热处理装置以及热处理方法与流程

1.本发明涉及一种热处理装置以及热处理方法。


背景技术：

2.在平板显示器(flat panel display，fpd)的制造或半导体元件等的制造中，进行下述操作：使涂布有包含有机材料与溶剂的溶液的工件干燥，从而在工件上形成所期望的膜。作为用于进行干燥的装置，例如使用下述热处理装置，其包括：腔室，可维持比大气压减压的环境；以及加热器，对设在腔室内部的工件进行加热。此种热处理装置除了在工件的表面形成膜以外，还用于对工件的表面进行处理。
3.当反复进行对工件的热处理时，来源于工件表面所含的物质而在腔室内产生升华物。例如，当对工件进行加热时，工件表面所含的物质气化，因此有时会在温度比经加热的工件低的腔室的内壁成为固体而附着。当像这样附着于内壁的物质从腔室的内壁剥落时，会成为颗粒而附着于工件的表面，因此导致工件的品质下降。
4.而且，当对工件进行加热时，腔室内成为高温，因此腔室内的构件因热而膨胀。进而，在加热后进行冷却时，腔室内的构件将收缩。当构件反复膨胀与收缩时，构件彼此摩擦而产生颗粒。此种颗粒也会在热处理中附着于工件，或者附着于腔室内壁的颗粒剥落而附着于工件，由此成为工件的品质下降的原因。
5.为了应对此情况，需要定期地或者根据颗粒的附着量、品质的下降程度等来去除附着于腔室内壁等的颗粒的维护。
6.[现有技术文献]
[0007]
[专利文献]
[0008]
专利文献1：国际公开第2019/117250号


技术实现要素：

[0009]
[发明所要解决的问题]
[0010]
在如上所述的维护的期间，无法进行工件的加热处理。因此，若维护的时间长或次数多，则生产性会大幅下降。
[0011]
本发明的实施方式是为了解决如上所述的问题而完成，其目的在于提供一种热处理装置以及热处理方法，不会使生产性下降而确保腔室内的洁净度，提高工件的品质。
[0012]
[解决问题的技术手段]
[0013]
本发明的实施方式的热处理装置包括：腔室，能够维持比大气压减压的环境；排气部，连接于所述腔室，对所述腔室内进行排气；支撑部，支撑被收容在所述腔室内的工件；加热部，进行在所述工件被支撑于所述支撑部的状态下对所述工件进行加热的第一加热，且进行在所述工件未被支撑于所述支撑部的状态下以比所述第一加热快的升温速度对所述腔室内进行加热的第二加热；以及供气部，在所述第一加热后以及所述第二加热后，对腔室内供给气体，由此来进行冷却。
[0014]
本发明的实施方式的热处理方法包括：第一热处理，在工件被支撑于经减压的腔室内的支撑部的状态下，加热部对所述工件进行加热后，供气部供给气体而进行冷却；工件排出处理，在所述第一热处理后，从所述腔室中排出所述工件；以及第二热处理，在所述工件未被支撑于所述支撑部的状态下，所述加热部通过比所述第一热处理快的升温速度对所述腔室内进行加热后，所述供气部供给所述气体而进行冷却，排气部对所述腔室内进行排气。
[0015]
[发明的效果]
[0016]
根据本发明的实施方式，能够提供一种热处理装置以及热处理方法，不会使生产性下降而确保腔室内的洁净度，提高工件的品质。
附图说明
[0017]
图1是用于例示实施方式的热处理装置的示意正面图。
[0018]
图2是图1中的热处理装置的a-a箭头示意剖面图。
[0019]
图3是图1中的热处理装置的b-b箭头示意剖面图。
[0020]
图4是表示匣盒的内部以及供气部的配管及喷嘴的示意立体图。
[0021]
图5是表示第一热处理中的温度变化的图表。
[0022]
图6是表示第二热处理中的温度变化的图表。
[0023]
图7是表示第一实施方式的热处理装置的处理流程的流程图。
[0024]
[符号的说明]
[0025]
1：热处理装置
[0026]
10：腔室
[0027]
10a、10b：开口
[0028]
10c：密封材料
[0029]
10d、10e：凸缘
[0030]
11：开闭门
[0031]
12、13、14：排气口
[0032]
15：盖
[0033]
20：匣盒
[0034]
20a：开口部
[0035]
21：匣盒框架
[0036]
21a：梁
[0037]
22：均热板
[0038]
23：工件支撑部
[0039]
24：匣盒支撑部
[0040]
30：支撑部
[0041]
31：框架
[0042]
32：支承部
[0043]
40：排气部
[0044]
41：第一排气部
[0045]
41a：配管
[0046]
41b：排气泵
[0047]
41c：压力调整部
[0048]
42：第二排气部
[0049]
42a：配管
[0050]
42b：排气泵
[0051]
42c：压力调整部
[0052]
43：第三排气部
[0053]
43a：配管
[0054]
43b：阀
[0055]
50：加热部
[0056]
51：加热器
[0057]
60：供气部
[0058]
61、62：配管
[0059]
63、64、65：气体供给装置
[0060]
65a：气体源
[0061]
65b：气体控制部
[0062]
70：控制装置
[0063]
71：开闭控制部
[0064]
72：排气控制部
[0065]
73：第一热处理部
[0066]
74：第二热处理部
[0067]
75：中断处理部
[0068]
s01～s26：步骤
[0069]
w：工件
具体实施方式
[0070]
参照附图来说明实施方式的热处理装置。
[0071]
[第一实施方式]
[0072]
[概要]
[0073]
如图1所示，第一实施方式的热处理装置1是在比大气压减压的环境下对工件w进行加热，而在工件w的表面形成有机膜的装置。加热处理前的工件w是在表面涂布有溶液的基板。基板例如为玻璃基板或半导体晶片。溶液为包含有机材料的溶剂。例如，可将包含聚酰胺酸的清漆作为溶液。
[0074]
工件w在热处理装置1中进行热处理，由此，溶液中的聚酰胺酸经酰亚胺化，而在基板的表面形成聚酰亚胺膜。另外，工件w在被搬入至热处理装置1之前，在上游的工序中被搬入至未图示的临时煅烧装置，溶液经临时煅烧而成为半固化状态。在临时煅烧中，例如在90℃以下、100pa左右的压力环境中放置三分钟以上，由此，预先使溶剂的一部分从溶液中蒸发。
[0075]
另外，各图中的x方向、y方向以及z方向表示彼此正交的三方向。本实施方式中，x方向为左右方向，y方向为前后方向，z方向为上下方向。但这些方向并非限定热处理装置1的设置方向。
[0076]
[结构]
[0077]
如图1至图3所示，热处理装置1具有腔室10、匣盒20、支撑部30、排气部40、加热部50、供气部60以及控制装置70。
[0078]
(腔室)
[0079]
腔室10为箱状的容器，且具有能够以可维持比大气压减压的环境的方式而设为气密的结构。在腔室10的前后设有开口10a、开口10b，在开口10a、开口10b，分别形成有设有о型环等密封材料10c的凸缘10d、凸缘10e。
[0080]
相对于前方的开口10a，通过未图示的开闭机构而驱动的开闭门11可在开位置与闭位置之间沿上下方向滑动移动地设置。当将开闭门11设为开位置时，开口10a的前方打开，能够进行工件w的搬入搬出。
[0081]
而且，开闭机构通过使开闭门11沿前后方向移动，从而切换腔室10的密闭状态以及开放状态。密闭状态是开闭门11经由开口10a的密封材料10c被按压至开口10a，从而腔室10的内部气密地受到密封的状态。开放状态是在开闭门11与开口10a的密封材料10c之间空开间隙，而腔室10的内部被大气开放的状态。
[0082]
在后方的开口10b的凸缘10e，经由密封材料10c，使用未图示的螺丝等的紧固构件而安装有盖15，由此，腔室10的内部气密地受到密封。通过从腔室10拆卸盖15，能够使后述的匣盒20从开口10b出入以便维护。
[0083]
(匣盒)
[0084]
本实施方式中，工件w经由匣盒20而支撑在腔室10内。即，工件w被搬入搬出至沿水平方向支撑于腔室10内的匣盒20的内部。匣盒20在腔室10内沿上下方向多段地配置。各匣盒20相对于腔室10可拆装地设置，以使得可从腔室10取出而各别地维护。
[0085]
如图4所示，匣盒20是在前方具有进行工件w的搬入搬出的开口部20a的箱状体，由上下左右的四方的面以及与开口部20a相向的面包围被支撑于内部的工件w。另外，在图4中，为了便于说明，未示出在匣盒20的上表面以及与开口部20a相向的面上所设的均热板22。
[0086]
匣盒20具有匣盒框架21、均热板22、工件支撑部23、匣盒支撑部24。匣盒框架21是包含细长的构件的骨架结构。匣盒框架21为长方体的框形状，在上表面以及下表面，沿x方向排列有多根架设在前后方向的梁21a。梁21a的根数并无特别限定，在本实施方式中设为四根。
[0087]
均热板22构成匣盒20的包围工件w的面，抑制传递至工件w的热的偏颇。均热板22例如是包含不锈钢等的导热率高的金属材料的板状构件。均热板22被设在匣盒框架21的上下左右以及与开口部20a相向的面，由此构成箱状体的匣盒20。
[0088]
更具体而言，以填埋匣盒框架21的外框与四根梁21a之间的方式，在上下分别设有五片均热板22。在匣盒框架21的左右各设有一片均热板22。进而，在匣盒框架21的与开口部20a相向的面，设有一片均热板22。这些均热板22可作为匣盒20而一体地出入腔室10，因此与需要各别地拆卸、安装的以往的均热板相比，维护变得容易。而且，在开闭门11的内侧也
设有均热板22，通过开闭门11移动至闭位置，可包围工件w的上下以及四方。另外，匣盒框架21与均热板22并非严格地密接，而是空开有可供气体通过的间隙，因此在通过排气部40对腔室10的内部进行排气时，对于由均热板22所包围的支撑工件w的区域也能够进行排气。
[0089]
工件支撑部23支撑工件w。工件支撑部23是从匣盒框架21的下表面的梁21a朝上方突出地设置，且在其前端支撑工件w的下表面的棒状体。工件支撑部23的配置或根数并无特别限定，但在本实施方式中，在各梁21a等间隔地各设有四根。即，工件支撑部23在匣盒框架21的下表面，呈格栅状地设有4
×
4根。而且，为了避免划伤工件w的下表面，工件支撑部23的前端优选设为例如半球状。
[0090]
匣盒支撑部24是从匣盒20的侧面朝侧方突出，且支撑于后述的支撑部30的突出部。匣盒支撑部24的前后方向的长度例如与匣盒20的前后方向的长度相同。通过匣盒支撑部24支撑于后述的支撑部30，从而收容于腔室10内的匣盒20被支撑于腔室10内。
[0091]
(支撑部)
[0092]
如图1以及图3所示，支撑部30支撑被收容于腔室10内的工件w。本实施方式的支撑部30经由前述的匣盒20来支撑工件w。支撑部30包括：框架31，竖立设置在腔室10的内部；以及支承部32，设在框架31的内部，支撑匣盒20。框架31例如是使用细长的构件而构成的骨架结构。框架31为长方体的框结构，在侧面设有板状的内壁。
[0093]
支承部32是在框架31的内壁以相同的高度而在左右以一对朝内侧突出地设置的构件。一对支承部32搭载匣盒20的左右的匣盒支撑部24，由此来支撑一个匣盒20。而且，一对支承部32在框架31的内壁，沿上下方向设有与匣盒20相同的数量。支承部32例如为长方体。支承部32的形状并不限定于长方体，也可为剖面为l字或u字的形状。支承部32中，匣盒支撑部24的突出方向与支承部32的突出方向的长度比匣盒支撑部24短。而且，优选的是，支承部32的前后方向的长度比匣盒支撑部24的前后方向的长度长。而且，支承部32的上下方向的长度是从匣盒支撑部24的下表面直至匣盒20的下表面为止的长度。本实施方式中，如图1以及图3所示，与六个匣盒20对应地设有六组的一对支承部32。
[0094]
(排气部)
[0095]
排气部40是对腔室10的内部进行排气的结构部。如图1所示，排气部40具有第一排气部41、第二排气部42以及第三排气部43。第一排气部41例如连接于设在腔室10的底面的排气口12。第一排气部41经由排气口12来对腔室10的内部进行排气。
[0096]
第一排气部41例如具有配管41a、排气泵41b以及压力调整部41c。配管41a是连接于排气口12的气体流路。排气泵41b是从大气压开始进行粗抽排气直至第一规定压力为止的泵。排气泵41b的排气量比后述的排气泵42b多。作为排气泵41b，例如可使用干式真空泵。
[0097]
压力调整部41c被设在排气口12与排气泵41b之间。压力调整部41c基于对腔室10的内压进行检测的未图示的真空计等的输出来进行控制，以使腔室10的内压成为第一规定压力。作为压力调整部41c，例如可使用自动压力控制器(auto pressure controller，apc)。
[0098]
第二排气部42例如连接于设在腔室10的底面的排气口13。第二排气部42经由排气口13对腔室10的内部进行排气。第二排气部42例如具有配管42a、排气泵42b以及压力调整部42c。配管42a是连接于排气口13的气体流路。排气泵42b在借助排气泵41b的粗抽排气之后，进行排气直至更低的第二规定压力为止。排气泵42b例如具有可排气至高真空的分子流
区域为止的排气能力。作为排气泵42b，例如可使用涡轮分子泵(turbo molecular pump，tmp)。
[0099]
压力调整部42c被设在排气口13与排气泵42b之间。压力调整部42c基于对腔室10的内压进行检测的未图示的真空计等的输出来进行控制，以使腔室10的内压成为第二规定压力。作为压力调整部42c，例如可使用apc。
[0100]
第三排气部43例如连接于设在腔室10的顶板面的排气口14与工厂的排气系统之间。第三排气部43例如具有配管43a以及阀43b。配管43a是连接于排气口14的气体流路。阀43b被设在排气口14与工厂的排气系统之间。
[0101]
通过从供气部60对腔室10内供给冷却气体，从而腔室10内受到冷却，但此时一旦腔室10内成为大气压以上，则当将阀43b设为开状态时，便以被所供给的冷却气体挤出的方式从排气口14对腔室10内进行强制排气。
[0102]
(加热部)
[0103]
加热部50进行第一加热与第二加热。第一加热是在工件w被支撑于支撑部30的状态下对工件w进行加热的处理。即，在工件w被搬入至腔室10内且被支撑于支撑部30的状态下，通过第一加热来对工件w进行加热，由此来进行溶液的干燥处理。另外，本实施方式中，干燥处理也包含溶液中的聚酰胺酸经脱水而产生酰亚胺化的情况。
[0104]
第二加热是在工件w未被支撑于支撑部30的状态下，以比第一加热快的升温速度对腔室10内进行加热的处理。通过以比第一加热快的升温速度对腔室10内进行加热，从而腔室10内的构件产生与第一加热时不同的温度变化。通过与第一加热时不同的温度变化，将残留于腔室10内的升华物排出至腔室10外。而且，通过与第一加热时不同的温度变化，腔室10内的构件彼此热膨胀而摩擦，从而产生颗粒。通过使腔室10内的构件彼此摩擦而产生颗粒，从而抑制在第一加热时因腔室10内的构件彼此摩擦而产生的颗粒的发生。即，通过在从腔室10内搬出了工件w的状态下进行第二加热，比第一加热高速地使温度上升而使腔室10内受到加热，由此来抑制升华物或颗粒向工件w的附着。第二加热与用于工件w的干燥的加热不同，是在未将工件w放入腔室10内的空的状态进行的加热，因此也被称作空加热。另外，因腔室10内的零件的热膨胀而产生的颗粒在后述的第二加热后的冷却中，通过第三排气部43而排出至腔室10的外部。
[0105]
如图1至图3所示，加热部50被设在腔室10的内部的匣盒20的上下。加热部50对被支撑于匣盒20内部的工件w的上下的面进行加热。设在上侧的匣盒20与下侧的匣盒20之间的加热部50对上侧的匣盒20中的工件w的下表面进行加热，并且对下侧的匣盒20中的工件w的上表面进行加热。
[0106]
加热部50具有至少一个加热器51。本实施方式的加热部50具有多个加热器51。加热器51例如可使用护套加热器、远红外线加热器、远红外线灯、陶瓷加热器、筒形加热器等。本实施方式的加热器51为沿左右方向延伸的棒状。而且，多根加热器51沿前后方向排列，以使工件w的整面均等地受到加热。
[0107]
(供气部)
[0108]
如图2至图4所示，供气部60具有配管61、配管62以及喷嘴63、喷嘴64。另外，图2中，配管62、喷嘴64省略了图示，图3中，配管61、喷嘴63省略了图示。配管61是在各匣盒20的里侧(与设有开口部20a的正面为相反侧的面，为图2、图3中的纸面左侧)沿着左右方向而设。
配管62是在腔室10内的各匣盒20的后方沿着左右方向而配置。由此，配管61、配管62是在腔室10内的各匣盒20的后方以邻接的状态而配置。而且，配管61、配管62沿上下方向多段地设置。另外，配管61、配管62在匣盒20从腔室10被搬出时一起被搬出。即，配管61、配管62被设于匣盒20。
[0109]
在配管61、配管62中，如图4所示，从气体供给装置65供给气体。本实施方式的气体为冷却气体。气体供给装置65具有设在腔室10的外侧的气体源65a、气体控制部65b。气体源65a例如可设为高压气瓶、工厂的气体供给管等。气体控制部65b被设在配管61、配管62与气体源65a之间，控制冷却气体对配管61、配管62的供给、停止、流量等。
[0110]
冷却气体例如使用氮气、稀有气体(氩气或氦气等)等难以与受到加热的工件w发生反应的气体。冷却气体的温度并无特别限定，例如设为常温以下。
[0111]
气体供给装置65经由未图示的接头等的连接部而拆装自如地连接于设在匣盒20的配管61。即，配管61在将匣盒20插入至腔室10内的情况下连接于气体供给装置65，在从腔室10取出匣盒20的情况下解除与气体供给装置65的连接。而且，气体供给装置65连接于设在匣盒20的配管62。
[0112]
喷嘴63相当于第一喷嘴，是设在配管61的侧面的冷却气体的喷出部。喷嘴63例如朝向工件w的下表面与匣盒20的下表面之间喷出冷却气体。由此，从喷嘴63放出的冷却气体以顺着工件w的下表面的方式流动，而对匣盒20、工件w以及腔室10的内部进行冷却(参照图2的虚线箭头)。而且，喷嘴63在第二加热后的冷却中，向对工件w进行处理的区域喷出冷却气体。工件w在被均热板22包围的区域内受到处理。即，喷嘴63能够对均热板22与支撑均热板22的构件所接触的部分喷出冷却气体。
[0113]
喷嘴64相当于第二喷嘴，是设在配管62的侧面的冷却气体的喷出部。喷嘴64朝向腔室10内的构件的接触部分，即，朝向引起因热产生的膨胀、收缩而容易发生构件彼此的摩擦的场所喷出冷却气体。所谓容易发生摩擦的场所，例如可设为均热板22与支撑均热板22的构件所接触的部分。本实施方式中，为了避免附图的繁琐，图示了朝匣盒支撑部24与支撑部30的接触部分喷出冷却气体的喷嘴64。匣盒支撑部24与支撑部30的接触部分也是易因摩擦产生颗粒的部位。
[0114]
而且，除了所述以外，喷嘴64还以喷出冷却气体的方向朝向腔室10中的设有排气口14的一侧的方式而设。进而，喷嘴64朝向对工件w进行处理的区域的外侧喷出冷却气体。本实施方式中，排气口14位于腔室10的顶板部，因此喷嘴64朝向斜上。而且，喷嘴64朝向收容工件w的区域之外。另外，所谓朝向设有排气口14的一侧，并不限定于朝向排气口14的情况，也包含相对于设有排气口14的面而倾斜地朝向的情况。
[0115]
由此，从喷嘴64放出的冷却气体在匣盒20与支撑部30的接触位置，能够将两构件发生热膨胀以及收缩而因摩擦产生的颗粒吹起，而使其与朝向排气口14的排气一同排出(参照图3的虚线箭头)。而且，来自喷嘴64的冷却气体在收容有工件w的情况下，也朝向工件w的外侧吹出，因此抑制颗粒附着于工件w。
[0116]
(控制装置)
[0117]
控制装置70是对热处理装置1的各部进行控制的计算机。控制装置70具有执行程序的处理器、存储程序或动作条件等各种信息的存储器、以及驱动各元件的驱动电路。另外，在控制装置70，连接有输入信息的输入装置、显示信息的显示装置。
[0118]
以下例示的第一规定压力以及第二规定压力、第一规定温度至第三规定温度、规定升温速度、第一规定时间至第四规定时间、第一规定次数以及第二规定次数、规定时机、规定基准时等是通过输入装置而预先将所期望的值输入至控制装置70。所输入的所期望的值被存储至存储器。输入装置、输出装置包含与外部装置之间收发各种信号的接口。例如，输入装置包含从上游装置接收通知工件w到来的信号的接收部，输出装置包含向上游装置发送通知可接纳工件w的信号的发送部。
[0119]
本实施方式的控制装置70具有开闭控制部71、排气控制部72、第一热处理部73、第二热处理部74以及中断处理部75。开闭控制部71控制开闭门11的开闭机构。即，开闭控制部71进行使开闭门11移动至开位置以及闭位置的控制、或者切换密闭状态及开放状态的控制。
[0120]
开闭控制部71控制开闭机构将开闭门11设为开放状态而使其移动至开位置，向腔室10内搬入工件w之后，使开闭门11移动至闭位置而设为密闭状态。在搬出工件w时，在将腔室10内设为大气压后，控制开闭机构将开闭门11设为开放状态而使其移动至开位置，从腔室10搬出工件w后，使开闭门11移动至闭位置而设为密闭状态。
[0121]
排气控制部72通过控制排气部40的压力调整部41c、压力调整部42c、阀43b等，从而控制腔室10内的压力。第一热处理部73通过控制排气部40、加热部50、供气部60，从而对工件w进行包含第一加热以及冷却的第一热处理。本实施方式中的第一热处理为干燥处理。第一热处理部73所进行的温度控制是通过基于设在腔室10内的未图示的温度计的检测值来控制对加热器51供给的电力量而进行。
[0122]
在第一热处理中，在进行了排气而减压的状态下进行第一加热以及冷却。如图5的图表的一点链线所示，第一加热是以第一升温工序以及第一温度维持工序、第二升温工序以及第二温度维持工序这两步骤来进行。在第一升温工序中，使工件w上升至第一规定温度为止，在第一温度维持工序中一边维持第一规定温度，一边进行第一规定时间的热处理。第一规定温度可设为使溶液中所含的水分或溶剂排出的温度例如100℃～200℃。第一规定时间例如可设为15分钟～60分钟。
[0123]
在第二升温工序中，使工件w从第一升温工序的第一规定温度上升至更高的第二规定温度为止，在第二温度维持工序中一边维持第二规定温度，一边进行第二规定时间的热处理。第二规定温度可设为引起酰亚胺化的温度例如300℃～500℃。第二规定时间例如可设为15分钟～60分钟。为了获得分子链的填充度高的有机膜，更优选将500℃维持15分钟。另外，第一升温工序、第二升温工序可均将升温速度设为例如5℃/分钟。
[0124]
进而，冷却是通过第一热处理部73控制供气部60，由此从气体供给装置65供给冷却气体并使冷却气体从喷嘴63、喷嘴64喷出，从而使腔室10内降温至第三规定温度为止的降温工序，来将腔室10设为待机状态。所述第三规定温度例如可设为50℃～140℃。
[0125]
例如，在第一热处理后，若所搬出的工件w的温度为常温，则容易进行工件w的搬出。然而，在热处理装置1中，工件w是连续地受到加热处理。而且，有时继第一热处理之后还要进行第二热处理。因此，若每当搬出工件w时使工件w的温度成为常温，则使下个工件w升温的时间、第二加热的升温时间将变长，生产性有可能下降。因此，优选将使其降温的第三规定温度设为如上。
[0126]
另外，若在降温至第三规定温度之前便将开闭门11设为开放状态，则经由开口10a
流入至腔室10内部的氧与涂布于工件w的基板上的膜的成分会发生反应，从而有可能得不到具有所期望的膜质的工件w。因而，第三规定温度要低于产生此种反应的温度。
[0127]
第二热处理部74通过控制排气部40、加热部50、供气部60，从而在无工件w的状态下进行包含排气、第二加热以及冷却的第二热处理。本实施方式的第二热处理包含第二加热即空加热。第二热处理部74所进行的第二热处理是在规定的时机进行。规定的时机例如是从规定的基准时经过了第三规定时间的情况、第一热处理的次数达到第一规定次数的情况、作业员从输入装置输入了指示的情况等。规定的基准时例如是将通知可接纳工件w的信号发送至上游装置时。
[0128]
第二热处理中，如图6的图表的实线所示，以一步骤来进行包含第二加热的升温工序。在升温工序中，将腔室10内加热至与第一加热相同的第二规定温度为止。但是，第二加热中的升温速度比第一加热快。例如，在第二加热中，以10℃/分钟的速度升温至300℃～500℃为止。
[0129]
而且，第二加热与第一加热同样地，是在通过第一排气部41、第二排气部42进行了减压的状态下进行。这是因为，若在大气压或低真空等存在氧的状态下使其升温，则腔室内的物质有可能发生氧化。另外，在第一加热与第二加热中，尽管升温速度不同，但加热的最高温度即第二规定温度以及减压时的压力相同。
[0130]
另外，第二热处理并非以工件w的干燥为目的，而是用于使腔室10内的零件膨胀、收缩的加热。因此，与第一热处理不同，一旦到达第二规定温度，便立即进行使其冷却的降温工序。即，在第二热处理中，不需要长时间维持最高温度。通过像这样高速地进行加热以及冷却，能够使第二热处理的时间缩短化。
[0131]
在降温工序中，气体供给装置65供给冷却气体，从供气部60的喷嘴63、喷嘴64喷出冷却气体，由此，使腔室10内降温至第三规定温度为止。所述第三规定温度可设为50℃～140℃。在所述降温工序中，当通过冷却气体的喷出而腔室10内的气压达到大气压以上时，打开阀43b而从第三排气部43进行排气。由此，因热膨胀以及收缩引起的摩擦产生的颗粒与被喷出至匣盒20和支撑部30的接触位置的冷却气体一同朝向排气口14排出至腔室10外。为了促进颗粒的运动而易于排出，来自喷嘴63、喷嘴64的冷却气体的喷出量(每单位时间的喷出量)被设定得比第一加热后的冷却中的冷却气体的喷出量多。
[0132]
进而，第二热处理中，将第二加热与冷却的循环进行第二规定次数，由此，反复进行腔室10内的零件的膨胀、收缩而产生颗粒。第二规定次数为两次以上，例如，如图6所示，优选进行三次。第二热处理后，腔室10处于待机状态。另外，也可不设为待机状态，而继续第二加热与冷却的循环，直至收到通知下个工件w到来的信号为止。
[0133]
中断处理部75在第二加热中的升温工序中收到通知工件w到来的信号时，使第二加热中断。如上所述，工件w通过热处理装置1更上游的装置例如临时煅烧装置对溶液进行临时煅烧而被设为半固化状态。中断处理部75在第二加热中达到最高温度之前，从此种上游装置收到通知工件w到来的信号时，停止加热部50所进行的加热，并通过来自喷嘴63、喷嘴64的冷却气体的喷出冷却至第三规定温度为止，由此设为待机状态。另外，即便在降温工序中收到信号，在接纳工件w时，也必须进行冷却直至成为待机状态为止，因此继续降温工序。
[0134]
[动作]
[0135]
除了所述的图1至图6以外，还参照图7的流程图来说明如上所述的本实施方式的动作流程。首先，匣盒20将开口部20a设为跟前而插入至腔室10内的各支撑部30的位置，并支撑于支承部32。本实施方式中，通过支撑于各支承部32而收容有六个匣盒20。另外，在匣盒20内未支撑有工件w。
[0136]
在此状态下，开闭控制部71控制开闭机构，由此将开闭门11设为开放状态，使其移动至上方而设为开位置(步骤s01)。继而，通过未图示的机械臂，按照从腔室10内的上段的匣盒20往下段的匣盒20的顺序搬入工件w(步骤s02)。所搬入的工件w被支撑于设在匣盒20内部的工件支撑部23。
[0137]
当工件w的搬入作业完成时，开闭控制部71控制开闭机构，由此，使开闭门11朝下方移动而设为闭位置后，使其移动以按压至开口10a，由此，将腔室10的内部设为密闭状态(步骤s03)。
[0138]
进而，通过排气控制部72来控制排气部40，对腔室10的内部进行减压(步骤s04)。所述减压首先是在关闭了第三排气部43的阀43b的状态下，通过第一排气部41的排气泵41b从大气压开始进行粗抽排气，直至第一规定压力为止。接下来，通过第二排气部42的排气泵42b进行排气，直至比第一规定压力更低的第二规定压力为止。由此减压至例如1
×
10-2
pa～100pa左右的压力为止。
[0139]
当腔室10的内部空间被减压至第二规定压力为止时，第一热处理部73对加热部50的加热器51施加电力，以开始第一热处理(步骤s05)。在所述第一热处理中，如图5所示，首先进行使工件w升温至第一规定温度为止的第一升温工序(步骤s06)。接下来，进行将通过升温而达到的第一规定温度维持第一规定时间的第一温度维持工序(步骤s07)。由此，工件w的溶液中所含的水分或气体等被排出。
[0140]
继而，第一热处理部73控制对加热部50的加热器51的施加电力，由此来进行使其升温至比第一升温工序中的第一规定温度高的第二规定温度为止的第二升温工序(步骤s08)。接下来，进行将通过升温而达到的第二规定温度维持第二规定时间的第二温度维持工序(步骤s09)。利用此加热，在工件w的基板的表面通过酰亚胺化而形成有机膜。
[0141]
当第二规定时间经过时，第一热处理部73使加热部50的加热器51停止，进行使形成了有机膜的工件w的温度冷却至第三规定温度为止的降温工序(步骤s10)。即，停止排气部40所进行的排气，使供气部60供给来自气体供给装置65的冷却气体。由此，腔室10的内部逐渐接近大气压，并且工件w受到冷却。
[0142]
当腔室10的内部成为大气压时，通过排气控制部72来打开阀43b，经由第三排气部43将冷却气体排出至腔室10的外部。当腔室10内冷却至可搬出工件w的第三规定温度为止时，停止供气部60对冷却气体的供给，成为待机状态(步骤s11)。
[0143]
接下来，开闭控制部71控制开闭门11的开闭机构，由此将腔室10的内部设为开放状态，进而使开闭门11移动至开位置而打开开口10a(步骤s12)。接下来，通过未图示的机械臂，从下段的匣盒20开始依次搬出工件w(步骤s13)。
[0144]
当从腔室10内搬出所有的工件w时，开闭控制部71通过开闭门11的开闭机构，由此使开闭门11移动至闭位置，并使其移动以按压至开口10a而设为密闭状态(步骤s14)。接下来，控制装置70将通知可接纳工件w的信号发送至上游装置(步骤s15)。另外，在输入有热处理装置1的停止指示时(步骤s16的是)，结束处理。
[0145]
第二热处理部74在热处理装置1继续运转的情况下(步骤s16的否)，从上游装置接收通知下个工件w到来的信号(步骤s17的是)，当下个工件w到来时，进行所述步骤s01以后的处理。另一方面，在从输出通知可接纳工件w的信号开始，即从规定的基准时开始，未收到通知下个工件w到来的信号(步骤s17的否)，而经过了第三规定时间的情况下(步骤s18的是)，开始第二热处理(步骤s19)。即，在从第一热处理结束起规定时间(第三规定时间)工件w未来到的情况下，认为无法进行接下来的第一热处理，因此利用此时间来进行空加热。例如在上游的装置中引起某些问题而工件w长时间未来到热处理装置1等的情况下，可进行空加热。
[0146]
首先，第二热处理部74通过排气控制部72来控制排气部40，对腔室10的内部进行减压(步骤s20)。所述减压与第一热处理中的减压同样地，关闭阀43b，通过排气泵41b进行粗抽排气后，通过排气泵42b进行排气，直至第二规定压力为止。由此减压至例如1
×
10-2
pa～100pa左右的压力为止。
[0147]
当腔室10的内部空间被减压至第二规定压力为止时，对加热部50的加热器51施加电力，进行使腔室10内上升至第二规定温度为止的升温工序(步骤s21)。由此，匣盒20以及支撑部30等的腔室10内的构件产生热膨胀。
[0148]
此种第二热处理中，在升温中未达到第二规定温度的情况(步骤s22的否)且未从上游装置收到通知下个工件w到来的信号的情况下(步骤s23的否)，继续升温。第二热处理部74在达到第二规定温度时(步骤s22的是)，进行降温工序(步骤s24)。
[0149]
即，第二热处理部74在降温工序中停止加热部50的加热器51，使气体供给装置65供给冷却气体，由此，使冷却气体从供气部60的喷嘴63、喷嘴64喷出。一旦腔室10内成为大气压，则打开阀43b而进行借助第三排气部43的排气。此时也继续冷却气体的供给。由此，腔室10的内部受到冷却，因此匣盒20以及支撑部30等的腔室10内的构件收缩。来自喷嘴64的冷却气体朝向上方喷吹至匣盒20与支撑部30的接触部分，因此因匣盒20与支撑部30的热膨胀与收缩而产生的颗粒与朝向排气口14的排气一同被排出。
[0150]
尤其，优选的是，支撑部30的支承部32的突出方向的长度比匣盒支撑部24的突出方向的长度短。此时，从喷嘴64喷出的冷却气体喷吹至匣盒支撑部24与支承部32相接触的部分。因此，能够进一步排出颗粒。而且，如前所述，支承部32的前后方向的长度比匣盒支撑部24的前后方向的长度长。并且，支承部32的上下方向的长度是从匣盒支撑部24的下表面直至匣盒20的下表面为止的长度。因此，支承部32具有对来自喷嘴64的冷却气体进行引导的作用。
[0151]
来自喷嘴64的冷却气体沿着支承部32而在前后方向上流动。其结果，冷却气体流动至匣盒20的开口部20a附近的匣盒支撑部24与支承部32所接触的部分为止。即，在前后方向上，冷却气体喷吹至匣盒支撑部24与支承部32所接触的部分。因此，能够进一步排出颗粒。第二热处理部74在冷却至第三规定温度为止时，停止供气部60对冷却气体的供给。
[0152]
若所述第二热处理中的加热与冷却的一循环未达到第二规定次数(步骤s25的否)，则如上所述在减压后再次进行升温工序与降温工序(步骤s20～步骤s24)。若第二热处理中的加热与冷却的次数已达到第二规定次数(步骤s25的是)，则腔室10处于待机状态，当下个工件w到来时，进行所述步骤s01以后的处理。
[0153]
另外，在第二加热中，若在升温工序中从上游装置收到下个工件w到来的信号(步
骤s23的是)，则中断处理部75停止加热部50所进行的加热，并与所述同样地进行降温工序(步骤s26)。然后，成为处于待机状态的第三规定温度，停止供气部60对冷却气体的供给后，进行所述步骤s01以后的处理。
[0154]
[效果]
[0155]
(1)本实施方式的热处理装置1包括：腔室10，能够维持比大气压减压的环境；排气部40，连接于腔室10，对腔室10内进行排气；支撑部30，支撑被收容在腔室10内的工件w；加热部50，进行在工件w被支撑于支撑部30的状态下对工件w进行加热的第一加热，且进行在工件w未被支撑于支撑部30的状态下以比第一加热快的升温速度对腔室10内进行加热的第二加热；以及供气部60，在所述第一加热后以及所述第二加热后，对腔室内供给气体，由此来进行冷却。
[0156]
而且，本实施方式的热处理装置1具有对排气部40、加热部50、供气部60进行控制的控制装置70，控制装置70具有：第一热处理部73，使加热部50以及供气部60执行进行第一加热以及冷却的第一热处理；以及第二热处理部74，在进行了第一热处理的工件w从腔室10排出后，使加热部50、供气部60以及排气部40执行进行第二加热、冷却以及排气的第二热处理。
[0157]
进而，本实施方式的热处理方法包括：第一热处理，在工件w被支撑于经减压的腔室10内的支撑部30的状态下，加热部50对工件w进行加热后，供气部60供给气体而进行冷却；工件排出处理，在第一热处理后，从腔室10中排出工件w；以及第二热处理，在工件w未被支撑于支撑部30的状态下，加热部50通过比第一热处理快的升温速度对腔室10内进行加热后，供气部60供给气体而进行冷却，排气部40对腔室10内进行排气。
[0158]
因此，在未进行对工件w的第一加热的期间进行第二加热以及冷却，能够使因腔室10内部的构件的膨胀与收缩产生的颗粒或因加热软化而变得易排出的升华物与排气部40的排气一同排出至腔室10外，从而维持腔室10内的洁净度。因而，能够降低因颗粒附着于工件w的表面造成的品质下降，成品率也提高。尤其，在第二加热中，升温速度比第一加热快，因此易产生因热膨胀造成的构件彼此的摩擦，从而能够去除可能产生的颗粒。
[0159]
而且，升华物或颗粒是通过排气被去除，因此能够降低用于停止热处理装置1而进行的清洁的维护的频率，抑制生产性的下降。进而，能够降低腔室10内的附着物，因此能够缩短维护所需的时间，从而能够提高生产效率。另外，进行第二加热也达成为直至下个工件w到来为止的腔室10内的温度维持，因此能量效率也佳。
[0160]
(2)本实施方式的热处理装置1中，加热部50以及供气部60多次进行第二加热以及冷却。因此，反复进行腔室10内的构件的膨胀与收缩而使颗粒产生并予以去除，因此能够在随后的处理中降低腔室10内产生的颗粒。
[0161]
(3)本实施方式的热处理装置1中，设有喷嘴63，所述喷嘴63与供气部60连接，朝向工件w的下表面喷出气体。因此，能够对被均热板22包围而对工件w进行处理的区域喷吹气体。其结果，能够对均热板22与支撑均热板22的构件所接触的部分喷吹气体，从而能够将颗粒与排气一同予以去除。
[0162]
(4)本实施方式的热处理装置1中，设有喷嘴64，所述喷嘴64与供气部60连接，对腔室10内的构件的接触部分喷吹气体。因此，能够对易产生颗粒的部位喷吹气体并将其与排气一同予以去除。
[0163]
(5)在腔室10，设有进行借助排气部40的排气的排气口14，喷嘴64朝向腔室10中的设有排气口14的一侧喷出气体。因此，能够产生朝向排气的气流而容易地排出颗粒。
[0164]
(6)来自喷嘴63的气体的喷出量在第二加热后的冷却中比在第一加热后的冷却中多。因此，朝向接触部分的喷吹气体的流量、用于排气的气体的流量变多，因此颗粒易被排出。喷嘴63为了对工件w的下表面进行冷却而喷出口朝向斜上。要对被安装于匣盒20的下表面的均热板22喷吹气体，必须对被安装于匣盒20的上表面的均热板22喷吹气体。通过增多来自喷嘴63的气体的喷出量，对设在匣盒20的下表面的均热板22喷吹的气体的流量变多，从而进一步排出颗粒。
[0165]
(7)来自喷嘴64的气体的喷出量在第二加热后的冷却中比在第一加热后的冷却中多。因此，朝向接触部分的喷吹气体的流量、用于排气的气体的流量变多，因此颗粒容易被排出。
[0166]
(8)第一加热以及第二加热中的加热的最高温度相同。因此，能够预先去除在第一加热的温度条件下有可能产生的颗粒。
[0167]
(9)第二热处理部74在从第一热处理后的规定的基准时直至经过规定时间为止的期间，未收到通知工件w来到腔室10的信号的情况下，使加热部50、供气部60以及排气部40执行第二热处理。因此，在工件w未到来的空闲时间，能够进行排出颗粒的空加热，不会为了第二热处理而妨碍工件w的生产，因此能够抑制生产性的下降。
[0168]
(10)控制装置70具有中断处理部75，所述中断处理部75在第二加热中的升温过程中收到通知工件w到来的信号的情况下，使第二加热中断。因此，能够防止工件w的生产受到妨碍而导致生产效率下降。
[0169]
[第二实施方式]
[0170]
对本发明的第二实施方式进行说明。第二实施方式的基本结构与所述第一实施方式相同。但是，第二实施方式中，第二热处理部74在从第一热处理后的规定的基准时开始直至经过为了进行第二热处理所需的时间为止的期间，工件w未来到腔室10的情况下，使加热部50、供气部60以及排气部40执行第二热处理。
[0171]
更具体而言，所述第一实施方式中的流程图的步骤s15中，将通知可接纳工件w的信号发送至上游装置。接下来，从收到信号的上游装置发送通知下个工件w到来的预定时间的信号。另外，所谓下个工件w到来的预定时间，是指在下个工件w来到热处理装置1之前需要多少时间这一时间间隔。而且，也有时将下个工件w到来的预定时间称作t1。一旦收到从上游装置发送的信号，则对下个工件w到来的预定时间与为了进行第二热处理所需的时间进行比较。若比较的结果是判断为在下个工件w来到热处理装置1之前能够进行第二热处理，则进行步骤s19以后的处理。但是，若直至下个工件w到来为止的预定时间比为了进行第二热处理所需的时间短，则将腔室10设为待机状态，当下个工件w到来时，进行步骤s01以后的处理。另外，也有时将为了进行第二热处理所需的时间称作t2。
[0172]
t2例如是为了进行第二热处理中的加热与冷却的一个循环所需的时间。对t1与t2进行比较，若t1≧t2，则进行第二热处理。另外，在规定的基准时为时刻的情况下，也可根据下个工件w来到热处理装置1的预定时刻与规定的基准时来求出t1。
[0173]
而且，若t1≧t2，则算出第二热处理的重复次数。重复次数是通过将t1除以t2，并舍去除算所得的值的小数点以后而算出。此处，若所获得的重复次数的值小于第二规定次
数的值，则将第二规定次数的值变更为重复次数的值。由此，能够在工件w未到来的空闲时间进行排出颗粒的空加热，不会为了第二热处理而妨碍工件w的生产，因此能够抑制生产性的下降。
[0174]
[变形例]
[0175]
(1)第二热处理中的第二加热与冷却的次数并不限定于上文例示的次数。而且，如所述的第二实施方式中所例示的那样，在预先知晓了直至下个工件w到来为止的时间的情况下，第二热处理部74也可根据此时间来变更次数。例如，若时间相对较短，则可减少次数，若时间长，则可增多次数。此时间可根据来自上游装置的信号、实际的运用结果来设定。
[0176]
(2)也可在第二热处理中的冷却后，具体而言，成为第三规定温度后使开闭门11移动至开位置，并在第四规定时间的期间维持开位置。在第四规定时间的期间，冷却气体继续从喷嘴63以及喷嘴64喷出。因此，通过在第四规定时间的期间将开闭门11设为开位置，能够将腔室10的内部产生的颗粒从开口10a排出至热处理装置1的外部。
[0177]
冷却气体从开口10a排出至热处理装置1的外部，由此，腔室10内的冷却气体的流动方式发生变化。因此，在第二加热后的冷却时，气体也会流至气体未流动而淤塞的部分。因此，进一步排出颗粒。而且，开口10a的开口面积比设在腔室10的顶板面的排气口14大。因此，开口10a的流导(conductance)比排气口14的流导小。其结果，排出的气体的量增加，因此进一步排出颗粒。因此，能够提高颗粒的排出能力。
[0178]
另外，第四规定时间可通过进行模拟或实验等来适当决定。第四规定时间例如可设为30秒至10分钟左右。而且，也可求出下个工件w到来的预定时刻与规定的基准时的差值时间，若差值时间少于为了进行第二热处理所需的时间，则使开闭门11移动至开位置，从喷嘴63以及喷嘴64继续冷却气体的喷出，直至下个工件w到来为止。而且，在使开闭门11移动至开位置时，设于排气口14的阀43b既可关闭，也可仍保持打开。
[0179]
(3)工件w的基板、溶液并不限定于上文例示的基板、溶液。溶液也包含液体经临时煅烧而成为半固化状态(不流动的状态)的溶液。有机材料只要可通过溶剂来溶解，则并无特别限定。加热前的工件w也可仅为基板。而且，也可适用于对工件w进行加热而在工件w的表面形成无机膜等，或者对工件w的表面进行处理的热处理装置1。
[0180]
(4)通过使用匣盒20，多个均热板22的出入变得容易，因此可实现维护的容易化。但是本发明的热处理装置1中，匣盒20并非必需。即，在支撑部30对工件w的支撑既包含直接支撑工件w的情况，也包含间接支撑工件w的情况。
[0181]
(5)对于加热部50的加热器51，也可将进行第一热处理的加热器与进行第二热处理的加热器设为独立的加热器。但是通过如前述那样使用共同的加热器51，能够实现消耗电力的降低、制造成本的降低、省空间化等。而且，加热器51只要能够在比大气压减压的环境中加热工件w，则并不限定于前述中例示的加热器。
[0182]
(6)气体控制部65b被设在配管61、配管62与气体源65a之间，控制冷却气体对配管61、配管62的供给、停止、流量等，但也可在配管61与配管62分别设置气体控制部，从而各别地控制冷却气体从喷嘴63与喷嘴64的喷出。例如，也可在第一热处理中不进行冷却气体从喷嘴64的喷出，而仅在第二热处理中的降温工序中进行冷却气体从喷嘴64的喷出。
[0183]
(7)第一加热是以两步骤来进行，但并不限定于此。可根据工件w的种类或涂布于工件w的表面的溶液的成分或状态来选择，也可为一步骤，还可为三步骤以上。
[0184]
(8)喷嘴64是相对于腔室10内的构件彼此易产生摩擦的部分而使喷出口朝向腔室10中的设有排气口14的一侧喷出冷却气体，但并不限定于此。喷嘴64也可使喷出口朝向腔室10中的与设有排气口14的一侧为相反侧喷出冷却气体。进而，喷嘴64是朝向对工件w进行处理的区域的外侧喷出冷却气体，但并不限定于此。喷嘴64也可对被安装在匣盒20的上表面或者匣盒20的下表面的均热板喷出冷却气体。或者，喷嘴64也可对被安装在匣盒20的侧面的均热板喷出冷却气体。
[0185]
(9)气体供给装置65是供给冷却气体，但并不限定于此。气体供给装置65也可具有多个气体源65a，从而可根据腔室10内的温度来变更对腔室10内供给的气体。例如也可为，一旦腔室10内的温度达到200℃以下，则取代冷却气体而将清洁干燥空气(clean dry air，cda)供给至腔室10内。例如也可在第二热处理中的冷却后，在将开闭门11打开的期间即第四规定时间的期间，将cda供给至腔室10内。
[0186]
[其他实施方式]
[0187]
本发明并不限定于所述实施方式，也包含下述所示的其他实施方式。而且，本发明也包含将所述实施方式以及下述的其他实施方式全部或任一个组合而成的形态。进而，对于这些实施方式，可在不脱离发明范围的范围内进行各种省略或置换、变更，其变形也包含于本发明。

技术特征：
1.一种热处理装置，包括：腔室，能够维持比大气压减压的环境；排气部，连接于所述腔室，对所述腔室内进行排气；支撑部，支撑被收容在所述腔室内的工件；加热部，进行在所述工件被支撑于所述支撑部的状态下对所述工件进行加热的第一加热，且进行在所述工件未被支撑于所述支撑部的状态下以比所述第一加热快的升温速度对所述腔室内进行加热的第二加热；以及供气部，在所述第一加热后以及所述第二加热后，对腔室内供给气体，由此来进行冷却。2.根据权利要求1所述的热处理装置，其中所述加热部以及所述供气部多次进行所述第二加热以及所述第二加热后的冷却。3.根据权利要求1所述的热处理装置，其中设有第一喷嘴，所述第一喷嘴与所述供气部连接，朝向所述工件的下表面喷出所述气体。4.根据权利要求3所述的热处理装置，其中设有第二喷嘴，所述第二喷嘴与所述供气部连接，对所述腔室内的构件的接触部分喷吹所述气体。5.根据权利要求4所述的热处理装置，其中在所述腔室，设有进行借助所述排气部的排气的排气口，所述第二喷嘴朝向所述腔室中的设有所述排气口的一侧喷出所述气体。6.根据权利要求3所述的热处理装置，其中来自所述第一喷嘴的所述气体的喷出量在所述第二加热后的冷却中比在所述第一加热后的冷却中多。7.根据权利要求4所述的热处理装置，其中来自所述第二喷嘴的所述气体的喷出量在所述第二加热后的冷却中比在所述第一加热后的冷却中多。8.根据权利要求1所述的热处理装置，其中所述第一加热以及所述第二加热中的加热的最高温度相同。9.根据权利要求1至8中任一项所述的热处理装置，其中在所述腔室设有开口，且具有开闭门，所述开闭门相对于所述开口而移动至开位置与闭位置，由此来切换所述腔室的密闭状态以及开放状态，在所述第二加热以及所述第二加热后的冷却结束后，继续所述气体的喷出且使所述开闭门移动至开位置。10.根据权利要求1所述的热处理装置，具有对所述排气部、所述加热部、所述供气部进行控制的控制装置，所述控制装置具有：第一热处理部，使所述加热部以及所述供气部执行进行所述第一加热以及冷却的第一热处理；以及第二热处理部，在进行了所述第一热处理的所述工件从所述腔室排出后，使所述加热
部、所述供气部以及所述排气部执行进行所述第二加热、冷却的第二热处理。11.根据权利要求10所述的热处理装置，其中所述第二热处理部在从所述第一热处理后的规定的基准时直至经过规定时间为止的期间，未收到通知所述工件来到所述腔室的信号的情况下，使所述加热部、所述供气部以及所述排气部执行所述第二热处理。12.根据权利要求10所述的热处理装置，其中所述第二热处理部在从所述第一热处理后的规定的基准时直至经过为了进行所述第二热处理所需的时间为止的期间，所述工件尚未来到所述腔室的情况下，使所述加热部、所述供气部以及所述排气部执行所述第二热处理。13.根据权利要求10至12中任一项所述的热处理装置，其中所述控制装置具有中断处理部，所述中断处理部在所述第二加热中的升温过程中收到通知所述工件到来的信号的情况下，使所述第二加热中断。14.一种热处理方法，包括：第一热处理，在工件被支撑于经减压的腔室内的支撑部的状态下，加热部对所述工件进行加热后，供气部供给气体而进行冷却；工件排出处理，在所述第一热处理后，从所述腔室中排出所述工件；以及第二热处理，在所述工件未被支撑于所述支撑部的状态下，所述加热部通过比所述第一热处理快的升温速度对所述腔室内进行加热后，所述供气部供给所述气体而进行冷却，排气部对所述腔室内进行排气。

技术总结
本发明提供一种热处理装置以及热处理方法，不会使生产性下降而确保腔室内的洁净度，提高工件的品质。实施方式的热处理装置(1)具有：腔室(10)，可维持比大气压减压的环境；排气部(40)，连接于腔室(10)，对腔室(10)内进行排气；支撑部(30)，支撑被收容在腔室(10)内的工件(W)；加热部(50)，进行在工件(W)被支撑于支撑部(30)的状态下对工件(W)进行加热的第一加热，且进行在工件(W)未被支撑于支撑部(30)的状态下以比第一加热快的升温速度对腔室(10)内进行加热的第二加热；以及供气部(60)，在所述第一加热后以及所述第二加热后对腔室内供给气体，由此来进行冷却。由此来进行冷却。由此来进行冷却。


技术研发人员：高桥崇史 矶明典 武藤真 木村哲明
受保护的技术使用者：芝浦机械电子装置株式会社
技术研发日：2023.02.02
技术公布日：2023/8/23