多核DSP芯片FT-M6678的BOOT优化方法与流程

多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法
技术领域：
：1.本发明属于信号处理
技术领域：
：，尤其涉及一种多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法。
背景技术：
：：2.目前，ft-m6678芯片采用多核dsp的架构，为国防科技大学完全自主研发，采用28nm工艺，功耗更低，具有高达1ghz处理时钟和8核高速处理能力，使得基于ft-m6678芯片的信号处理能力大大增强。3.dsp的boot过程，就是处理器的自动加载启动过程，即处理器在上电或者复位后，将存储在外部的非易失性存储器中的可执行代码自动加载到内存中，并正确运行程序的过程。多核dsp处理器boot涉及格式转换、程序烧写和自动加载等多个环节，流程比较繁琐，技术也比较复杂。4.无论是ti公司还是国防科大的多核dsp处理器，在利用其提供的工具烧写多核程序的时候，当只是修改某一单核的程序的时候，仍需要提供其他另外其他核编译生成的.out文件，这一过程非常繁琐。并且其中每个核程序里所建的ccs工程具有不同的cmd文件，修改不同的单核的程序便需要单独使用不同的工程。同时m6678虽然内置了一级引导程序rbl(rombootloader)，但是其rbl程序相对简单，无法满足一些较复杂的引导需求，这时便需要二级引导程序的辅助。5.ft-m6678芯片有三种boot方式，分别是noboot、hostboot和slaveboot，slaveboot启动模式包含了emif/spi/i2c/uart多种模式，本地启动通常使用spiboot。spiboot的基本流程是：在ccs中编译好8个核的bootimage程序(生成8个.out文件)，然后通过如图2所示ti提供的.exe工具链，将需要启动的8个应用工程的.out文件转换成bootimage格式且符合ccsloadmemory加载的.dat文件，再用ccs工程将.dat文件烧写到外部flash存储器中。6.使用原本的boot方法有以下几点不足：1)由于每个核的.dat文件在flash中存放的大小和位置均不固定，当需要修改flash中一个核的程序时，仍然需要其他另外7个核的.out文件来一同生成最终烧写的八核.dat文件，使得烧写过程非常繁琐；2)ccs工程里面每一个核的程序都对应着一条不同的cmd程序文件，修改不同核程序时，对应工程的的cmd文件也不一致，每个核的程序都需要使用不同的工程，程序兼容性差。为了解决dsp在flash上的多核烧写过程复杂繁琐，多核工程不统一的技术缺陷，亟需设计一种新的dsp的boot优化方法。7.通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：1)修改flash中某一单核程序并将其烧写至flash时，需要另外其他核的程序用工具链一起合并转换后再一并烧写，不能单独烧写单核程序，不够灵活，程序调试不便；2)每个核ccs工程的cmd文件不一致，即不同的核需要使用不同的工程，程序之间的可移植性和兼容性差。技术实现要素：8.针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法。9.本发明是这样实现的，一种多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法，多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法包括：将flash扇区划分固定的地址空间，将每个核的程序存放在所属的地址内，同时修改ccs中的flashprograme烧写程序；编写二级引导程序放在flash前两个sector0-sector1扇区空间；芯片复位时，将后面八核的程序搬移到合适的存储位置，并启动执行各核程序。10.进一步，核0程序放在sector2-sector5地址范围内，核1程序放在sector6-sector9地址范围内；其中，sector2-sector5的扇区空间为0x20000-0x5ffff，sector6-sector9的扇区空间为0x60000-0x9ffff。11.进一步，将每个核对应的dat文件采用循环的方式填充至固定大小，使得每个核的程序最终生成dat占据固定的地址空间；其中，固定大小为256k。12.进一步，修改flashprograme烧写程序，如果是烧写单核程序，则擦除对应的4个扇区并烧写；如果是烧写的8核程序，则擦除2-33共32个扇区并烧写。13.进一步，flash前两个sector0-sector1的扇区空间为0x0-0x1ffff；二级引导程序用于替代芯片内置程序rbl；合适的存储位置为片内共享存储，l2sram。14.进一步，m6678芯片烧写过程包括：固化并开始后，划分flash扇区地址空间，扇区0-扇区1存放引导程序，扇区2-扇区33存放八核程序；将二级引导程序烧写到flash前两个扇区，并判断是否烧写八核程序；若烧写八核程序，则编译八核程序，将每个核待固化的文件大小填充至256k，得到八核固化文件大小为4m；将填充后的八核程序烧写至flash扇区2-扇区33地址空间并结束；若不烧写八核程序，则修改并编译单核程序，将单核待固化的文件大小填充至256k；将填充后的单核程序烧写至flash对应4个扇区地址空间，结束。15.进一步，m6678芯片启动过程包括：启动并开始后，上电启动，芯片复位；dsp内置程序rbl从spiflash的0x0地址加载二级引导程序并运行；将用户的八核程序从flash内地址搬移到m6678共享内存地址0x0c200000，搬移长度为4m；核0跳转到核0主程序入口地址_c_int00开始执行多核程序并结束。16.进一步，包括以下步骤：17.1)填充需要烧写的dat文件。具体的填充方式是将工具链转换生成的dat文件填充的大小设定为256k，根据dat文件的boottable格式，计算填充的程序段地址、段字节数，然后利用循环程序填充自定义数据。段地址即要搬移填充数据的起始目的地址，芯片启动后将填充的数据搬移到共享内存；18.2)编写二级引导程序。二级引导程序实现的功能是芯片上电复位后，将用户的八核程序搬移到指定的内存地址并运行；19.3)划分flash扇区地址空间。flash存储器每个扇区的大小是64k，所以单个核的程序所占为4个扇区。将前两个扇区的空间存放二级引导程序，之后的32个扇区依次存放我们的八核程序。20.本发明的另一目的在于提供一种计算机设备，计算机设备包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，使得处理器执行所述的多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法的步骤。21.本发明的另一目的在于提供一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，使得处理器执行所述的多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法的步骤。22.本发明的另一目的在于提供一种信息数据处理终端，信息数据处理终端用于执行所述的多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法的步骤。23.结合上述的技术方案和解决的技术问题，本发明所要保护的技术方案所具备的优点及积极效果为：24.第一，针对上述现有技术存在的技术问题以及解决该问题的难度，紧密结合本发明的所要保护的技术方案以及研发过程中结果和数据等，详细、深刻地分析本发明技术方案如何解决的技术问题，解决问题之后带来的一些具备创造性的技术效果。具体描述如下：25.本发明主要针对以m6678为例的多核dsp芯片烧写工程过程繁琐，烧写单核工程时其他核需要重复编译烧写，以及每个核工程cmd不同的问题，提供一种简单易行、灵活性强、修改方便的boot方案。本发明的优点如下：26.1.不同的单核程序可以在同一个ccs工程下面进行修改并编译，不同核工程使用同一个cmd文件，不必再进行修改。27.2.八核程序烧写固化到flash里面后，如果需要修改其中一个核的程序，只需将重新编译的单核程序填充至256k后烧入flash的固定空间，使得程序烧写更加灵活方便。28.3.本发明的优化方法使得m6678芯片boot过程简单，程序更新替换灵活，采用的二级引导程序使得芯片更加可靠地加载运行，缩短了调试周期。29.第二，把技术方案看做一个整体或者从产品的角度，本发明所要保护的技术方案具备的技术效果和优点，具体描述如下：30.本发明提供的多核dsp处理器ft-m6678的boot启动的优化方法及工具，解决了当前多核dsp处理器boot过程复杂、兼容性差的问题，使得dsp在flash上的多核烧写更加具备灵活性和实用性。本发明提供的多核dsp处理器ft-m6678的boot启动的优化方法及工具，解决了当前dsp处理器烧写过程复杂，无法单独烧写单核程序，单核ccs工程cmd文件不一致的问题，使得dsp程序烧写更加方便，程序修改更新灵活，增加了程序的可移植性。31.第三，作为本发明的权利要求的创造性辅助证据，还体现在以下几个重要方面：32.本发明的技术方案解决了人们一直渴望解决、但始终未能获得成功的技术难题：dsp处理器被广泛用于红外探测、航空航天、雷达预警等领域的信号处理，程序在dsp上开发成熟后，都需要脱离仿真器上电自动加载。为了项目测试，程序的更新烧写便非常频繁和重要，但在当前实际的项目应用中，dsp烧写多核程序步骤非常复杂，不能单独烧写单核程序，多核程序的兼容性差。本发明方案可以极大地减少dsp程序烧写步骤，缩短调试周期。附图说明33.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下还可以根据这些附图获得其他的附图。34.图1是本发明实施例提供的多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法流程图；35.图2是本发明实施例提供的格式转换工具链示意图；36.图3是本发明实施例提供的boottable格式示意图；37.图4是本发明实施例提供的m6678芯片烧写流程图；38.图5是本发明实施例提供的m6678芯片启动流程图。具体实施方式39.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。40.针对现有技术存在的问题，本发明提供了一种多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法，下面结合附图对本发明作详细的描述。dsp(digitalsignalprocessor)；rbl(rombootloader)。41.如图1所示，本发明实施例提供的多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法包括以下步骤：42.s101，将flash扇区划分固定的地址空间，将每个核的程序存放在所属的地址内，并将每个核对应的dat文件采用循环的方式填充至固定大小；43.s102，修改ccs中的flashprograme烧写程序；如果是单核程序，则擦除4个扇区并烧写；如果是8核程序，则擦除2-33个扇区并烧写；44.s103，编写二级引导程序放在flash前两个sector0-sector1扇区空间；芯片复位时，将后面八核的程序搬移到存储位置并启动执行各核程序。45.具体步骤如下：46.1)填充需要烧写的dat文件。具体的填充方式是将工具链转换生成的dat文件填充的大小设定为256k，根据dat文件的boottable格式，计算填充的程序段地址、段字节数，然后利用循环程序填充自定义数据。段地址即要搬移填充数据的起始目的地址，芯片启动后将填充的数据搬移到共享内存；47.2)编写二级引导程序。二级引导程序实现的功能是芯片上电复位后，将用户的八核程序搬移到指定的内存地址并运行；48.3)划分flash扇区地址空间。flash存储器每个扇区的大小是64k，所以单个核的程序所占为4个扇区。将前两个扇区的空间存放二级引导程序，之后的32个扇区依次存放我们的八核程序。49.如图4所示，本发明实施例提供的m6678芯片烧写过程包括：50.固化并开始后，划分flash扇区地址空间，扇区0-扇区1存放二级引导程序，扇区2-扇区33存放八核程序；将二级引导程序烧写到flash前两个扇区，并判断是否烧写八核程序；若是，则编译八核程序，将每个核待固化的文件大小填充至256k，得到八核固化文件大小为4m；将填充后的八核程序烧写至flash扇区2-扇区33地址空间；若否，则修改并编译单核程序，将单核待固化的文件大小填充至256k；将填充后的单核程序烧写至flash对应4个扇区地址空间。51.如图5所示，本发明实施例提供的m6678芯片启动过程包括：上电启动，芯片复位；dsp内置程序rbl从spiflash的0x0地址加载二级引导程序并运行；将用户的八核程序从flash内地址搬移到m6678共享内存地址0x0c200000，搬移长度为4m；核0跳转到核0主程序入口地址_c_int00开始执行多核程序。52.作为优选实施例，本发明实施例提供的多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法具体包括：53.首先，是将flash扇区划分固定的地址空间，把每个核的程序存放在所属的地址内，例如核0程序放在sector2-sector5(即0x20000-0x5ffff)地址范围内，核1程序放在sector6-sector9(0x60000-0x9ffff)地址范围内，依此类推。为了使得每个核的程序最终生成dat占据固定的地址空间，需要将每个核对应的dat文件采用循环的方式填充至固定大小(例如256k)。至此，每个核的程序在flash中便有了固定的大小和存放地址。同时修改ccs里的flashprograme烧写程序，如果是烧写单核程序，需擦除其对应的4个扇区并烧写；如果是烧写的8核程序，则擦除2-33共32个扇区并烧写。54.然后，编写一段二级引导程序放在flash前两个sector0-sector1扇区空间(0x0-0x1ffff)，这段二级引导程序的主要目的是替代芯片内置程序rombootloader(rbl)，芯片复位时，将后面八核的程序搬移到合适的存储位置(例如：片内共享存储，l2sram等)，然后启动执行各核程序。在此之前则需要将二级引导程序提前烧入flash的前两个扇区地址中。55.附图2表示用国防科大提供的工具链用out文件生成dat文件的过程。具体过程是：56.1)编译运行ccs工程生成out文件；57.2)用hex6x.exe工具将.out文件转换成16进制ascii码文件；58.3)用dat生成工具将16进制ascii码文件转成16进制dat文件；59.4)用ccs格式dat生成工具将16进制dat文件转成ccs可以识别的dat文件。60.附图3表示m6678芯片boottable的格式，也可以理解成dat文件的格式。即存储在flash里面的程序都是以boottable格式存储的。程序被分成许多的段，整个程序包含一个32位头地址和结束标志(32位全0)，然后中间便是若干程序段，每个程序段里都包含了32位段字节数，32位段地址以及要搬移的数据。61.附图4表示采用本发明方案后烧写程序的过程。具体步骤是：62.1)划分flash扇区地址空间，前2个扇区存放二级引导程序，依次往后32个扇区存放八核程序；63.2)将二级引导程序烧进flash前两个扇区；64.3)然后判烧写的是八核程序还是单核程序；65.4)如果要烧写八核程序，则将八核程序合并的dat文件填充到4m，烧至flash的2-33共32个扇区空间；66.5)如果烧写单核程序，将单核程序的dat文件填充到256k，烧至flash对应的4个扇区空间。67.附图5表示芯片上电复位后，dsp搬移和运行程序的过程，具体过程是：68.1)芯片上电复位；69.2)dsp里面内置固化的程序rombootloader把flash存储器里面的二级引导程序搬移到内存中运行；70.3)运行二级引导程序，这段二级引导程序的功能便是把后面的八核程序从flash搬移到内存中运行；71.4)核0启动，并通过中断触发其他核开始执行主程序。72.为了证明本发明的技术方案的创造性和技术价值，该部分是对权利要求技术方案进行具体产品上或相关技术上的应用实施例。73.本发明实施例主要针对以m6678为例的多核dsp芯片烧写工程过程复杂，不能单独烧写单核工程的问题，提供一种简单易行、灵活性强、修改方便的烧写方案。实施例具体如下：74.1)编译八核ccs工程multi_core_0-multi_core_7，分别生成八个out文件；75.2)利用国防科大提供的工具链将八个out文件转换合并成boottable格式的一个dat文件；76.3)通过自行编写的程序将八核程序合并的dat文件填充到4m，每个核填充大小为256k；77.4)烧写二级引导程序至flash前两个扇区地址空间；78.5)烧写八核程序的dat文件至flash的2-33扇区地址空间；79.6)上电启动，程序运行。80.若要修改更新其中某个核(如核3)的程序：81.1)编译修改后核3的ccs工程，生成核3的out文件multi_core_3.out；82.2)利用国防科大提供的工具链将上述out文件转换成boottable格式的multi_core_3.dat；83.3)通过自行编写的程序将上述dat文件填充到256k；84.4)烧写核3程序的dat文件至flash的14-17扇区地址空间。85.从上面的实施例过程可以看出，烧写过程中，每个核程序的需要单独编译，然后分别将各个核的out文件转换生成dat文件，这一过程繁琐且重复。本发明不需要重复编译其他核的程序，也不需要其他核的out文件，可以单独修改单核程序，本发明优化了烧写过程，缩短了调试周期。86.在信号处理领域中，基于fpga+dsp的结构设计已经是系统发展的一个重要方向，其中fpga主要负责数据采集、ad转换、数据传输等功能，dsp主要用算法对fpga采集到的信息进行计算处理，例如目标检测，并行计算等。多核dsp将多个dsp内核集成于一片dsp芯片中，极大地提升了dsp的运算性能，因此在航空航天、电子对抗、目标识别等领域得到广泛的应用。其中，多核dsp的boot过程，即处理器的自动加载启动过程，是dsp开发应用的关键难点之一。由于boot方式和引导设备的多样性，以及多个内核之间的引导需求，因此多核dsp的自动加载启动过程十分复杂。87.本发明实施例则主要针对以m6678为例的多核dsp芯片烧写工程过程繁琐，烧写单核工程时其他核需要重复编译烧写，以及每个核工程cmd不同的问题，提供一种简单易行、灵活性强、修改方便的boot方案。88.本发明是用于解决dsp处理器烧写的过程复杂的问题，故无法列出相关效果证据。现有的单核程序烧写步骤如下，仍以核3为例：89.若要修改更新其中某个核(如核3)的程序：90.1)编译修改后核3的ccs工程，生成核3的out文件multi_core_3.out；91.2)编译其他7核的ccs工程，分别生成7个out文件；92.3)利用国防科大提供的工具链将八个out文件转换合并成boottable格式的一个dat文件；93.4)将八核程序的dat文件烧写至flash存储器。94.从上面的过程可以看出现有的烧写方案有两个重大缺陷：一是烧写单核程序过程重复繁琐，重新编译其他核程序并将八核out合并转换成一个dat文件，这一过程在实际操作中重复且耗时；二是烧写单核程序必须同时要另外几个核的工程，这对于程序调试非常不便。95.ccs编译工程，生成.out文件，.out文件可以被ccs开发环境识别，但是无法直接烧写到外部存储器flash中，需要利用国防科大或者ti提供的批次处理文件进行一系列的格式转换，最后转换成boot程序可以识别的.dat文件。m6678的.dat文件的boottable格式如图3所示：程序是被分成一段一段的方式存储，每一段程序里面则包含了段字节数、段地址以及数据。将.out文件转换成初始的.dat文件后，便利用自行编写的程序将初始.dat文件填充至256k大小。填充的具体方法是根据boottable段的格式，利用循环程序填充自定义数据。boot的时候，将原本的程序搬移到boottable对应的地址，这些填充的数据则搬移到处理器的共享内存地址进行覆盖。相应的类似八个核的程序均进行类似的填充操作。至此，本发明可以保证每个核在外部存储flash中均占有256k的固定地址空间，flash存储程序与扇区地址如表1所示。96.表1flash存储程序与扇区地址97.程序对应flash扇区二级引导sector(0)-sector(1)0-1ffff核0sector(2)-sector(5)0-5ffff核1sector(6)-sector(9)60000-9ffff核2sector(10)-sector(13)a0000-dffff核3sector(14)-sector(17)e0000-11ffff核4sector(18)-sector(21)120000-15ffff核5sector(22)-sector(25)160000-19ffff核6sector(26)-sector(29)1a0000-1dffff核7sector(30)-sector(33)1e0000-21ffff98.为了解决每个工程.cmd文件不一致的问题，本发明编写了一段二级引导程序，在flash前两个扇区地址空间放置我们的二级引导程序。二级引导程序的主要功能是代替内置的rbl，将后面的八核程序搬移到0x0c2000000处后，启动运行八核程序。具体过程是当dsp处理器上电复位后，内置的rbl程序将二级引导程序搬移到合适的存储位置，再执行二级引导程序，二级引导程序执行结束后，将八核程序搬移到片内共享存储执行八核程序，至此上电启动完成。99.应当注意，本发明的实施方式可以通过硬件、软件或者软件和硬件的结合来实现。硬件部分可以利用专用逻辑来实现；软件部分可以存储在存储器中，由适当的指令执行系统，例如微处理器或者专用设计硬件来执行。本领域的普通技术人员可以理解上述的设备和方法可以使用计算机可执行指令和/或包含在处理器控制代码中来实现，例如在诸如磁盘、cd或dvd-rom的载体介质、诸如只读存储器(固件)的可编程的存储器或者诸如光学或电子信号载体的数据载体上提供了这样的代码。本发明的设备及其模块可以由诸如超大规模集成电路或门阵列、诸如逻辑芯片、晶体管等的半导体、或者诸如现场可编程门阵列、可编程逻辑设备等的可编程硬件设备的硬件电路实现，也可以用由各种类型的处理器执行的软件实现，也可以由上述硬件电路和软件的结合例如固件来实现。100.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本发明领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，都应涵盖在本发明的保护范围之内。当前第1页12当前第1页12
技术特征：
1.一种多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法，其特征在于，多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法包括：将flash扇区划分固定的地址空间，将每个核的程序存放在所属的地址内，同时修改ccs中的flashprograme烧写程序；编写二级引导程序放在flash前两个sector0-sector1扇区空间；芯片复位时，将后面八核的程序搬移到合适的存储位置，并启动执行各核程序。2.如权利要求1所述多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法，其特征在于，核0程序放在sector2-sector5地址范围内，核1程序放在sector6-sector9地址范围内；其中，sector2-sector5的扇区空间为0x20000-0x5ffff，sector6-sector9的扇区空间为0x60000-0x9ffff。3.如权利要求1所述多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法，其特征在于，将每个核对应的dat文件采用循环的方式填充至固定大小，使得每个核的程序最终生成dat占据固定的地址空间；其中，固定大小为256k。4.如权利要求1所述多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法，其特征在于，修改flashprograme烧写程序，如果是烧写单核程序，则擦除对应的4个扇区并烧写；如果是烧写的8核程序，则擦除2-33共32个扇区并烧写。5.如权利要求1所述多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法，其特征在于，flash前两个sector0-sector1的扇区空间为0x0-0x1ffff；二级引导程序用于替代芯片内置程序rbl；合适的存储位置为片内共享存储，l2sram。6.如权利要求1所述多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法，其特征在于，m6678芯片烧写过程包括：固化并开始后，划分flash扇区地址空间，扇区0-扇区1存放引导程序，扇区2-扇区33存放八核程序；将二级引导程序烧写到flash前两个扇区，并判断是否烧写八核程序；若烧写八核程序，则编译八核程序，将每个核待固化的文件大小填充至256k，得到八核固化文件大小为4m；将填充后的八核程序烧写至flash扇区2-扇区33地址空间并结束；若不烧写八核程序，则修改并编译单核程序，将单核待固化的文件大小填充至256k；将填充后的单核程序烧写至flash对应4个扇区地址空间，结束；m6678芯片启动过程包括：启动并开始后，上电启动，芯片复位；dsp内置程序rbl从spiflash的0x0地址加载二级引导程序并运行；将用户的八核程序从flash内地址搬移到m6678共享内存地址0x0c200000，搬移长度为4m；核0跳转到核0主程序入口地址_c_int00开始执行多核程序并结束。7.如权利要求1所述多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法，其特征在于，所述多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法包括以下步骤：1)填充需要烧写的dat文件，具体的填充方式是将工具链转换生成的dat文件填充的大小设定为256k，根据dat文件的boottable格式，计算填充的程序段地址、段字节数，然后利用循环程序填充自定义数据，段地址即要搬移填充数据的起始目的地址，芯片启动后将填充的数据搬移到共享内存；2)编写二级引导程序，二级引导程序实现的功能是芯片上电复位后，将用户的八核程序搬移到指定的内存地址并运行；3)划分flash扇区地址空间，flash存储器每个扇区的大小是64k，所以单个核的程序所占为4个扇区，将前两个扇区的空间存放二级引导程序，之后的32个扇区依次存放我们的八
核程序。8.一种计算机设备，其特征在于，计算机设备包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，使得处理器执行如权利要求1～7任意一项所述多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法的步骤。9.一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，使得处理器执行如权利要求1～7任意一项所述多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法的步骤。10.一种信息数据处理终端，其特征在于，信息数据处理终端用于执行如权利要求1～7任意一项所述多核dsp芯片ft-m6678的boot优化方法的步骤。

技术总结
本发明属于数字信号处理技术领域，公开了一种多核DSP芯片FT-M6678的BOOT优化方法，将flash扇区划分固定的地址空间，将每个核填充到对应固定大小后的程序存放在所属的地址内；编写二级引导程序放在flash前两个sector0-sector1扇区空间；芯片复位时，将后面八核的程序搬移到合适的内存位置，并启动执行各核程序。本发明的优化方法使得M6678芯片BOOT过程简单，程序更新替换灵活，采用的二级引导程序使得芯片更加可靠地加载运行，缩短了调试周期；不同的单核程序可以在同一个CCS工程下面进行修改并编译，不同核程序使用同一个cmd文件，不必再进行修改。不必再进行修改。不必再进行修改。


技术研发人员：黄臻 张湧
受保护的技术使用者：上海济物光电技术有限公司
技术研发日：2023.03.31
技术公布日：2023/7/22