一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构的制作方法

1.本实用新型涉及芯片封装领域，更具体地，涉及一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构。


背景技术：

2.引线框架是集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，起到了和外部导线连接的桥梁作用。
3.如图1所示为现有的引线框架结构，该结构的引线框架存在以下两个问题：
4.1、塑封料分层吸水导致器件失效；塑封料的主要成分为环氧树脂，酚醛树脂，固化剂等，而引线框架的主要成分为金属键合材料，二者属于不同的物质，因此有着差异较大的热膨胀系数。当在高温高压下进行固化成型时，塑封料与引线框架不能完全贴合，存在着分层区域，能够进入水汽，可能会导致引线框架形成低阻通路，影响封装的可靠性和使用寿命问题。
5.2、图1中金属片101部分容易出现涡流效应：若块状金属被放入变化的磁场中，或在非均匀的磁场中运动，则在该金属内会产生感应电动势，由于金属的电阻很小，因而即使感应电动势不很大，也能引起强大的电流。这种电流在金属内沿着一个一个闭合回路流动，像河水中的旋涡，因此被称为涡旋电流，简称涡流。
6.由于线性霍尔集成电路是利用霍尔效应测量磁场强度的元器件，在实际使用时常常处于变化的磁场中。而图1中为结构简单的一整片金属片101，在实际使用中易出现涡流效应，产生发热现象，进而导致器件的响应时间变慢。


技术实现要素：

7.针对现有技术存在的不足，本实用新型实施例的目的在于提供一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，解决塑封料在包封中与引线框架分层的问题，以及解决引线框架的金属片易产生涡流效应的问题。
8.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
9.一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，包括位于芯片一端的引线框架，所述引线框架上设置有辅助封装结构，以及和辅助封装结构相邻设置的开口结构。
10.作为本实用新型进一步的方案，所述芯片设置有若干个所述引线框架。
11.作为本实用新型进一步的方案，所述辅助封装结构为孔状结构。
12.作为本实用新型进一步的方案，所述开口结构为u型槽。
13.作为本实用新型进一步的方案，所述引线框架上设置有若干个间隔设置的孔状结构，在每个孔状结构相邻位置设置有u型槽。
14.作为本实用新型进一步的方案，所述引线框架上设置两个孔状结构，在两个孔状结构之间设置有一u型槽。
15.作为本实用新型进一步的方案，所述孔状结构的宽度范围为0.28-0.48mm，长度范围为1.37-1.77mm。
16.作为本实用新型进一步的方案，所述u型槽的宽度范围为0.5-0.7mm，长度范围为1.45-1.85mm。
17.作为本实用新型进一步的方案，所述u型槽的开口部位于引线框架的上端。
18.作为本实用新型进一步的方案，若干个孔状结构沿x轴排列设置或者沿y轴排列设置。
19.本实用新型具有以下有益效果：
20.1、通过在引线框架上设置两个孔状结构(跑道孔)，解决了塑封料吸水、塑封料和框架分层等问题。增加跑道孔可以提高引线框架与塑封料的结合度。当进行封装时，塑封料会充满跑道孔，贯通引线框架上下，阻挡了水汽的进入，解决了塑封料和框架分层、塑封料吸水等在线性霍尔器件中常见的可靠性问题，从而进一步地延长了引线框架的寿命。
21.2、通过在引线框架设置一个u型槽，开口在引线框架的顶部，解决了涡轮效应导致响应时间变慢的问题。增加u型槽打破了原本整片金属片的规则形状，将一个大的矩形区域拆分为两个小的矩形区域，缩小了能够产生环形涡流的面积，减小了感应电流的电流大小，降低了涡流效应对器件带来的影响，提高了器件的响应速度。
22.为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
23.图1为目前常见的引线框架结构示意图。
24.图2为本实用新型提供的一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构的结构示意图。
25.图3为本实用新型提到的u型槽工作原理示意图。
具体实施方式
26.下面将结合附图和有关知识对本实用新型作出进一步的说明，进行清楚、完整地描述，显然，所描述的应用仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。
27.实施例1
28.参照图2所示，一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，包括位于芯片1一端的引线框架2，引线框架2上设置有辅助封装结构，以及和辅助封装结构相邻设置的开口结构。
29.在本实施例中，芯片1一端设置有一个引线框架2。辅助封装结构为孔状结构3，开口结构为u型槽4，在其他的实施例中也可以为其他形状的开口结构。
30.在本实施例中，引线框架2上设置有若干个间隔设置的孔状结构3，在每个孔状结构相邻位置设置有u型槽4，进一步优选，引线框架2上设置两个孔状结构3，还可以为三个及以上的孔状结构3，在两个孔状结构之间设置有一u型槽4，该位置为优选位置，还可以设置在两个孔状结构一侧，以及还可以包括两个及以上的u型槽，如果为两个u型槽，则可以与两个孔状结构3之间间隔设置。u型槽的开口部位于引线框架的上端。
31.两个孔状结构3沿x轴排列设置或者沿y轴排列设置，优选沿x轴排列设置。在图2中是本实施例的优选排列方式。
32.实施例2
33.一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，包括位于芯片一端的引线框架2，引线框架2上预留2个防止分层的孔状结构3(跑道孔)，以及和跑道孔相邻设置的1个减小涡流效应的u型槽4。参照图2所示，u型槽4位于2个跑道孔之间。
34.在本实施例中，跑道孔的宽度范围为0.28-0.48mm，优选为0.38mm，长度范围为1.37-1.77mm，优选为1.57mm。通过增加两个跑道孔，解决了塑封料吸水、塑封料和框架分层等问题。增加跑道孔可以提高引线框架2与塑封料的结合度。当进行封装时，塑封料会充满跑道孔，贯通引线框架上下，阻挡了水汽的进入，解决了塑封料和框架分层、塑封料吸水等在线性霍尔器件中常见的可靠性问题，从而进一步地延长了引线框架的寿命。
35.在本实施例中，参照图2所示，u型槽4的尺寸优选为0.60mm*1.65mm，u型槽的宽度范围为0.5-0.7mm，优选为0.6mm，长度范围为1.45-1.85mm，优选为1.65mm。u型槽4的开口在引线框架2的顶部，解决了涡轮效应导致响应时间变慢的问题。参照图3所示，通过增加u型槽4打破了原本整片金属片的规则形状，将一个大的矩形区域拆分为两个小的矩形区域，缩小了能够产生环形涡流的面积，减小了感应电流的电流大小，降低了涡流效应对器件带来的影响，提高了器件的响应速度。
36.以上结合具体实施例描述了本实用新型的技术原理，仅是本实用新型的优选实施方式。本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本实用新型的其它具体实施方式，这些方式都将落入本实用新型的保护范围之内。

技术特征：
1.一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，其特征在于，包括：用于承载芯片的引线框架，所述引线框架上设置有辅助封装结构，以及和辅助封装结构相邻设置的开口结构。2.如权利要求1所述的一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，其特征在于，所述芯片设置有若干个所述引线框架。3.如权利要求1所述的一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，其特征在于，所述辅助封装结构为孔状结构。4.如权利要求3所述的一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，其特征在于，所述开口结构为u型槽。5.如权利要求4所述的一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，其特征在于，所述引线框架上设置有若干个间隔设置的孔状结构。6.如权利要求5所述的一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，其特征在于，所述引线框架上设置两个孔状结构，在两个孔状结构之间设置有一u型槽。7.如权利要求5所述的一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，其特征在于，所述孔状结构的宽度范围为0.28-0.48mm，长度范围为1.37-1.77mm。8.如权利要求5所述的一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，其特征在于，所述u型槽的宽度范围为0.5-0.7mm，长度范围为1.45-1.85mm。9.如权利要求5所述的一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，其特征在于，所述u型槽的开口部位于引线框架的上端。10.如权利要求5所述的一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，其特征在于，若干个孔状结构沿x轴排列设置或者沿y轴排列设置。

技术总结
本实用新型公开了一种高可靠快速响应线性霍尔封装框架结构，包括位于芯片一端的引线框架，所述引线框架上设置有辅助封装结构，以及和辅助封装结构相邻设置的开口结构，本实用新型解决了塑封料在包封中与引线框架分层的问题，以及解决了引线框架的金属片易产生涡流效应的问题。效应的问题。效应的问题。


技术研发人员：徐梦菡 胡枭 白宏伟
受保护的技术使用者：上海传泰电子科技有限公司
技术研发日：2023.03.15
技术公布日：2023/7/28