基片处理方法和基片处理装置与流程

1.本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。


背景技术：

2.在专利文献1所公开的蚀刻装置的清洁方法中，在每当蚀刻一个具有金属膜的试样时，调换仿真基片和试样。在该方法中，通过成为第一步骤的氧与四氟化碳的等离子体处理除去碳系物质的沉积物，通过成为第二步骤的三氯化硼与氯的等离子体处理来除去没能够在第一步骤中除去的残留物和金属膜，进行真空容器内的清洁。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2006-237432号公报


技术实现要素：

6.发明要解决的技术问题
7.本发明所涉及的技术抑制生产率的恶化，并且将在蚀刻基片表面的钼膜时产生的反应生成物除去。
8.用于解决技术问题的技术方案
9.本发明的一个方式是对多个基片按每个上述基片依次进行处理的基片处理方法，上述基片在表面具有钼膜，上述基片处理方法包括：(a)将上述基片送入处理容器的内部并载置到载置台的步骤；(b)在上述(a)步骤之后，将含氟的第一处理气体等离子体化而蚀刻上述钼膜的步骤；(c)在上述(b)步骤之后，将含氯的第二处理气体等离子体化而蚀刻上述钼膜的步骤；和(d)在上述(a)步骤与上述(b)步骤之间，在上述处理容器的内部生成上述第一处理气体的等离子体，对上述处理容器的内部进行清洁的步骤，持续进行上述(d)步骤，直至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止。
10.发明效果
11.依照本发明，能够抑制生产率的恶化，并且将在蚀刻基片表面的钼膜时产生的反应生成物除去。
附图说明
12.图1是表示作为本实施方式的基片处理装置的等离子体处理装置的概要结构的纵剖视图。
13.图2是表示作为图1的等离子体处理装置的处理对象的基片的剖视图。
14.图3是用于说明利用图1的等离子体处理装置进行的基片处理的一例的流程图。
15.图4是表示基片处理中的基片的状态的图。
16.图5是表示基片处理中的基片的状态的图。
17.图6是表示在比较例的步骤s3中的利用第一处理气体的等离子体蚀刻钼膜时由发
光监视器检测出的、特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。
18.图7是表示在实施例的步骤s2中的利用第一处理气体进行等离子体的清洁和与步骤s2连续地进行的步骤s3中的利用该等离子体蚀刻钼膜时由发光监视器检测出的、特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。
19.图8是表示在比较例的步骤s4中的利用第二处理气体蚀刻等离子体钼膜时由发光监视器检测出的、特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。
20.图9是表示在实施例中与图8同样地检测出的特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。
21.附图标记说明
22.1等离子体处理装置
23.30载置台
24.c处理容器
25.f1钼膜
26.g玻璃基片
27.u控制部。
具体实施方式
28.在制造液晶显示装置(lcd)等平板显示器(fpd)时，有时利用等离子体对形成于玻璃基片等基片表面的钼(mo)膜进行蚀刻。mo膜的蚀刻在基片载置于基片处理装置的处理容器内的载置台的状态下进行。
29.然而，当对mo膜进行蚀刻时，产生反应生成物。对于一个基片，在mo膜的蚀刻结束后，在该反应生成物残留于处理容器内的状态下，若对下一个基片进行蚀刻，则有时会出现在基片上产生缺陷等问题。因此，实施除去处理容器内的反应生成物的清洁。
30.作为清洁方法，有如下方法：在蚀刻结束后，将处理容器内的基片调换为仿真基片并将其载置到载置台，在该状态下生成清洁用气体的等离子体，除去处理容器内的反应生成物。另外，也存在不使用仿真基片的清洁方法。在该方法中，在将蚀刻后的基片从处理容器送出后，在送入下一个基片之前，生成清洁用气体的等离子体，除去处理容器内的反应生成物。
31.然而，在使用仿真基片的方法中，由于存在通常的产品用的基片与仿真基片的调换所需的时间等，因此生产率恶化。另外，在不使用仿真基片的方法中，由于载置台的基片载置面暴露于等离子体，因此无法提高等离子体的强度，因此处理容器内的反应生成物的除去需要时间。所以，不使用仿真基片的方法在生产率方面也存在改善的余地。
32.因此，本发明所涉及的技术抑制生产率的恶化，并且将在蚀刻基片表面的钼膜时产生的反应生成物除去。
33.以下，参照附图，对本实施方式所涉及的基片处理方法和基片处理装置进行说明。注意，在本说明书和附图中，对于具有实质上相同的功能构成的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
34.《等离子体处理装置1》
35.图1是表示作为本实施方式的基片处理装置的等离子体处理装置的概要结构的纵
剖视图。图2是表示作为图1的等离子体处理装置的处理对象的基片的剖视图。
36.图1的等离子体处理装置1是对多个基片按每个基片依次进行处理的单片式的装置。作为等离子体处理装置1的处理对象的基片是俯视成矩形的玻璃基片g(以下，称为“基片g”)。如图2所示，在基片g的表面形成有钼(mo)膜f1。
37.等离子体处理装置1利用处理气体的等离子体对基片g进行处理，来蚀刻mo膜f1。
38.在本实施方式中，mo膜f1形成于栅极绝缘(gi)膜f2上，被等离子体处理装置1蚀刻以作为栅极电极发挥功能。gi膜f2例如是硅系绝缘膜。在mo膜f1上形成有作为蚀刻掩模的光致抗蚀剂(pr)膜f3。
39.另外，mo膜f1的厚度例如为200nm～300nm。
40.如图1所示，等离子体处理装置1具有有底的方筒形状的容器主体10。容器主体10由导电性材料例如铝形成，并电接地。另外，在容器主体10的上表面形成有开口。该开口被与容器主体10绝缘设置的矩形形状的金属窗20气密地封闭，具体而言，被金属窗20和后述的金属框14气密地封闭。由容器主体10和金属窗20包围的空间成为作为等离子体处理的处理对象的基片g在等离子体处理时所处的处理空间k1，金属窗20的上方侧的空间成为配置后述的高频天线(等离子体天线)80的天线室k2。在容器主体10的侧壁设置有用于向处理空间k1内送入送出基片g的送入送出口11和开闭送入送出口11的闸门(gate valve)12。
41.在处理空间k1的下部侧以与金属窗20相对的方式设置有载置台30。载置台30具有其上表面成为载置基片g的基片载置面的台主体31，台主体31经由脚部32设置于容器主体10的底面。
42.台主体31设置有由导电性材料例如铝构成的基部31a和通过静电吸附保持基片g的静电吸盘31b。
43.基部31a经由匹配器40与高频电源41连接。高频电源41将偏置用的高频电功率、例如频率为3.2mhz的高频电功率供给到基部31a。由此，能够将在处理空间k1内生成的等离子体中的离子引入基片g。
44.在容器主体10的底壁形成有排气口13，该排气口13与具有未图示的压力控制阀、真空泵等的排气部50连接。处理空间k1通过该排气部50被减压，在清洁处理、蚀刻处理等的期间能够被维持为规定的压力。排气部50可以分别设置于多个排气口13，也可以共同设置于多个排气口13。
45.在容器主体10的侧壁的上表面侧设置有作为由铝等金属材料形成的矩形形状的框体的金属框14。容器主体10、金属框14和金属窗20构成为能够减压的、用于收纳载置台30的处理容器c。
46.金属窗20例如形成为俯视时的矩形形状。另外，金属窗20作为向处理空间k1供给处理气体的喷淋头发挥功能。例如，在金属窗20形成有向下方释放处理气体的多个气体释放孔21和使处理气体扩散的扩散室22，气体释放孔21与扩散室22连通。
47.扩散室22经由气体供给管60与气体供给源61连接。气体供给管60与气体供给机构62连接。气体供给机构62具有流量调节阀(未图示)、开闭阀(未图示)等，将来自气体供给源61的处理气体等供给到扩散室22。另外，金属窗20通过绝缘部件23而与金属框14电绝缘。
48.而且，在金属窗20的上方侧配置有顶板部70。顶板部70由设置于金属框14上的侧壁部71支承。
49.由上述的金属窗20、侧壁部71和顶板部70包围的空间构成天线室k2，在天线室k2的内部以与金属窗20相面对的方式配置有高频天线80。
50.高频天线80例如隔着由绝缘材料形成的间隔件(未图示)与金属窗20隔开间隔地配置。
51.高频天线80经由匹配器42与作为等离子体生成机构的高频电源43连接。从高频电源43经由匹配器42向高频天线80供给例如13.56mhz的高频电功率。由此，隔着金属窗20在处理空间k1的内部形成感应电场，利用感应电场将从气体释放孔21释放的处理气体等离子体化。
52.而且，在等离子体处理装置1中，在容器主体10的侧壁设置有窗15。另外，等离子体处理装置1与发光监视器90连接，以使得处理容器c的内部的等离子体光经由窗15入射到作为检测器的该发光监视器90。发光监视器90对等离子体光的特定波长的光检测发光强度。发光监视器90的检测结果被输出到后述的控制部u。
53.另外，在等离子体处理装置1中设置有控制部u。控制部u例如是具有cpu等处理器或存储器等的计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保持部中保持有控制利用等离子体处理装置1进行的后述的基片处理的程序。上述程序也可以记录于计算机可读取的存储介质中，从该存储介质被安装到控制部u。另外，上述存储介质可以是暂时性的存储介质，也可以是非暂时性的存储介质。程序的一部分或全部也可以有专用硬件(电路板)来实现。
54.另外，控制部u还对输送基片g并将其对处理容器c内送入送出的输送机构100进行控制。
55.＜基片处理＞
56.下面，说明利用等离子体处理装置1进行的基片处理。图3是用于说明利用等离子体处理装置1进行的基片处理的一例的流程图。图4和图5是表示基片处理中的基片g的状态的图。
57.(步骤s1)
58.首先，如图3所示，在控制部u的控制下，将基片g送入处理容器c的内部，并载置到载置台30。具体而言，控制部u控制闸门12，以使得容器主体10的侧壁的送入送出口11成为打开状态。另外，控制部u控制输送机构100等，以将基片g从与处理容器c相邻的真空气氛的输送室(未图示)经由送入送出口11输送到处理空间k1内，并载置到载置台30的上表面即基片载置面。另外，在图1中，为了便于说明，输送机构100与上述的输送室分离地图示，但在实际的装置中，输送机构100配置在与处理容器c相邻的输送室的内部，构成为能够在输送室与处理容器c之间输送基片g。
59.之后，控制部u控制闸门12，以使得送入送出口11成为关闭状态。然后，控制部u控制排气部50，以将处理空间k1内排气而成为规定的压力。
60.(步骤s2)
61.接着，在控制部u的控制下，在后述的步骤s3中利用含氟的第一处理气体的等离子体蚀刻mo膜f1之前，在处理容器c的内部生成相同的第一处理气体的等离子体，对处理容器c的内部进行清洁。
62.具体而言，控制部u控制气体供给机构62等，以将六氟化硫(sf6)气体与氧(o2)气的混合气体作为第一处理气体经由金属窗20供给到处理空间k1。另外，控制部u控制高频电源
43等，以将sf6气体和o2气体等离子体化。由此，处理容器c的内部被sf6气体和o2气体的等离子体清洁。
63.在该清洁中，由发光监视器90检测出等离子体的发光强度，检测结果被输出到控制部u。
64.而且，该清洁持续至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止。
65.具体如下。
66.即，在清洁中，氟的明线光谱的波长的等离子体光的发光强度一度达到峰值后，随着清洁的进展即处理容器c内的异物的减少而逐渐降低，在处理容器c内的异物接近消失时成为一定的(参照后述的图7)。因此，在清洁中，控制部u控制发光监视器90，以使得发光监视器90接收氟的明线光谱的波长的等离子体光，测量其强度，并输出测量结果。然后，控制部u进行控制，以判断氟的明线光谱所涉及的发光强度的每单位时间的降低量是否从超过阈值的状态变为阈值以下，直至得到阈值以下的判断为止，进行清洁。
67.(步骤s3)
68.接着，在控制部u的控制下，含氟的第一处理气体被等离子体化，mo膜f1被蚀刻。
69.具体而言，与步骤s2同样地，控制部u控制气体供给机构62、高频电源43等，以将sf6气体与o2气体的混合气体作为第一处理气体经由金属窗20供给到处理空间k1，并且将sf6气体和o2气体等离子体化。由此，基片g上的mo膜f1被蚀刻。具体而言，如图4所示，基片g上的mo膜f1中的未被pr膜f3掩盖的部分(以下，非掩模部分)被蚀刻。
70.关于步骤s3的使用含氟的第一处理气体的等离子体(具体而言为sf6气体和o2气体的等离子体)对mo膜f1的蚀刻，蚀刻速度和对pr膜的选择比高，但是对gi膜f2的选择比低。因此，步骤s3的蚀刻以gi膜f2不露出的方式进行。具体而言，进行步骤s3的蚀刻，直至mo膜f1中的非掩模部分的厚度成为30～50nm。
71.另外，步骤s3的蚀刻接着步骤s2的清洁进行。即，在步骤s3的蚀刻与步骤s2的清洁之间，不进行等离子体生成用的高频电功率的供给的停止等。
72.步骤s3的蚀刻的时间例如以步骤s2的清洁的结束时间点(即氟的明线光谱所涉及的发光强度的每单位时间的变化量成为阈值以下的时间点)为基准来设定。即，例如从步骤s2的清洁的结束时间点(即预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化的时间点)起直至经过规定的时间为止，持续进行步骤s3的蚀刻。而且，上述规定的时间被设定为通过步骤s3的蚀刻而如上述那样gi膜f2不露出，例如为数十秒。
73.另外，在步骤s3的蚀刻和步骤s2的清洁中，含氟的第一处理气体(具体而言为sf6气体和o2气体)的流量、处理容器c内的压力、由高频电源43供给的高频电功率等处理条件基本上相同，在根据来自等离子体的发光而确定的清洁的结束时间点之前判别为步骤s2，之后判别为步骤s3。但是，也可以根据需要改变步骤s3和步骤s2的处理条件。
74.当步骤s3中的蚀刻结束时，控制部u控制气体供给机构62、高频电源43、排气部50等，以停止供给sf6气体和o2气体的等离子体生成用的高频电功率，停止供给sf6气体和o2气体，进行处理容器c内的sf6气体和o2气体的排出。
75.另外，在步骤s2中，mo膜f1的蚀刻也稍微进展，在步骤s3中，处理容器c内的清洁也稍微进展。因此，步骤s2、步骤s3这两个步骤可以被当作以下的一个步骤。即，可以被当作，使用含氟的第一处理气体的等离子体(具体而言为sf6气体和o2气体的等离子体)的mo膜f1
的蚀刻和处理容器c内的清洁持续至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止的一个步骤。
76.(步骤s4)
77.接着，在控制部u的控制下，含氯的第二处理气体被等离子体化，mo膜f1被进一步蚀刻。
78.具体而言，控制部u控制气体供给机构62等，以将氯(cl2)气与o2气体的混合气体作为第二处理气体经由金属窗20供给到处理空间k1。另外，控制部u控制高频电源43等，以将cl2气体和o2气体等离子体化。由此，基片g上的mo膜f1被蚀刻。具体而言，如图5所示，进行蚀刻，以使得mo膜f1中的在步骤s3中变薄的部分被除去、即在非掩模部分gi膜f2露出。
79.关于步骤s4的使用含氯的第二处理气体的等离子体(具体而言cl2气体和o2气体的等离子体)对mo膜f1的蚀刻，蚀刻速度低，但对gi膜f2的选择比高。因此，能够使gi膜f2的非掩模部分不改变其厚度地从mo膜f1露出。
80.在步骤s4的蚀刻中，由发光监视器90检测出等离子体的发光强度，检测结果被输出到控制部u。
81.然后，步骤s4的蚀刻持续至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止。
82.具体如下。
83.即，当使用cl2气体和o2气体的等离子体的mo膜f1的蚀刻进展时，氧的明线光谱的波长的等离子体光的发光强度逐渐变强，在gi膜f2的整个所希望的部分露出的附近成为一定的(参照后述的图9)。因此，在蚀刻中，控制部u控制发光监视器90，以使得发光监视器90接收氧的明线光谱的波长的等离子体光，测量其强度，并输出测量结果。然后，控制部u进行控制，以判断氧的明线光谱所涉及的发光强度的每单位时间的上升量是否从超过阈值的状态变为阈值以下，直至得到阈值以下的判断为止，进行蚀刻。
84.当步骤s4中的蚀刻结束时，停止cl2气体和o2气体的等离子体生成用的高频电功率的供给，控制部u控制气体供给机构62、高频电源43、排气部50等，以停止供给cl2气体和o2气体，进行处理容器c内的cl2气体和o2气体的排出。
85.(步骤s5)
86.然后，在控制部u的控制下，将基片g从处理容器c送出。
87.具体而言，控制部u控制闸门12，以使得容器主体10的侧壁的送入送出口11成为打开状态。另外，控制部u控制输送机构100等，以将载置于载置台30上的基片g经由送入送出口11从处理容器c送出。之后，控制部u控制闸门12，以使得送入送出口11成为关闭状态。
88.由此，一连串基片处理结束，对于下一个基片g，依次进行步骤s1～s5。换言之，在本实施方式中，在利用等离子体处理装置1对多个基片g进行连续处理的情况下，按每个基片g依次进行步骤s1～s5。
89.《作用效果》
90.在本实施方式中，在步骤s4的蚀刻中，如前述那样，使用含氯的第二处理气体的等离子体(具体而言cl2气体和o2气体的等离子体)。利用该等离子体进行的mo膜f1的蚀刻对gi膜f2的选择比高，但生成氯化钼(mocl)这样的蒸气压低的反应生成物。该反应生成物由于蒸气压低，因此容易附着于处理容器c的内壁。为了防止附着，即使采用处理容器c的内壁面
成为高温的结构，也无法利用处理容器c内的压力等来完全防止附着。
91.在本实施方式中，如上述那样进行处理容器c的内部的反应生成物的除去即清洁，由于该清洁的缘故而不使用仿真基片。因此，不需要仿真基片与产品用的基片的调换，因此能够抑制生产率的恶化，并且除去上述反应生成物。
92.另外，在本实施方式中，在基片g载置于载置台30的基片载置面的状态下进行清洁，载置台30的基片载置面不暴露于等离子体，因此与载置台30的基片载置面暴露于等离子体的情况不同，能够提高等离子体的强度。从该观点出发，依照本实施方式，能够抑制生产率的恶化，并且除去上述反应生成物。
93.而且，在本实施方式中，与步骤s2的清洁连续地进行步骤s3的蚀刻。因此，与在步骤s2的清洁和步骤s3的蚀刻之间夹着其他步骤的方式相比，本实施方式的基片处理所需的时间短，因此能够以高生产率除去上述反应生成物，并且对mo膜f1进行蚀刻。
94.另外，在本实施方式中，如上述那样，按每个基片g依次进行步骤s1～步骤s5。具体而言，在本实施方式中，针对每个基片g，在步骤s3的mo膜f1的蚀刻之前，在步骤s2中进行处理容器c的内部的反应生成物的除去即清洁。因此，在反复基片g的处理时，能够抑制在步骤s4中生成的反应生成物积累于处理容器c的内部。
95.另外，在本实施方式中，持续进行步骤s2的处理容器c的内部的清洁，直至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止。因此，通过上述清洁，能够充分减少处理容器c的内部的反应生成物的量，能够进一步抑制反应生成物对基片g造成不良影响。
96.此处，与本实施方式不同，对省略步骤s2的处理容器c内的清洁，在进行了规定的时间的步骤s3的mo膜f1的蚀刻之后，进行步骤s4的mo膜f1的蚀刻的方法(以下，称为比较方法)进行说明。当通过该比较方法连续处理基片g时，在处理容器c的内部反应生成物积累。当反应生成物不断积累时，在步骤s3中，在与反应生成物的反应中而并非mo膜f1的蚀刻中，第一处理气体的等离子体被利用的比例增加。如此，在比较方法中，在每当基片的处理个数增加时，步骤s3的蚀刻后的mo膜f1的非掩模部分会变厚。
97.步骤s3的蚀刻后的mo膜f1的非掩模部分必须为所希望的厚度。其理由如下。
98.即，接着步骤s3进行的、使用含氯的第二处理气体的等离子体的步骤s4的mo膜f1的蚀刻，对pr膜f3的选择比低。因此，当较厚地蚀刻完mo膜f1的非掩模部分需要时间时，掩模过度消耗而掩模的线宽变细，由此，步骤s4的蚀刻后的mo膜f1的线宽会变细。
99.因此，在比较方法中，在每当基片的处理个数增加时，步骤s4的蚀刻后的mo膜f1的线宽变细。
100.与此相对，在本实施方式中，对每个基片g持续进行步骤s2的处理容器c的内部的清洁，直至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止，使处理容器c的内部的反应生成物的量充分减少。然后，在本实施方式中，从步骤s2的清洁的结束时间点(即预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化的时间点)起直至经过规定的时间为止，进行步骤s3的mo膜f1的蚀刻。因此，在本实施方式中，步骤s3的蚀刻后的mo膜f1的非掩模部分以所希望的厚度变得一定。因此，依照本实施方式，在反复基片g的处理时，对于各基片g，能够使步骤s4的蚀刻后的mo膜f1为所希望的形状(具体而言为所希望的线宽)。
101.[实施例]
[0102]
在比较例中，通过前述的比较方法连续处理了多个基片g。
[0103]
另一方面，在实施例中，通过本实施方式的方法连续处理了五个基片g。
[0104]
在比较例和实施例中，使用sf6气体和o2气体作为第一处理气体，使用cl2气体和o2气体作为第二处理气体。
[0105]
另外，在比较例中，步骤s3的mo膜f1的蚀刻进行了约40秒。另一方面，在实施例中，从氟的明线光谱的波长(704nm)所涉及的等离子体光的发光强度的每单位时间的变化量如上述那样成为阈值以下的时间点起经过约40秒为止，进行步骤s3的mo膜的蚀刻。
[0106]
图6是表示比较例的步骤s3中的利用sf6气体和o2气体的等离子体蚀刻mo膜f1时由发光监视器90检测出的、特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。图7是表示实施例的步骤s2中的利用sf6气体和o2气体的等离子体进行清洁和与步骤s2连续地进行的步骤s3中的利用该等离子体蚀刻mo膜f1时，由发光监视器90检测出的、特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。在图6中，横轴表示从步骤s3开始即sf6气体和o2气体的等离子体生成开始起的经过时间，在图7中，横轴表示从步骤s2开始即sf6气体和o2气体的等离子体生成开始起的经过时间。另外，在图6和图7中，纵轴表示氟的明线光谱的波长(704nm)所涉及的等离子体光的发光强度。
[0107]
如图6所示，在比较例中，每当反复基片g的处理时，氟的明线光谱的波长(704nm)所涉及的等离子体光的发光强度的峰值延迟地产生。这表示在每当反复基片g的处理时，在处理容器c内积累有反应生成物。
[0108]
另一方面，如图7所示，在实施例中，即使反复基片g的处理，氟的明线光谱的波长(704nm)所涉及的等离子体光的发光强度的峰值的位置也没有变化。这表示能够抑制反应生成物向处理容器c内的积累。
[0109]
图8是表示比较例的步骤s4中的利用cl2气体和o2气体的等离子体蚀刻mo膜f1时由发光监视器90检测出的特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。图9是表示在实施例中与图8同样地检测出的特定的等离子体光的发光强度的时间变化的图。在图8和图9中，横轴表示从步骤s4开始即cl2气体和o2气体的等离子体生成开始起的经过时间，纵轴表示氧的明线光谱的波长(777nm)所涉及的等离子体光的发光强度。
[0110]
如图8所示，在比较例中，每当反复基片g的处理时，氧的明线光谱的波长(777nm)所涉及的等离子体光的发光强度的每单位时间的上升量如前述那样成为阈值以下的时刻(参照两点划线)会延迟。具体而言，在第四个基片g中，与第一个基片g相比，上述时刻延迟约14秒。这表示每当反复基片g的处理时，在步骤s4中蚀刻完mo膜f1的非掩模部分所需的时间变长。当蚀刻完mo膜f1的非掩模部分所需的时间变长时，步骤s4的蚀刻后的mo膜f1的掩模部分的线宽变细。
[0111]
另一方面，如图9所示，在实施例中，即使反复基片g的处理，上述时刻(参照两点划线)也几乎不变。具体而言，第二个基片g中，与第一个基片g相比，上述时刻延迟约4秒，但第三个以后的基片g与第二个基片g相比，上述时刻几乎没有变化。这表示即使反复基片g的处理，在步骤s4中蚀刻完mo膜f1的非掩模部分所需的时间也几乎不变。因此，在实施例中，对于各基片g，能够使步骤s4的蚀刻后的mo膜f1的掩模部分为所希望的线宽。
[0112]
本次公开的实施方式在所有方面均是例示而不应该认为是限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书(发明范围)及其主旨的情况下能够以各种方式进行省略、替换、变更。
[0113]
例如，在上文中，对于本实施方式所涉及的等离子体处理装置，作为具有金属窗的电感耦合等离子体装置进行了说明，但也可以是代替金属窗而具有电介质窗的电感耦合等离子体装置。在该情况下，处理气体可以从侧壁供给，或者也可以将从下侧支承电介质窗的梁构成为喷淋头，从梁进行供给。另外，本发明所涉及的技术不限于电感耦合等离子体装置，也能够应用于电容耦合等离子体装置、微波等离子体装置等其他方式的等离子体装置。

技术特征：
1.一种对多个基片按每个所述基片依次进行处理的基片处理方法，其特征在于：所述基片在表面具有钼膜，所述基片处理方法包括：(a)将所述基片送入处理容器的内部并载置到载置台的步骤；(b)在所述(a)步骤之后，将含氟的第一处理气体等离子体化而蚀刻所述钼膜的步骤；(c)在所述(b)步骤之后，将含氯的第二处理气体等离子体化而蚀刻所述钼膜的步骤；和(d)在所述(a)步骤与所述(b)步骤之间，在所述处理容器的内部生成所述第一处理气体的等离子体，对所述处理容器的内部进行清洁的步骤，持续进行所述(d)步骤，直至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：连续地实施所述(d)步骤和所述(b)步骤。3.如权利要求1或2所述的基片处理方法，其特征在于：所述第一处理气体包含六氟化硫气体，所述第二处理气体包含氯气。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：在所述(d)步骤中，所述基片暴露于所述第一处理气体的等离子体。5.一种对多个基片按每个所述基片依次进行处理的基片处理装置，其特征在于，包括：载置台，其能够载置在表面具有钼膜的所述基片；处理容器，其构成为能够减压，能够将所述载置台收纳于内部；和控制部，所述控制部执行：(a)将所述基片送入处理容器的内部并载置到载置台的步骤；(b)在所述(a)步骤之后，将含氟的第一处理气体等离子体化而蚀刻形成于所述基片的表面的所述钼膜的步骤；(c)在所述(b)步骤之后，将含氯的第二处理气体等离子体化而蚀刻所述钼膜的步骤；和(d)在所述(a)步骤与所述(b)步骤之间，在所述处理容器的内部生成所述第一处理气体的等离子体，对所述处理容器的内部进行清洁的步骤，并且，所述控制部进行控制，以使得持续进行所述(d)步骤，直至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止。6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部进行控制，以使得连续地执行所述(d)步骤和所述(b)步骤。7.如权利要求5或6所述的基片处理装置，其特征在于：所述第一处理气体包含六氟化硫气体，所述第二处理气体包含氯气。8.如权利要求5～7中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：在所述(d)步骤中，所述基片暴露于所述第一处理气体的等离子体中。

技术总结
本发明提供基片处理方法和基片处理装置，能够抑制生产率的恶化，并且除去在蚀刻基片表面的钼膜时产生的反应生成物。对多个基片按每个上述基片依次进行处理的基片处理方法中，上述基片在表面具有钼膜，上述基片处理方法包括：(A)将上述基片送入处理容器的内部并载置到载置台的步骤；(B)在上述(A)步骤之后，将含氟的第一处理气体等离子体化而蚀刻上述钼膜的步骤；(C)在上述(B)步骤之后，将含氯的第二处理气体等离子体化而蚀刻上述钼膜的步骤；和(D)在上述(A)步骤与上述(B)步骤之间，在上述处理容器的内部生成上述第一处理气体的等离子体，对上述处理容器的内部进行清洁的步骤，持续进行上述(D)步骤，直至预先确定的波长的等离子体光的发光强度不再变化为止。等离子体光的发光强度不再变化为止。等离子体光的发光强度不再变化为止。


技术研发人员：小滨直道
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2023.01.28
技术公布日：2023/8/9