一种碳化硅纳米线的制备方法与流程

1.本发明属于纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅纳米线的制备方法。


背景技术：

2.sic是一种具有优异机械性能、良好耐高温性能、突出化学稳定性能以及一定光学性能和电学性能的陶瓷材料，在电子电力、能源、化工、微电子、航空航天、半导体、核工业、国防军工等众多领域有着广泛的应用。sic
nw
作为sic的一种一维纳米形态，除了其本身固有的优异性能之外，还拥有量子效应赋予的独特性能：较高的抗弯强度、优异的场发射性能、良好的吸波性能、出色的电化学储能性能以及独特的光致发光特性，从而使其在复合材料增强、微电子器件、吸波器件、超级电容器、柔性电子、智能穿戴以及发光二极管领域有着广泛的应用前景。鉴于sic
nw
优异的性能，研究人员展开了大量合成研究，目前其合成工艺主要包括化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、有机硅裂解法、模板生长法和电弧放电法等。
3.化学气相沉积法以含c和si的气相物质作为反应的前驱体，在高温条件下发生分解、反应并沉积在温度较低的基体表面，从而获得sic
nw
，虽然此工艺合成的sic
nw
纯度较高，但是该工艺对设备和操作要求高，同时使用的气相前驱物（如三氯甲基硅烷，mts）价格昂贵。
4.溶胶-凝胶法是将前驱物进行一系列的水解反应与缩合反应后，获得溶胶，之后将通过干燥获得的凝胶在高温条件下焙烧，从而获得sic
nw
，但是获得稳定、均一的碳硅混合物，依旧是困扰研究人员的重要问题。
5.有机硅裂解法是将有机物前驱体，如聚碳硅烷（pcs）、聚硅氮烷等，与金属催化剂混合后，通过干燥、高温烧结，获得sic
nw
，但是该方法使用的前驱体价格十分昂贵，同时金属催化剂的使用导致得到的产物中存在相当量的杂质。
6.模板生长法采用具有纳米线形貌的前驱体模板，与含有c或者si的前驱物反应生成sic，常用的模板有碳纳米管、碳纳米线、硅纳米线等，该方法对原料要求高，制备工艺较为复杂，合成的产物形貌、尺寸受模板的限制。
7.电弧放电法则是以将sic混入金属块体中制备成阳极，将石墨作为阴极，在进行电弧放电的过程中，阳极产生高温，sic在此过程中分解，并在反应腔内壁沉积sic
nw
，但是放电过程中阳极温度过高，导致反应腔，常常是石英管，有一部分参与反应，得到的产物纯度较低，而且此工艺对设备要求高，制备工艺复杂，产物产量低。
8.综上，针对现有技中纳米材料的制备方法工艺复杂、设备要求高、原料要求高的诸多问题，本领域技术人员一直在不断的进行技术更新和改进工作。


技术实现要素：

9.针对上述现有技术中存在的不足之处，本发明提供了一种碳化硅纳米线的制备方法。其目的是为了实现产物纯度高，合成成本低，对设备要求低，而且制备工艺简单易操作的发明目的。
10.本发明为实现上述目的所采用的技术方案是：一种碳化硅纳米线的制备方法，包括以下步骤：步骤1.预处理：将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃-100℃恒温2-6h，以除去坩埚及原料粉体中的水分；将原料粉体按比例混合均匀；其中，原料粉体容积率为5%-50%，每克原料粉体对应提供石墨板面积10-100cm2；步骤2.装料：将混合后的原料按比例置入坩埚中，在物料上方平铺石墨板，盖上坩埚盖后，将坩埚置入在反应炉中，使用惰性气体进行洗气；步骤3.反应：设置升温程序，通入反应气氛 ，待反应体系升温，并发生高温反应；步骤4.收集产物：待反应体系降温至室温后，开启反应炉，取出坩埚中的石墨片，将石墨片表面形成的纤维层取下，即得碳化硅纳米线sic
nw
。
11.进一步的，所述原料粉体包括硅粉si和/或碳粉c。
12.进一步的，所述原料粉体混合摩尔比为：si:c=1:(0-0.9)。
13.进一步的，所述将混合后的原料按比例置入坩埚中，其中：原料占坩埚容积的5%-50%。
14.进一步的，所述洗气，是将反应炉抽取真空，并维持真空3-10min后通入惰性气体至0.8-1atm，之后再次抽取真空，并重复抽真空-维持真空-通入惰性气体三次。
15.进一步的，所述惰性气体为高纯惰性气体。
16.进一步的，所述高纯惰性气体为高纯氩或高纯氦。
17.进一步的，所述高纯惰性气体的纯度≥99.9%。
18.进一步的，所述高温反应的温度为1400-1900℃，恒温0.5-4h。
19.进一步的，所述反应气氛为1%-10%的co。
20.本发明具有以下有益效果及优点：本发明碳化硅纳米线的制备方法，无需使用mts、pcs等价格昂贵的有机硅烷作为反应前驱体，避免了金属催化剂的使用，也免去了杂质的引入，并且获得的产物纯度较高。
21.本发明的纳米线形貌是在合成过程中生成的，不需要碳纳米线等模板剂的使用，合成成本较低。并且，本发明使用的原料价格低廉，对设备要求低，常见的高温反应炉即可满足使用需求，而且制备工艺简单易操作，使生产成本得到显著的提高。
附图说明
22.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本发明所依据化学反应的热力学计算结果图；图2为本发明实施例1反应后得到的石墨片的数码图；图3为本发明实施例1所得sic
nw
的sem图；图4为本发明实施例2所得sic
nw
的sem图；图5为本发明实施例1-3所得sic
nw
的xrd图谱。
具体实施方式
23.为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面将结合附图和具体
实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
24.在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
25.下面参照图1-图5描述本发明一些实施例的技术方案。
实施例1
26.本发明提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，在具体实施时，是按照以下步骤来实现的：步骤1.预处理：将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃恒温4h，以除去坩埚及原料粉体中的水分；所述原料粉体包括：硅粉si和碳粉c；原料粉体容积率为5%-50%，每克原料粉体对应提供石墨板面积10-100cm2；其中，石墨板为纳米线生长提供位点，原料粉体产生硅蒸汽与co发生反应，原料粉体的量以所占坩埚的容积率衡量，原料粉体上方放置石墨板，纳米线生长在石墨板表面，粉体容积率高，石墨板的量降低，相应的提供的生长面积减少；相反的，粉体容积率低，石墨板的量增多，提供的生长面积增大。
27.步骤2.混料：按si:c=1:0.9的摩尔比取硅粉和碳粉两种原料粉体，并混合均匀，待用；步骤3.装料：将混合均匀的原料粉体放入坩埚中，使原料占坩埚容积的25%，并将石墨板平铺在物料上方，盖上坩埚盖后，将坩埚放入反应炉中，使用惰性气体高纯氩（ar，≥99.9%）（氩为ar）进行洗气。
28.洗气程序如下：将反应炉的炉体抽取真空，并维持真空5min后通入高纯氩ar至1atm，随后再次抽取真空，并重复抽真空-维持真空-通入高纯氩ar，反复操作三次；步骤4.反应：设置升温程序，并通入反应气氛，此时设置温度为1500℃，并保持恒温4h，反应气氛为2%的co；步骤5.收集产物：待反应体系降温至室温后，打开反应炉，取出坩埚中的石墨片，将石墨片表面形成的纤维层揭下，即获得到本发明所述的碳化硅纳米线sic
nw
产物。
29.所述反应体系整体为反应炉炉腔内部的体系，具体发生反应的位置为石墨坩埚内部，主要反应是原料粉体高温下产生的硅蒸汽与通入的co气体发生气相反应，生成的纳米线沉积在石墨板的表面。
30.如图1所示，图1为本发明所依据化学反应的热力学计算结果图，从图中可以看到，在高温阶段，本反应的δg＜0，反应能够发生，而log k＞0，即k＞1，反应正向进行。对于本发明所涉及的反应过程：1.加热阶段，硅粉熔化，产生气相硅；2.反应阶段，气相硅与通入的co气体开始反应，生成的sic在石墨片表面凝结成核；3.纳米线生长阶段，反应继续发生，生成的sic在石墨片表面的核上继续沉积、生长，形成纳米线形貌。
31.如图2所示，图2为本发明实施例1反应后得到的石墨片的数码图，从图中可以看出，得到的石墨片表面有一层厚度约1-1.5mm的“白毛”，即在石墨片表面生成的白色碳化硅
纳米线sic
nw
,需要特别说明的是，石墨片的正、反两侧均有该“白毛”的存在，且均能覆盖石墨片90%以上的面积。如图3所示，图3为本发明实施例1所得sic
nw
的sem图。
实施例2
32.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，具体是按照以下步骤来实现的：步骤1.预处理：将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃恒温4h，以除去坩埚及原料粉体中的水分。
33.所述原料粉体为硅粉si；步骤2.装料：将原料硅粉si粉体放入坩埚中，使原料硅粉si粉体占坩埚容积的25%，并将石墨板平铺在物料上方，盖上坩埚盖后，将坩埚放入反应炉中，使用惰性气体高纯氩（≥99.9%）进行洗气。
34.洗气程序如下：将反应炉的炉体抽取真空，并维持真空5min后通入高纯氩至1atm，随后再次抽取真空，并重复抽真空-维持真空-通入高纯氩，反复操作三次；步骤3.反应：设置升温程序，并通入反应气氛，此时设置温度为1500℃，并保持恒温4h，反应气氛为2%的co。
35.步骤4.收集产物：待反应体系降温至室温后，打开反应炉，取出坩埚中的石墨片，将石墨片表面形成的纤维层揭下，即获得到本发明所述的碳化硅纳米线sic
nw
产物。
36.如图4所示，图4为本发明实施例2所得sic
nw
的sem图。
37.参照实施例1和本实施例2中所得到的纳米线形貌可知，二者存在一定的差异，主要体现在实施例1所得到的纳米线直径较细，而本实施例2所得到的纳米线直径较粗，但是二者均有大的长径比，远超过10，长径比=长度(m)/直径(m)，单位为1(即m/m)。导致两个实施例所得到的产物形貌差异的原因在于气相硅的浓度，本发明实施例1采用的物料为摩尔比1:0.9的硅粉和碳粉的混合物，而实施例2为纯硅粉，相同容积率条件下，本实施例2中硅粉的量高于实施例1。同时，在高温反应阶段，物料中部分硅直接与物料中的碳发生反应生成了sic粉体，导致了硅粉的进一步损耗；但同时，sic粉体的生成导致反应结束后坩埚中残余的硅无法很好的形成较大的硅块，方便后续坩埚的清理，从而在气相反应阶段，实施例1中气相硅的浓度低于本实施例2，纳米线的生长受到影响；而本实施例2中的纤维状形貌主要有表面光滑的长直线状和和竹节状两种，推测这主要是炉体升温和恒温过程中，原料中的si逐渐熔化、蒸发形成气相硅，从而使反应发生和即将结束时反应腔中气相硅分压产生变化导致的。
实施例3
38.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，具体是按照以下步骤来实现的：步骤1.预处理：将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃恒温4h，以除去坩埚及原料粉体中的水分。
39.所述原料粉体为硅粉si；步骤2.装料：将原料硅粉si粉体放入坩埚中，使原料硅粉si粉体占坩埚容积的
10%，并将石墨板平铺在物料上方，盖上坩埚盖后，将坩埚放入反应炉中，使用惰性气体高纯氩（≥99.9%）进行洗气。
40.洗气程序如下：将反应炉的炉体抽取真空，并维持真空5min后通入高纯氩ar至1atm，随后再次抽取真空，并重复抽真空-维持真空-通入高纯氩ar，反复操作三次；步骤3.反应：设置升温程序，并通入反应气氛，此时设置温度为1500℃，并保持恒温4h，反应气氛为2%的co。
41.步骤4.收集产物：待反应体系降温至室温后，打开高温反应炉，取出坩埚中的石墨片，将石墨片表面形成的纤维层揭下，即获得到本发明所述的碳化硅纳米线sic
nw
产物。
42.参照实施例1-3和图5所示，图5为本发明实施例1-3所得sic
nw
的xrd图谱，从图中可以看出，3组实施例获得的sic
nw
均在35.6
°
、41.4
°
、60.0
°
、71.8
°
、75.5
°
以及90.0
°
有着明显的衍射峰，它们分别对应于3c-sic（pdf# 29-1129）的(1 1 1)、(2 0 0)、(2 2 0)、(3 1 1)、(2 2 2)以及(4 0 0)晶面，表明本发明得到的sic
nw
为3c多型。
实施例4
43.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，具体是按照以下步骤来实现的：步骤1.预处理：将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃恒温4h，以除去坩埚及原料粉体中的水分。
44.所述原料粉体包括：硅粉si和碳粉c；步骤2.混料：按si:c=1:0.9的摩尔比取硅粉和碳粉两种原料粉体，并混合均匀，待用。
45.步骤3.装料：将混合均匀的原料粉体放入坩埚中，使原料占坩埚容积的25%，并将石墨板平铺在物料上方，盖上坩埚盖后，将坩埚放入反应炉中，使用惰性气体高纯氩（≥99.9%）进行洗气。
46.洗气程序如下：将反应炉的炉体抽取真空，并维持真空5min后通入高纯氩ar至1atm，随后再次抽取真空，并重复抽真空-维持真空-通入高纯氩ar，反复操作三次；步骤4.反应：设置升温程序，并通入反应气氛，此时设置温度为1800℃，并保持恒温0.5h，反应气氛为2%的co；步骤5.收集产物：待反应体系降温至室温后，打开高温反应炉，取出坩埚中的石墨片，将石墨片表面形成的纤维层揭下，即获得到本发明所述的碳化硅纳米线sic
nw
产物。
实施例5
47.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，具体是按照以下步骤来实现的：步骤1.预处理：将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃恒温4h，以除去坩埚及原料粉体中的水分；所述原料粉体包括：硅粉si和碳粉c；步骤2.混料：按si:c=1:0.9的重量份数比取硅粉和碳粉两种原料粉体，并混合均匀，待用；
步骤3.装料：将混合均匀的原料粉体放入坩埚中，使原料占坩埚容积的25%，并将石墨板平铺在物料上方，盖上坩埚盖后，将坩埚放入反应炉中，使用惰性气体高纯氩（≥99.9%）进行洗气；洗气程序如下：将反应炉的炉体抽取真空，并维持真空5min后通入高纯氩ar至1atm，随后再次抽取真空，并重复抽真空-维持真空-通入高纯氩ar，反复操作三次；步骤4.反应：设置升温程序，并通入反应气氛，此时设置温度为1800℃，并保持恒温0.5h，反应气氛为5%的co；反应气氛即反应发生的气体氛围，5%的co即co的摩尔分数/体积分数为5%，剩余95%为惰性气体/平衡气。
48.步骤5.收集产物：待反应体系降温至室温后，打开反应炉，取出坩埚中的石墨片，将石墨片表面形成的纤维层揭下，即获得到本发明所述的碳化硅纳米线sic
nw
产物。
实施例6
49.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，其中，在反应步骤中，设置升温程序，并通入反应气氛，此时设置温度为1400℃，并保持恒温1h，反应气氛为8%的co，其它同实施例1相同。
实施例7
50.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，其中，在反应步骤中，设置升温程序，并通入反应气氛，此时设置温度为1900℃，并保持恒温2h，反应气氛为10%的co，其它同实施例1相同。
实施例8
51.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，其中，在反应步骤中，设置升温程序，并通入反应气氛，此时设置温度为1600℃，并保持恒温4h，反应气氛为1%的co，其它同实施例1相同。
实施例9
52.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，具体是按照以下步骤来实现的：步骤1.预处理：将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃恒温3h，以除去坩埚及原料粉体中的水分；所述原料粉体包括：硅粉si和碳粉c；步骤2.混料：按si:c=1:0.9的摩尔比取硅粉和碳粉两种原料粉体，并混合均匀，待用；步骤3.装料：将混合均匀的原料粉体放入坩埚中，使原料占坩埚容积的10%，并将石墨板平铺在物料上方，盖上坩埚盖后，将坩埚放入反应炉中，使用惰性气体高纯氩（≥99.9%）进行洗气；洗气程序如下：将反应炉的炉体抽取真空，并维持真空5min后通入高纯氩ar至1atm，随后再次抽取真空，并重复抽真空-维持真空-通入高纯氩，反复操作三次；
步骤4.反应：设置升温程序，并通入反应气氛，此时设置温度为1700℃，并保持恒温4h，反应气氛为2%的co；反应气氛即反应发生的气体氛围，2%的co即co的摩尔分数/体积分数为2%，剩余98%为惰性气体/平衡气。
53.步骤5.收集产物：待反应体系降温至室温后，打开反应炉，取出坩埚中的石墨片，将石墨片表面形成的纤维层揭下，即获得到本发明所述的碳化硅纳米线sic
nw
产物。
实施例10
54.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，具体是按照以下步骤来实现的：步骤1.预处理：将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃恒温3h，以除去坩埚及原料粉体中的水分。
55.所述原料粉体为硅粉si；步骤2.装料：将原料粉体为硅粉si放入坩埚中，使原料原料粉体为硅粉si占坩埚容积的10%，并将石墨板平铺在物料上方，盖上坩埚盖后，将坩埚放入反应炉中，使用惰性气体高纯氩ar进行洗气。
56.步骤3.洗气程序如下：将反应炉的炉体抽取真空，并维持真空5min后通入高纯氩ar至1atm，随后再次抽取真空，并重复抽真空-维持真空-通入高纯氩ar，反复操作三次。
57.步骤4.反应：设置升温程序，并通入反应气氛，此时设置温度为1700℃，并保持恒温4h，反应气氛为2%的co；反应气氛即反应发生的气体氛围，2%的co即co的摩尔分数/体积分数为2%，剩余98%为惰性气体/平衡气。
58.步骤5.收集产物：待反应体系降温至室温后，打开反应炉，取出坩埚中的石墨片，将石墨片表面形成的纤维层揭下，即获得到本发明所述的碳化硅纳米线sic
nw
产物。
实施例11
59.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，其中，步骤1中预处理，是将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃恒温5h，以除去坩埚及原料粉体中的水分；步骤4中设置温度为1500℃，并保持恒温2h，反应气氛为2%的co，反应气氛即反应发生的气体氛围，2%的co即co的摩尔分数/体积分数为2%，剩余98%为惰性气体/平衡气，其它同实施例9相同。
实施例12
60.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，其中：步骤3中，装料：是将混合均匀的原料粉体放入坩埚中，使原料占坩埚容积的30%，并将石墨板平铺在物料上方，盖上坩埚盖后，将坩埚放入反应炉中，使用惰性气体高纯氩ar（≥99.9%）进行洗气；步骤4中设置温度为1500℃，并保持恒温3h，反应气氛为2%的co， 反应气氛即反应发生的气体氛围，2%的co即co的摩尔分数/体积分数为2%，剩余98%为惰性气体/平衡气，其它均同实施例9相同。
实施例13
61.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，其中：步骤1中预处理，是将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃恒温6h，以除去坩埚及原料粉体中的水分；步骤3中，装料：是将混合均匀的原料粉体放入坩埚中，使原料占坩埚容积的40%，并将石墨板平铺在物料上方，盖上坩埚盖后，将坩埚放入反应炉中，使用惰性气体高纯氩ar（≥99.9%）进行洗气；步骤4中设置温度为1900℃，并保持恒温3h，反应气氛为2%的co， 反应气氛即反应发生的气体氛围，2%的co即co的摩尔分数/体积分数为2%，剩余98%为惰性气体/平衡气,其它均同实施例9相同。
实施例14
62.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，其中所述原料粉体混合摩尔比为：si:c=1:0.3，其它均同实施例1相同。
实施例15
63.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，其中所述原料粉体混合摩尔比为：si:c=1:0.5，其它均同实施例1相同。
实施例16
64.本发明又提供了一个实施例，是一种碳化硅纳米线的制备方法，其中所述原料粉体混合摩尔比为：si:c=1:0.7，其它均同实施例1相同。
65.在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
66.最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本发明的权利要求保护范围之内。

技术特征：
1.一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征是：包括以下步骤：步骤1.预处理：将坩埚、石墨板和原料粉体置于真空干燥箱中，60℃-100℃恒温2-6h，以除去坩埚及原料粉体中的水分；将原料粉体按比例混合均匀；其中，原料粉体容积率为5%-50%，每克原料粉体对应提供石墨板面积10-100cm2；步骤2.装料：将混合后的原料按比例置入坩埚中，在物料上方平铺石墨板，盖上坩埚盖后，将坩埚置入在反应炉中，使用惰性气体进行洗气；步骤3.反应：设置升温程序，通入反应气氛 ，待反应体系升温，并发生高温反应；步骤4.收集产物：待反应体系降温至室温后，开启反应炉，取出坩埚中的石墨片，将石墨片表面形成的纤维层取下，即得碳化硅纳米线sic
nw
。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征是：所述原料粉体包括硅粉si和/或碳粉c。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征是：所述原料粉体混合摩尔比为：si:c=1:(0-0.9)。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征是：所述将混合后的原料按比例置入坩埚中，其中：原料占坩埚容积的5%-50%。5.根据权利要求1所述的一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征是：所述洗气，是将反应炉抽取真空，并维持真空3-10min后通入惰性气体至0.8-1atm，之后再次抽取真空，并重复抽真空-维持真空-通入惰性气体三次。6.根据权利要求1所述的一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征是：所述惰性气体为高纯惰性气体。7.根据权利要求6所述的一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征是：所述高纯惰性气体为高纯氩或高纯氦。8.根据权利要求6所述的一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征是：所述高纯惰性气体的纯度≥99.9%。9.根据权利要求1所述的一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征是：所述高温反应的温度为1400-1900℃，恒温0.5-4h。10.根据权利要求1所述的一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征是：所述反应气氛为1%-10%的co。

技术总结
本发明属于纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅纳米线的制备方法。本发明包括以下步骤：预处理、装料、反应及收集产物。本发明碳化硅纳米线的制备方法无需使用MTS、PCS等价格昂贵的有机硅烷作为反应前驱体，避免了金属催化剂的使用，也免去了杂质的引入，并且获得的产物纯度较高。本发明的纳米线形貌是在合成过程中生成的，并且使用的原料价格低廉，对设备要求低，常见的高温反应炉即可满足使用需求，制备工艺简单易操作，使生产成本得到显著的提高。的提高。的提高。


技术研发人员：李响 齐笑言 吴静 吴松羽 李成俊 韩月 杨璐羽 杨滢璇 李海强
受保护的技术使用者：国家电网有限公司
技术研发日：2023.07.13
技术公布日：2023/10/11