离子体或微波等离子体等使用了任意的等离子体源的等离子体处理装置来执行。

技术特征：
1.一种等离子体处理方法，在具有腔室的等离子体处理装置中执行，具备：(a)向所述腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板的工序，所述基板具备所述蚀刻膜露出的第一区域和所述掩模膜露出的第二区域；(b)向所述腔室内供给包含含碳气体的处理气体，由所述处理气体生成等离子体，蚀刻所述蚀刻膜并且在所述掩模膜上形成保护膜的工序；以及(c)向所述腔室内供给所述处理气体，由所述处理气体生成等离子体，进一步蚀刻所述蚀刻膜并且去除所述保护膜的至少一部分的工序，所述(b)的工序包含第一期间以及第二期间，所述第一期间中的所述含碳气体的流量比所述第二期间中的所述含碳气体的流量多，所述(c)的工序包含第三期间以及第四期间，所述第三期间中的所述含碳气体的流量比所述第二期间中的所述含碳气体的流量以及所述第四期间中的所述含碳气体的流量少。2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，所述掩模膜设置在所述蚀刻膜上，所述掩模膜具有在所述第二区域中覆盖所述蚀刻膜的上表面和在所述第一区域中规定所述蚀刻膜露出的开口的侧面，所述(b)的工序包含蚀刻所述蚀刻膜，在所述第一区域中且在所述蚀刻膜上形成凹部，并且在所述掩模膜的至少所述上表面形成所述保护膜，所述(c)的工序包含去除所述保护膜的至少一部分。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理方法，其中，所述第四期间中的所述含碳气体的流量比所述第二期间中的所述含碳气体的流量少。4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理方法，其中，在从所述第一期间至所述第四期间之中的一个期间过渡至另一期间时，所述含碳气体的流量连续地或者阶段性地变化。5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述等离子体处理装置在所述腔室内还具有基板支承部，所述(a)包含在所述基板支承部上提供所述基板，所述(b)以及(c)包含向所述基板支承部供给偏置信号。6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，在所述(b)中，所述第一期间中的所述偏置信号的功率的有效值比所述第二期间中的所述偏置信号的功率的有效值大。7.根据权利要求5或6所述的等离子体处理方法，其中，在所述(c)中，所述第三期间中的所述偏置信号的功率的有效值比所述第四期间中的所述偏置信号的功率的有效值小。8.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其中，在从所述第一期间过渡至所述第二期间时，所述偏置信号的功率的所述有效值连续地或者阶段性地变化。9.根据权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述(b)包含向所述腔室供给源射频信号而生成等离子体，所述第一期间中的所述源射频信号的功率的有效值比所述第二期间中的所述源射频信号的功率的有效值小。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理方法，其中，所述(c)包含向所述腔室供给源射频信号而生成等离子体，所述第三期间中的所述源射频信号的功率的有效值比所述第四期间中的所述源射频信号的功率的有效值大。11.根据权利要求1～10中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述处理气体包含含氧气体，在所述(b)中，所述第一期间中的所述含氧气体的流量比所述第二期间中的所述含氧气体的流量多。12.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述处理气体包含含氧气体，在所述(c)中，所述第三期间中的所述含氧气体的流量比所述第四期间中的所述含氧气体的流量少。13.根据权利要求1～12中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述基板还具备底膜，所述蚀刻膜设置于所述第一区域，所述掩模膜以在与蚀刻所述蚀刻膜的方向垂直的方向上，与所述蚀刻膜相互邻接的方式设置于所述第二区域。14.根据权利要求1～13中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述蚀刻膜为氧化硅膜或者氮化硅膜。15.根据权利要求1～14中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述掩模膜包含硼硅膜、含碳膜、含氮膜以及钨硅膜之中的至少一种。16.根据权利要求1～15中任一项所述的等离子体处理方法，其中，所述含碳气体为c
a
f
b
气体或者c
c
h
d
f
e
气体，其中，a、b、c、d、e为1以上的整数。17.根据权利要求1～16中任一项所述的等离子体处理方法，其中，多次重复所述(b)以及(c)的工序。18.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，在从所述第一期间至所述第四期间的至少一部分中，在所述掩模膜的所述侧面形成的保护膜的顶部随着进行所述蚀刻膜的蚀刻，向蚀刻所述蚀刻膜的方向推移。19.一种等离子体处理方法，在具有腔室的等离子体处理装置中执行，具备：(a)向腔室内提供具备包含蚀刻膜露出的部分的第一区域和掩模膜露出的第二区域的基板的工序；(b)向所述腔室内供给包含第一流量的含碳气体的处理气体而生成等离子体，蚀刻所述蚀刻膜并且在所述掩模膜上形成保护膜的第一工序；(c)向所述腔室内供给包含比所述第一流量少的第二流量的含碳气体的处理气体而生成等离子体，进一步蚀刻所述蚀刻膜并且在所述掩模膜上形成所述保护膜的第二工序；(d)向所述腔室内供给包含第三流量的含碳气体的处理气体而生成等离子体，进一步蚀刻所述蚀刻膜并且去除所述掩模膜上的所述保护膜的第三工序；以及(e)向所述腔室内供给比所述第二流量少并且比所述第三流量多的第四流量的含碳气体而生成等离子体，进一步蚀刻所述蚀刻膜并且进一步去除所述掩模膜上的所述保护膜的第四工序。20.一种等离子体处理系统，具有腔室、处理气体供给部、等离子体生成部以及控制部，其中，
所述控制部执行如下控制：(a)向所述腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板；(b)所述处理气体供给部向所述腔室内供给包含含碳气体的处理气体，所述等离子体生成部从所述处理气体生成等离子体，蚀刻所述蚀刻膜并且在所述掩模膜上形成保护膜；以及(c)所述处理气体供给部向所述腔室内供给所述处理气体，所述等离子体生成部从所述处理气体生成等离子体，进一部蚀刻所述蚀刻膜并且去除所述保护膜的至少一部分，所述基板具备所述蚀刻膜露出的第一区域和所述掩模膜露出的第二区域，所述(b)的工序包含第一期间以及第二期间，所述第一期间中的所述含碳气体的流量比所述第二期间中的所述含碳气体的流量多，所述(c)的工序包含第三期间以及第四期间，所述第三期间中的所述含碳气体的流量比所述第二期间中的所述含碳气体的流量以及所述第四期间中的所述含碳气体的流量少。

技术总结
提供一种等离子体处理方法。该方法具备(a)向腔室内提供具有蚀刻膜以及掩模膜的基板的工序，基板具备蚀刻膜露出的第一区域和掩模膜露出的第二区域；(b)向腔室内供给包含含碳气体的处理气体，由处理气体生成等离子体，蚀刻蚀刻膜并且在掩模膜上形成保护膜的工序；以及(c)向腔室内供给处理气体，由处理气体生成等离子体，进一步蚀刻蚀刻膜并且去除保护膜的至少一部分的工序。(b)的工序包含第一期间以及第二期间，第一期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量多，(c)的工序包含第三期间以及第四期间，第三期间的含碳气体的流量比第二期间的含碳气体的流量以及第四期间的含碳气体的流量少。还提供一种等离子体处理系统。统。统。


技术研发人员：桥本笃毅 齐藤翔 昆泰光
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2023.02.20
技术公布日：2023/8/23