一种发光基板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及显示装置。


背景技术：

2.近年来，有机电致发光二极管发光器件(organic light-emitting diode，oled)因具有自发光，亮度高，对比度高，响应速度快，视角宽，结构简单等特性在显示领域得到广泛的应用。
3.对于oled发光器件，从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子会在发光层内相结合形成激子，激子使发光分子受到激发，激发后的发光分子经过辐射弛豫而发出可见光，其中，所述发光层位于两个电极之间，当所述两个电极的其中一个为反射层，另一个为半反射层，则所述发光层位于一个全反射层和一个半反射层构成的谐振腔内，且所述发光层所发出的光线透过半反射层射出，而当谐振腔的腔厚与光线的波长在同一数量级时，特定波长的光线会得到选择性加强，使oled发光器件的出射光线的光谱窄化，此为微腔效应。
4.目前，在oled发光器件中，通常是通过增强激子所发出的光线在谐振腔中的全反射来增加出光效率，然而，此种增加出光效率的方式的提升效果有限，需要更加有效的方式来对oled发光器件的出光效率进行提升。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种发光基板及显示装置，能够提高发光基板的出光效率。
6.本技术实施例的第一方面，提供一种发光基板，包括：
7.发光组件，包括多个发光单元，所述发光单元包括阳极，依次叠层设置于所述阳极上的发光层和阴极；
8.至少一个调光组件，设置于所述阴极远离所述发光层的一侧，所述调光组件包括第一电极层、第二电极层和夹设于所述第一电极层和所述第二电极层之间的液晶层；
9.其中，所述调光组件用于对所述发光组件所发出的光线进行聚光调节。
10.在一些实施方式中，所述夹设于所述第一电极层和所述第二电极层之间的所述液晶层具有沿边缘区域至中心区域依次增强的折射率分布。
11.在一些实施方式中，所述液晶层的折射率分布的范围为1.3-2.0。
12.在一些实施方式中，所述调光组件在所述发光组件上的正投影覆盖所述发光单元。
13.在一些实施方式中，所述第一电极层靠近所述阴极设置，所述第二电极层远离所述阴极设置，所述第二电极层包括第一子电极和围绕所述第一子电极设置的第二子电极，所述第一子电极和所述第二子电极相连接，且所述第一子电极的电导率小于所述第二子电极的电导率，所述第一子电极在所述发光组件上的正投影覆盖所述发光单元，其中，所述第一电极层接入有第一电压信号，所述第二电极层接入有第二电压信号，所述第一电压信号与所述第二电压信号之间具有电压差，以使所述液晶层具有沿边缘区域至中心区域依次增
强的折射率分布。
14.在一些实施方式中，所述第一子电极的透过率大于90％，且方块电阻介于50欧-500兆欧。
15.在一些实施方式中，所述第一子电极的材料包括氧化锌。
16.在一些实施方式中，所述第二电极层还包括有第三子电极，其中，所述第三子电极设置于所述第二子电极靠近所述液晶层的一侧，所述第三子电极在所述第二子电极上的正投影覆盖所述第二子电极，且所述第三子电极与所述第一子电极相连接，所述第三子电极的电导率小于所述第二子电极的电导率。
17.在一些实施方式中，所述第一子电极与所述第三子电极为一体成型结构，且在垂直于所述发光基板的方向上，所述第一子电极的厚度大于所述第三子电极的厚度。
18.在一些实施方式中，所述发光基板还包括第三电极层，所述第三电极层设置于所述第二电极层远离所述液晶层的一侧，所述第三电极层在所述第二电极层上的正投影至少覆盖部分所述第一子电极，所述第三电极层与所述第二电极层之间还夹设有一介电层，所述第三电极层的电导率大于所述第二电极层的电导率。
19.在一些实施方式中，所述第三电极层的材料的透过率大于90％。
20.在一些实施方式中，所述液晶层的厚度范围为200nm-1000nm。
21.本技术实施例的第二方面，提供一种显示装置，包括：
22.如第一方面所述的发光基板。
23.本技术实施例提供的发光基板及显示装置，通过在所述发光组件的出光侧设置有所述调光组件，所述调光组件中所述第一电极层和所述第二电极层所形成的电场可对所述液晶层的折射率分布进行调整，进而可以实现对不同的所述发光单元所发出的光线进行聚光调节，以避免因所述发光单元的边缘光线的损失，所导致发光基板的出光效率较低，从而可以有效地提高发光基板的出光效率。
附图说明
24.图1为本技术实施例提供的一种发光基板的示意性结构图；
25.图2为本技术实施例提供的另一种发光基板的示意性结构图；
26.图3为本技术实施例提供的另一种发光基板的示意性结构图；
27.图4为本技术实施例提供的另一种发光基板的示意性结构图；
28.图5为本技术实施例提供的另一种发光基板的示意性结构图；
29.图6为本技术实施例提供的另一种发光基板的示意性结构图；
30.图7为本技术实施例提供的再一种发光基板的示意性结构图；
31.图8为本技术实施例提供的又一种发光基板的示意性结构图。
具体实施方式
32.为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
33.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
34.本技术实施例提供一种发光基板及显示装置，以提高发光组件的出光效率。
35.本技术实施例的第一方面，提供一种发光基板，图1为本技术实施例提供的一种发光基板的示意性结构图。如图1所示，本技术实施例提供的发光基板，包括：发光组件10，包括多个发光单元100，发光单元100包括阳极110，依次叠层设置于阳极110上的发光层120和阴极130；至少一个调光组件20，设置于阴极130远离发光层120的一侧，调光组件20包括第一电极层210和第二电极层220和夹设于第一电极层210和第二电极层220之间的液晶层230；其中，调光组件20用于对发光组件10所发出的光线进行聚光调节。
36.具体地，在本实施例中，因液晶分子具有介电各向异性，当液晶层230中的液晶分子处于电极层210和电极层220所形成的电场中时，液晶分子有沿第一电极层210和第二电极层220所形成的电场的电场方向取向或与电场方向垂直取向的趋势，其中，液晶层230内的液晶分子的倾角满足公式：
[0037][0038]
其中，表示电场强度矢量，表示电位移矢量，k
11
表示液晶分子的扩张弹性系数，k
22
表示液晶分子的扭曲弹性系数，k
33
表示液晶分子的弯曲弹性系数，表示液晶分子不同位置上取向的平均方向。根据上述公式，可获得液晶层230内的液晶分子的指向矢的倾角分布，其后，根据获得的液晶层230内的液晶分子的指向矢的倾角分布，以及液晶层230内任一位置的有效折射率的计算公式：
[0039][0040]
其中，no表示寻常光折射率，ne表示非寻常光折射率，θ表示液晶指向矢倾角，从而可得到液晶层230内任一位置的有效折射率。
[0041]
在本实施例中，液晶层230中的液晶分子的指向矢的倾角分布受第一电极层210和第二电极层220所形成的电场的影响，可理解地，当第一电极层210和第二电极层220所形成的电场在不同区域具有不同的电场强度时，相对应地，位于不同电场区域内的液晶分子也具有不同的指向矢的倾角分布，因此，液晶层230的不同区域的折射率不同，即具有与第一电极层210和第二电极层220所形成的电场的电场分布所对应的折射率分布，通过对电极层210和电极层220所形成的电场的电场分布进行调整，可实现对液晶层230的折射率分布的对应调整。
[0042]
根据上述分析，本实施例中，通过在发光组件10的出光侧设置有调光组件20，调光组件20中第一电极层210和第二电极层220所形成的电场可对液晶层230的折射率分布进行
调整，进而可以实现对不同的发光单元100所发出的光线进行聚光调节，以避免因发光单元100的边缘光线的损失，所导致发光基板的出光效率较低，从而可以有效地提高发光基板的出光效率。
[0043]
需说明的是，在本实施例中，发光组件10包括有多个发光单元100，且多个发光单元100呈阵列排布，每一发光单元100具有其对应的阳极110，可通过对阳极110的控制实现对每一发光单元100的单独发光控制。当在发光组件10的出光侧，即阴极130侧设置有调光组件20，以对发光组件10中的多个发光单元100进行光线的聚光调节时，调光组件20可以是单个也可以是多个，当调光组件20为单个时，即采用单个调光组件20对多个发光单元100进行统一的聚光调节，而当调光组件20为多个时，多个调光组件20呈阵列排布，且每一调光组件20至少对应有一个发光单元，例如，若发光单元100的数目为100，调光组件20的数目为100，每一调光组件20对应一个发光单元，若发光单元100的数目为100，调光组件20的数目为20，则每一调光组件20对应5个发光单元，若发光单元100的数目为100，调光组件20的数目为1，则调光组件20对应100个发光单元。
[0044]
在一些实施方式中，夹设于第一电极层210和第二电极层220之间的液晶层230具有沿边缘区域至中心区域依次增强的折射率分布。
[0045]
可理解地，当液晶层230具有沿边缘区域至中心区域依次增强的折射率分布时，液晶层230即相当于一个凸透镜，能够对发光单元100所发出的光线进行聚光，从而使得发光单元100的边缘所发出的光线能够得以利用，避免因发光单元100的边缘所发出的光线的损失所导致的出光效率降低，进而可以有效地提升发光基板的出光效率，同时，经过聚光处理后的光线的纯度也得以提升。
[0046]
具体地，液晶层130的折射率分布的范围为1.3-2.0。
[0047]
在本实施例中，液晶层230的折射率分布的范围与第一电极层210和第二电极层220所形成的电场分布和液晶层230内的液晶分子的性能相关，当液晶层230的折射率分布范围为1.3-2.0时，能够对发光单元100所发出的光线起到较为明显的聚光调节作用。优选地，液晶层230的折射率分布的范围为1.5-1.75。
[0048]
在一些实施方式中，调光组件20在发光组件10上的正投影覆盖发光单元100。
[0049]
在本实施例中，将调光组件20在发光组件10上的正投影覆盖发光单元100，即可以确保每一发光单元100所发出的光线都能受到调光组件20的有效调节，特别是发光单元100的边缘位置所发出的光线，从而可避免发光单元100所发出的光线的损失，有效地提升发光基板的出光效率。
[0050]
其中，当调光组件20为单个时，即如图1中所示，单个的调光组件20位于发光组件10的一侧，通过单个的调光组件20对发光组件10所包括的多个发光单元100所发出的光线进行聚光调节。
[0051]
当调光组件20为多个时，即如图2中所示，发光组件10包括有多个呈阵列排布的发光单元100，调光组件20也为多个且呈阵列排布，每一调光组件20对单一的发光单元100所发出的光线进行聚光调节。其中，发光单元100可根据发光颜色的不同划分为发红光的发光单元100、发蓝光的发光单元100以及发绿光的发光单元100，一般而言，发红光的发光单元100和发绿光的发光单元100的发光效率要高于发蓝光的发光单元100，通过设置于发光单元100的出光侧的调光组件20，可针对性的对具有不同的发光效率的发光单元100进行单独
的光线的聚光调节，以避免在对具有不同的发光效率的发光单元100进行统一聚光调节的过程中，仅有部分的发光单元100的出光效率得以改善，仍存在有部分的发光单元100的出光效率难以得到明显改善，从而导致发光基板的整体出光效率仍难以有效地提高。
[0052]
进一步地，在本实施例中，通过对调光组件20内的第一电极层210和第二电极层220之间的电压差的调节可形成具有不同电场分布的电场，因电场的电场分布不同，液晶层230的折射率分布也不同，例如，液晶层230的折射率范围可以是1.5-1.65、1.4-1.55或是1.5-1.7等，即可通过调整第一电极层210和第二电极层220所形成的电场的电场分布情况，得到具有不同折射率范围的液晶层230，进而可针对性的对不同发光单元100施加不同程度的聚光调节。
[0053]
在一些实施方式中，第一电极层210靠近阴极130设置，第二电极层220远离阴极130设置，第二电极层220包括第一子电极221和围绕第一子电极221设置的第二子电极222，第一子电极221与第二子电极222相连接，且第一子电极221的电导率小于第二子电极222的电导率，第一子电极221在发光组件10上的正投影覆盖发光单元100，其中，第一电极层210接入有第一电压信号，第二电极层接入有第二电压信号，第一电压信号与第二电压信号之间具有电压差，以使液晶层230具有沿边缘区域至中心区域依次增强的折射率分布。
[0054]
示例性的，如图3所示，第二电极层220包括第一子电极221和围绕第一子电极221设置的第二子电极222，第一子电极221与第二子电极222相连接，其中，第一子电极221用于与第一电极层210之间形成沿液晶层230的边缘区域至中心区域依次减弱的电场分布，第二子电极222用于传输接入的第二电压信号，因第一子电极221和第二子电极222的作用不同，故对第一子电极221的电阻率与第二子电极222的电阻率的要求也不同，在本实施例中，第二子电极222的电阻率要尽可能的小，以准确对第一子电极221传输第一电压信号，而第一子电极221则需要具有较高的电阻率，以利于与第一电极层210之间形成沿液晶层230的边缘区域至中心区域依次减弱的电场分布。
[0055]
具体地，在本实施例中，因第一子电极221的电导率较小，即电阻较大，其作用相当于多个串联电阻，第二电压信号在第一子电极221中传递时，会发生明显的损耗，使得从第一子电极221的边缘区域至第一子电极221的中心区域的电压逐步减小，故第一子电极221与第一电极层210之间的电压差具有明显的差异，在本实施例中，第一电极层210可以是接地设置，第一电极层210所接入的第一电压信号为0v电压信号，第二电极层220所接入的第二电压信号可以是正压信号。
[0056]
因此，在本实施例中，液晶层230具有沿边缘区域至中心区域依次增强的折射率分布，可将液晶层230视为凸透镜，具有聚光效果，可对发光单元100所发出的光线进行聚光调节，以提升发光基板的技术效果。
[0057]
在一些实施例中，第一子电极221的透过率大于90％，且方块电阻介于50欧-500兆欧。
[0058]
可理解地，若第一子电极221的透过率过低，则会直接导致光线在通过第一子电极221时受到损失，进而导致发光基板的出光效率难以提升，本实施例中，选用的第一子电极221的透过率需大于90％，从而尽可能的避免发光单元100所发出的光线在经过第一子电极221时受到损失。
[0059]
同时，第一子电极221的方块电阻介于50欧至500兆欧之间，且在不同的发光基板
中第一子电极221的电阻率的设置可根据实际的需求进行对应匹配，在本技术中不另做详细说明。其中，方块电阻是指第一子电极221的相对的两个边之间的电阻，通过方块电阻可对第一子电极221的导电性进行评价。
[0060]
在一些实施例中，第一子电极221的材料包括氧化锌。
[0061]
在本实施例中，所采用的氧化锌薄膜在可见光范围内的光透射率高达90％，可用作透明电极，同时，氧化锌薄膜具有高的电阻率，其作用可相当于多个串联电阻，使得液晶层230具有折射率分布，可充当凸透镜对发光单元100所发出的光线进行聚光调节，从而有效地提升出光效率。
[0062]
在一些实施例中，如图4或图5中所示，第二电极层220还包括有第三子电极223，其中，第三子电极223设置于第二子电极222靠近液晶层230的一侧，第三子电极223在第二子电极222上的正投影覆盖第二子电极222，且第三子电极223与第一子电极221相连接，第三子电极223的电导率小于第二子电极222的电导率。
[0063]
在本实施例中，因第二子电极222与第一子电极221的电导率存在有明显差异，会导致第一子电极221与第二子电极222相接触的位置，电场的变化较为明显，为了使第一电极层210与第二电极层220之间的电场分布的均匀性得以提升，第三子电极223在第二子电极222上的正投影需覆盖第二子电极222，且第三子电极223与第一子电极221相连接，从而可使得在第二子电极222与第一子电极221相接触的位置，电场的变化较为平缓。
[0064]
因此，通过在第二子电极222靠近液晶层230的一侧设置有第三子电极223，第三子电极223可使液晶层230内的电场分布的连续性得到改善，使得液晶层230得折射率呈梯度式抛物线型分布，即液晶层230的中心区域的折射率大于液晶层230的边缘区域的折射率，同时，通过设置第三子电极223还可降低调控液晶层230的折射率分布的驱动电路的难度。
[0065]
其中，第三子电极223的透过率大于90％，且方块电阻介于50欧-500兆欧。
[0066]
可理解地，在本实施例中，若第三子电极223的透过率过低，则会直接导致发光单元100所发出的光线在通过第三子电极223时受到损失，进而导致发光基板的出光效率难以提升，本实施例中，选用的第三子电极223的透过率需大于90％，从而尽可能地避免发光单元100所发出的光线在经过第三子电极223时受到损失。
[0067]
同时，第三子电极223的方块电阻介于50欧至500兆欧之间，且在不同的发光基板中第三子电极223的方块电阻的设置可根据实际的需求进行对应匹配，在本技术中不另做详细说明。其中，方块电阻是指第三电极223的相对的两个边之间的电阻，通过方块电阻可对第三子电极223的导电性进行评价。
[0068]
需说明的是，在本实施例中，第一子电极221的材料和第三子电极223的材料可以相同，也可以不同，若第一子电极221的材料与第三子电极223的材料相同，则可同一工序中完成第一子电极221和第三子电极223的制备过程，实际效果则如图4中所示，而若第一子电极221的材料与第三子电极223的材料不相同，则不能在同一工序中完成第一子电极221和第三子电极223的制备过程，实际效果则如图5中所示。
[0069]
在一些实施例中，第一子电极221与第三子电极223为一体成型结构，且在垂直于发光基板的方向上，第一子电极221的厚度大于第三子电极223的厚度。
[0070]
示例性的，当第一子电极221的材料与第三子电极223的材料相同时，例如均采用的氧化锌，则可以将第一子电极221和第三子电极223在同一工序中完成制备过程。
[0071]
在一些实施例中，如图6所示，发光基板还包括第三电极层240，第三电极层240设置于第二电极层220远离液晶层230的一侧，第三电极层240在第二电极层220上的正投影至少覆盖部分第一子电极221，且第三电极层240与第二电极层之间还夹设有一介电层，第三电极层240的电导率大于第二电极层的电导率。
[0072]
具体地，在本实施例中，通过在第二电极层220远离液晶层230的一侧加设有第三电极层240，第二电极层220与第三电极层240之间形成电阻电容耦合，从而可以达到平滑液晶层230内的电压分布的目的，进而可以减小液晶层230的折射率分布与理性的抛物线型分布之间的误差，即可实现对液晶层230的折射率分布的精细调整，有利于提升发光基板的出光效率，同时，还可以降低发光基板的色偏。
[0073]
需说明的是，虽图6中并未明显示出，而实际在第三电极层240和第二电极层220之间还设置有一介电层，介电层用于间隔第二电极层220和第三电极层240以形成电容结构，优选地，介电层的材料为二氧化硅。
[0074]
在本实施例中，第三电极层240对液晶层230内的电压分布的平滑效果与多种因素相关，例如，第三电极层240的电阻率，第二电极层220的电阻率，第二电极层220与第三电极层240的间距，第二电极层220与第三电极层240之间的正对面积，以及第二电极层220与第三电极层240之间的介电层的材料的性质等。在实际的应用过程中，可根据实际的需求对所涉及的参数进行对应调整，以达到对液晶层230内的电压分布的平滑效果。
[0075]
其中，第三电极层240的材料的透过率大于90％。
[0076]
在本实施例中，为了尽量减小光线通过第三电极层240时受到损耗，选用透过率大于90％的材料来制作第三电极层240。
[0077]
在一些实施例中，第一电极层210的材料为ito。
[0078]
在本实施例中，选用ito作为第一电极层210的材料，ito作为常用的电极材料具有较好的透过率和较低的方块电阻，且在生产制备中的工艺成熟，有利于降低电极层的制备成本。
[0079]
进一步地，在本实施例中，需说明的是，若调光组件20内的第一电极层210和第二电极层220所形成的电场的电场分布不变，还可以通过调整第一电极层210和第二电极层220之间所夹设的液晶层230的厚度来对液晶层230的折射率分布进行调整，具体地，液晶层230中的液晶分子的指向矢倾角分布与液晶层230的厚度满足公式：
[0080][0081]
其中，k表示液晶弹性系数，θ表示液晶指向矢倾角，z表示垂直于液晶层的方向上的高度，ε0表示真空介电常数，δε表示液晶介电各向异性，u表示电压强度。
[0082]
在本实施例中，当液晶层230的厚度减小后，液晶层230的折射率范围变大，且因第一电极层210和第二电极层220之间的间距得以减小，在形成相同的电场分布的情况下，沿第一电极层210和第二电极层220所形成的电场的电场方向取向或与电场方向垂直取向的液晶分子的数量得以减少，从而有利于降低功耗。
[0083]
优选地，液晶层230的厚度范围为200nm-1000nm，在该厚度范围内，通过对液晶层230的折射率分布进行调节，有利于对发光单元100所发出的光线进行聚光调节。
[0084]
在一些实施方式中，如图3至图6所示，发光基板还包括封装层140，封装层140设置
于调光组件20远离发光组件10的一侧，其中，封装层140用于对所制备的发光组件10和调光组件20进行保护，以避免发光组件10和调光组件20受到空气中的水汽或氧气的影响，所导致发光组件10和调光组件20的功能受损，从而有利于提升发光基板的使用寿命。
[0085]
在一些实施方式中，如图7所示，发光基板还包括：光学耦合层150，光学耦合层150设置于第一电极层210与阴极130之间。
[0086]
在本实施例中，添加的光学耦合层150可对发光组件10所包括的多个发光单元100所发出的光线进行调整，即光学耦合层150可与调光组件20相配合，以用于提升发光组件10所发出的光线的出光效率，进而实现发光基板的出光效率的提升。
[0087]
在一些实施方式中，如图8所示，发光单元100还包括位于阳极110和发光层120之间的空穴传输层160，以及位于发光层120与阴极130之间的电子传输层170。
[0088]
其中，空穴传输层160用于提高空穴在发光单元100中的传输速率，电子传输层170用于提高电子在发光单元100中的传输速率，通过在发光单元100内加设有空穴传输层160和电子传输层170，使得发光单元100内的空穴传输速率与电子传输速率达到平衡，有利于提升发光单元100的发光效率。
[0089]
本技术实施例的第二方面，提供一种显示装置，包括：如第一方面所述的发光基板。
[0090]
需要说明的是，本技术实施例提供的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、可穿戴电子设备、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本技术实施例不作具体限定。
[0091]
本技术实施例提供的发光基板，通过在所述发光组件的出光侧设置有所述调光组件，所述调光组件中所述第一电极层和所述第二电极层所形成的电场可对所述液晶层的折射率分布进行调整，进而可以实现对不同的所述发光单元所发出的光线进行聚光调节，以避免因所述发光单元的边缘光线的损失，所导致发光基板的出光效率较低，从而可以有效地提高发光基板的出光效率。
[0092]
需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
[0093]
以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。
[0094]
尽管已描述了本说明书的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本说明书范围的所有变更和修改。
[0095]
显然，本领域的技术人员可以对本说明书进行各种改动和变型而不脱离本说明书的精神和范围。这样，倘若本说明书的这些修改和变型属于本说明书权利要求及其等同技术的范围之内，则本说明书也意图包含这些改动和变型在内。

技术特征：
1.一种发光基板，其特征在于，包括：发光组件，包括多个发光单元，所述发光单元包括阳极，依次叠层设置于所述阳极上的发光层和阴极；至少一个调光组件，设置于所述阴极远离所述发光层的一侧，所述调光组件包括第一电极层、第二电极层和夹设于所述第一电极层和所述第二电极层之间的液晶层；其中，所述调光组件用于对所述发光组件所发出的光线进行聚光调节。2.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述夹设于所述第一电极层和所述第二电极层之间的所述液晶层具有沿边缘区域至中心区域依次增强的折射率分布。3.根据权利要求2所述的发光基板，其特征在于，所述液晶层的折射率分布的范围为1.3-2.0。4.根据权利要求2所述的发光基板，其特征在于，所述调光组件在所述发光组件上的正投影覆盖所述发光单元。5.根据权利要求4所述的发光基板，其特征在于，所述第一电极层靠近所述阴极设置，所述第二电极层远离所述阴极设置，所述第二电极层包括第一子电极和围绕所述第一子电极设置的第二子电极，所述第一子电极与所述第二子电极相连接，且所述第一子电极的电导率小于所述第二子电极的电导率，所述第一子电极在所述发光组件上的正投影覆盖所述发光单元，其中，所述第一电极层接入有第一电压信号，所述第二电极层接入有第二电压信号，所述第一电压信号与所述第二电压信号之间具有电压差，以使所述液晶层具有沿边缘区域至中心区域依次增强的折射率分布。6.根据权利要求5所述的发光基板，其特征在于，所述第一子电极的透过率大于90％，且方块电阻介于50欧-500兆欧。7.根据权利要求6所述的发光基板，其特征在于，所述第一子电极的材料包括氧化锌。8.根据权利要求5所述的发光基板，其特征在于，所述第二电极层还包括有第三子电极，其中，所述第三子电极设置于所述第二子电极靠近所述液晶层的一侧，所述第三子电极在所述第二子电极上的正投影覆盖所述第二子电极，且所述第三子电极与所述第一子电极相连接，所述第三子电极的电导率小于所述第二子电极的电导率。9.根据权利要求8所述的发光基板，其特征在于，所述第一子电极与所述第三子电极为一体成型结构，且在垂直于所述发光基板的方向上，所述第一子电极的厚度大于所述第三子电极的厚度。10.根据权利要求8所述的发光基板，其特征在于，所述发光基板还包括第三电极层，所述第三电极层设置于所述第二电极层远离所述液晶层的一侧，所述第三电极层在所述第二电极层上的正投影至少覆盖部分所述第一子电极，且所述第三电极层与所述第二电极层之间还夹设有一介电层，所述第三电极层的电导率大于所述第二电极层的电导率。11.根据权利要求10所述的发光基板，其特征在于，所述第三电极层的材料的透过率大于90％。12.根据权利要求1-11中任一所述的发光基板，其特征在于，所述液晶层的厚度范围200nm-1000nm。13.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-12中任一项所述的发光基板。

技术总结
本申请公开一种发光基板及显示装置，发光基板，包括：发光组件，包括多个发光单元，所述发光单元包括阳极，依次叠层设置于所述阳极上的发光层和阴极；至少一个调光组件，设置于所述阴极远离所述发光层的一侧，所述调光组件包括第一电极层、第二电极层和夹设于所述第一电极层和所述第二电极层之间的液晶层；其中，所述调光组件用于对所述发光组件所发出的光线进行聚光调节。进行聚光调节。进行聚光调节。


技术研发人员：黄志宇 汪顺 韩城 杨炳伟 高昊 袁颖奇 邓文瑞 王乐 徐博
受保护的技术使用者：成都京东方光电科技有限公司
技术研发日：2023.06.16
技术公布日：2023/8/31