加热单元及包括其的基板处理装置的制作方法

未命名 08-26 阅读:136 评论:0


1.本公开涉及一种加热单元和包括该加热单元的基板处理装置,更具体地,涉及一种适用于制造半导体的工艺的加热单元和包括该加热单元的基板处理装置。


背景技术:

2.半导体制造工艺可以在半导体制造设备中连续地执行,并且可以被分成前处理和后处理。半导体制造设备可以安装在限定为制造半导体的车间(fab)的空间中。
3.前处理涉及在晶片上形成电路图案以完成芯片的工艺。前处理可以包括用于在晶片上形成薄膜的沉积处理、使用光掩模将光刻胶传送到薄膜上的光刻工艺、使用化学物质或反应气体选择性地去除不必要的部分以在晶片上形成期望的电路图案的蚀刻工艺、用于去除蚀刻之后剩余的光刻胶的灰化工艺、将离子注入到与电路图案连接的部分中以赋予电子器件的特性的离子注入工艺、以及从晶片去除污染物的清洁工艺。
4.后处理是指评价通过前处理完成的产品的性能的工艺。后处理可以包括通过检验晶片上的每个芯片的操作来分拣出好的和坏的产品的初步检验工艺、通过划切、管芯接合、引线接合、模制和标记来切割和分离每个芯片以形成产品形状的封装工艺、以及通过电特性测试和老化(burn)测试来最终检验产品的特性和可靠性的最终检验工艺。
5.在光刻工艺中,可以使用烘烤室来热处理基板(例如,晶片)。然而,当使用烘烤室对基板进行热处理时,会通过烘烤室的上表面和侧表面损失大量的热量。因此,烘烤室的内部温度变得不均匀,并且基板处理性能降低。


技术实现要素:

6.本公开的方面提供了一种包括用于隔热的空气层的加热单元和包括该加热单元的基板处理装置。
7.然而,本公开的方面不限于本文所述的方面。通过参考以下给出的本公开的详细描述,本公开的上述和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
8.根据本发明的一个方面,提供了一种基板处理装置,包括:壳体,提供对基板进行处理的空间;加热单元,设置在所述壳体中并加热所述基板;冷却单元,设置在所述壳体中并冷却所述基板;以及传送单元,用于移动所述基板,其中,所述加热单元包括:主体,其中包括加热器;第一空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第一方向作为其纵向而形成;以及第二空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第二方向作为其纵向而形成。
9.根据本公开的另一个方面,提供了一种基板处理装置,该基板处理装置包括:壳体,提供对基板进行处理的空间;加热单元,设置在所述壳体中并加热所述基板;冷却单元,设置在所述壳体中并冷却所述基板;以及传送单元,用于移动所述基板,其中,所述加热单元包括:主体,其中包括加热器并且具有用于驱气和排气的空间;第一空气层,设置在所述
主体的内部以用于隔热,并且以第一方向作为其纵向而形成;以及第二空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第二方向作为其纵向而形成,其中,用于驱气和排气的所述空间包括第一空间、第二空间、第三空间和第四空间,其中,所述第二空间连接到所述第一空间并且设置在所述第一空间的上方,所述第三空间连接到所述第二空间并且设置在所述第二空间的上方,所述第四空间连接到所述第三空间并且设置在所述第三空间的侧方,所述第一空气层设置在所述第三空间和所述第四空间的上方,并且所述第二空气层设置在与所述第四空间相同的水平处,但是从所述第四空间分离出。
10.根据本公开的另一方面,提供了一种用于对基板进行热处理的加热单元。该加热单元包括:加热板,包括主体和加热器,所述主体提供在其上安置所述基板的表面,所述加热器安装在所述主体的内部;盖,当所述基板被热处理时,所述盖覆盖所述加热板的顶部;以及致动器,用于移动所述盖,其中,所述加热板包括:第一空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第一方向作为其纵向而形成;以及第二空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第二方向作为其纵向而形成。
附图说明
11.从以下结合附图对实施例的描述中,这些和/或其它方面将变得显而易见并且更容易理解,在附图中:
12.图1是示意性地示出根据本公开的实施例的基板处理装置的结构的平面图;
13.图2是示意性地示出根据本公开的实施例的基板处理装置的结构的截面图;
14.图3示意性地示出根据本公开的实施例的构成基板处理装置的加热板的内部结构;
15.图4是示出构成图3的加热板的第一空气层的布置结构的示例性视图;
16.图5是用于解释构成图3的加热板的第一空气层的形成方法的示例性视图;
17.图6是用于解释构成图3的加热板的第一空气层的各种实施例的示例性视图;
18.图7是示出构成图3的加热板的第二空气层的布置结构的第一示例性视图;
19.图8是示出构成图3的加热板的第二空气层的布置结构的第二示例性视图;
20.图9是示出构成图3的加热板的第二空气层的布置结构的第三示例性视图;以及
21.图10是用于解释构成图3的加热板的第二空气层的形成方法的示例性视图。
具体实施方式
22.在下文中,将参考附图详细描述本公开的实施例。附图中相同的附图标记表示相同的元件,因此将省略对它们的描述。
23.本公开涉及一种其中包括空气层以改善隔热性能的加热单元和包括该加热单元的基板处理装置。下面将参考附图详细描述本公开。
24.图1是示意性地示出根据本公开的实施例的基板处理装置100的结构的平面图。图2是示意性地示出根据本公开的实施例的基板处理装置100的结构的截面图。
25.参考图1和图2,基板处理装置100可以包括壳体110、加热单元120、冷却单元130和传送单元140。
26.基板处理装置100是用于加热和冷却基板(例如,玻璃或晶片)的装置。当对基板执
行光刻工艺时,基板处理装置100可以加热和冷却基板。基板处理装置100可以被提供为例如用于执行烘烤工艺的烘烤室。
27.光刻工艺可以包括光刻胶涂覆工艺、曝光工艺、显影工艺和烘烤工艺。在这种情况下,基板处理装置100可以在执行涂覆工艺之前或之后,即在基板上涂覆光致抗蚀剂之前或之后,加热和/或冷却基板。
28.然而,当前实施例不限于此。基板处理装置100还可以在执行曝光工艺之前或之后加热和/或冷却基板。替代地,基板处理装置100可以在执行显影工艺之前或之后加热和/或冷却基板。
29.壳体110提供用于处理基板的空间。壳体110可以被安装成在其中包括加热单元120、冷却单元130和传送单元140,以便可以在壳体110中加热和冷却基板。
30.在壳体110的侧壁中可以形成有开口111,基板通过开口111插入壳体110中或从壳体110移除。至少一个开口111可以设置在壳体110中。开口111可以总是保持打开。替代地,尽管在图1中未示出,但是可以设置用于打开或关闭开口的门。
31.壳体110内部的空间可以被分成加热区域210、冷却区域220和缓冲区域230。这里,加热区域210是指设置有加热单元120的区域,而冷却区域220是指设置有冷却单元130的区域。加热区域210可以具有与加热单元120相同的宽度,但是也可以具有比加热单元120更大的宽度。类似地,冷却区域220可以具有与冷却单元130相同的宽度,但是也可以具有比冷却单元130更大的宽度。
32.缓冲区域230是指设置有传送单元140的传送板141的区域。缓冲区域230可以设置在加热区域210和冷却区域220之间。当如此设置缓冲区域230时,加热单元120和冷却单元130可以彼此隔开足够的距离。因此,可以防止加热单元120和冷却单元130彼此热干扰。与加热区域210和冷却区域220类似地,缓冲区域230可以具有与传送板141相同的宽度,或者可以具有比传送板141更大的宽度。
33.当加热单元120、冷却单元130和传送单元140分别设置在壳体110内部的加热区域210、冷却区域220和缓冲区域230中时,它们可以在第一方向10上按冷却单元130、传送单元140和加热单元120的顺序排列。然而,当前实施例不限于此。在当前实施例中,加热单元120、冷却单元130和传送单元140也可以在第一方向10上按加热单元120、传送单元140和冷却单元130的顺序排列。
34.加热单元120被设计成加热基板。当加热基板时,加热单元120可以将气体提供到基板上。加热单元120可以提供例如六甲基二硅烷(hexamethyldisilane)气体。通过提供这种气体,加热单元120可以提高光刻胶对基板的粘合率。
35.加热单元120可构造成包括加热板121(或热板)、盖122致动器123,以加热基板。
36.加热板121将热量施加到基板。为此,加热板121可构造成包括主体121a和加热器121b。
37.当基板被施加热量时,主体121a支承基板。主体121a可以形成为具有与基板相同的直径,或者可以形成为具有比基板更大的直径。
38.主体121a可以由具有优良耐热性的金属制成。替代地,主体121a可以由具有优良耐火性的金属制成。主体121a可以由例如陶瓷制成,诸如氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)。
39.尽管在图1和图2中未示出,但是主体121a可以包括在上下方向(第三方向30)上穿
过主体121a的多个真空孔。这里,真空孔可以形成真空压力,以便当基板被施加热量时将基板固定在适当的位置。
40.尽管在图1和图2中未示出,但是主体121a可以被分成上板和设置在上板下方的下板。在这种情况下,基板可以安置在上板上,并且加热器121b可以安装在下板的内部。
41.加热器121b被设计成向位于主体121a上的基板施加热量。多个加热器121b可以安装在主体121a的内部。加热器121b可以被提供为加热电阻器(例如,热线),电流被施加到该加热电阻器。然而,在当前实施例中,加热器121b也可以以除了加热电阻器之外的任何形式提供,只要它们能够有效地将热量施加到主体121a上的基板即可。
42.盖122形成为在加热板121加热基板时覆盖加热板121的顶部。盖122可以在致动器123的控制下向上或向下(第三方向30)移动,以打开或关闭加热板121的顶部。
43.致动器123被设计成向上或向下(第三方向30)移动盖122。当待热处理的基板安置在加热板121的顶部上时,致动器123可以使盖122相对于壳体110向下移动,使得盖122可以完全覆盖加热板121的顶部。此外,当对基板的热处理完成时,致动器123可以使盖122相对于壳体110向上移动,以暴露加热板121的顶部,使得传送单元140可以将基板传送到冷却单元130。
44.冷却单元130被设计成冷却由加热单元120加热的基板。为此,冷却单元130可构造成包括冷却板131和冷却构件132。
45.当通过加热单元120向基板施加高温热时,基板可能翘曲。冷却单元130可以将由加热单元120加热的基板冷却到适当的温度,以便将基板恢复到其原始状态。
46.冷却构件132可以形成在冷却板131的内部。冷却构件132可以设置为供冷却流体流过的通道的形式。
47.传送单元140被设计成将基板移动到加热单元120或冷却单元130。为此,传送单元140可以在其端部具有手部,传送板141联接到该手部。传送单元140可以沿导轨142向加热单元120所处的方向或冷却单元130所处的方向移动传送板141。
48.传送板141可以呈圆盘形状,并且可以形成为具有与基板的直径相对应的直径。传送板141可以包括沿着其边缘形成的多个凹口143,并且在传送板141的上表面中形成有多个狭缝形导向槽144。
49.导向槽144可以从传送板141的边缘朝向传送板141的中心延伸。这里,导向槽144可以在相同方向(第一方向10)上,且彼此间隔开。当基板在传送板141和加热单元120之间被传送时,导向槽144可以防止传送板141和提升销124彼此干涉。
50.基板可以在基板被直接放置在加热板121上的状态下被加热,并且可以在其上放置有基板的传送板141与冷却板131接触的状态下被冷却。传送板141可以由具有优良的热传递效率的材料(例如,金属)制成,以便于冷却板131和基板之间的热传递。
51.尽管在图1和图2中未示出,但是传送单元140可以通过壳体110的开口111从安装在壳体110外部的基板传送机器人接收基板。
52.提升销124具有自由下落结构,并用于升高加热板121上的基板。当对基板执行烘烤工艺时,在从传送单元140接收基板之后,提升销124可以下降到加热板121,以便将基板放置在加热板121上。此外,当对基板的烘烤工艺完成时,提升销124可以在加热板121上升高,以将基板传送到传送单元140。为了起到这种作用,提升销124可以形成为在上下方向
(第三方向30)上穿透加热板121。
53.与主体121a类似地,提升销124可以由具有优良耐热性的金属制成,或者可以由具有优良耐火性的金属制成。在这种情况下,提升销124可以由与主体121a相同的金属制成,但是它们也可以由不同的金属制成。
54.提升销124可以使用例如线性电机(lm)引导系统来操作,并且可以由连接到lm引导系统的多个气缸来控制。lm引导系统具有能够处理高温和高振动的优点。
55.可以安装多个提升销124以在基板在加热板121上升高时稳定地支承基板。如图1和图2所示,可以安装三个提升销124。
56.如上所述,当加热单元120加热基板时,加热单元120可能在向上方向(第三方向30)和横向方向(第一方向10和第二方向20)上失去热量。因此,加热单元120内的温度可能变得不均匀,导致基板处理性能的降低。此外,由于热量的损失,可能花费大量时间将主体的表面温度升高到适当的温度,并且增加温度所需的热量也可能增加。
57.为了解决这些问题,在当前实施例中,加热单元120可以在其中包括空气层以改善隔热性能。现在将描述这一点。
58.图3示意性地示出根据本发明实施例的构成基板处理装置100的加热板121的内部结构。参照图3,加热板121可构造成包括主体121a、加热器121b、第一空气层310和第二空气层320。
59.由于上面已经参照图1和图2描述了主体121a和加热器121b,因此这里将省略对它们的详细描述。
60.第一空气层310可以通过用空气填充空的空间来形成。第一空气层310可以形成在主体121a内部的上部中。具体地,第一空气层310可以在主体121a中邻近主体121a的上表面形成。当加热板121中包括第一空气层310时,由于第一空气层310的隔热效应,在基板的烘烤工艺期间可以改善基板的温度均匀性。
61.主体121a可以具有用于驱气和排气流的空间。第一空气层310可以形成在主体121a的内部而不改变主体121a的内部空间。
62.参照图4,主体121a可以包括四个空间410、420、430和440,例如第一空间410、第二空间420、第三空间430和第四空间440。这里,第二空间420可以连接到第一空间410并设置在第一空间410的上方。此外,第三空间430可以连接到第二空间420并设置在第二空间420的上方。此外,第四空间440可以连接到第三空间430并设置在第三空间430的侧方。
63.当主体121a包括如上所述的四个空间410、420、430和440时,它可以形成为这样的结构,其中驱气通过第二空间420和第三空间430供给到第一空间410,并通过第四空间440排出。当主体121a的内部形成为该结构时,第一空气层310可以形成在第一空间410至第四空间440的上方,并且可以邻近主体121a的表面形成。图4是示出构成图3的加热板121的第一空气层310的布置结构的示例性视图。
64.第一空气层310可以使用两个薄金属板形成。参照图5,第一金属板510可以接合到主体121a上,并且第二金属板520可以接合到第一金属板510上。这里,可以在第一金属板510和第二金属板520之间形成由第一金属板510和第二金属板520包围的空间。这样形成的空间可以是第一空气层310。图5是用于解释构成图3的加热板121的第一空气层310的形成方法的示例性视图。
65.考虑到第一金属板510和第二金属板520用作加热板121的部件的事实,第一金属板510和第二金属板520可以由具有优良耐热性或耐火性的金属制成。
66.第一空气层310可以形成为使得空气流从外部被阻挡,这与用于驱气和排气流的空间410、420、430和440不同。第一空气层310可以在主体121a的高度方向(第三方向30)上形成为单层。然而,当前实施例不限于此。第一空气层310也可以在主体121a的高度方向30上形成为多个层。例如,如图6所示,第一空气层310可以包括处于不同水平处的第一层310a和第二层310b。这里,水平可以是基于与主体121a的高度方向30垂直的方向(即,平行于主体121a的宽度方向(第一方向10)的方向)的。图6是用于解释构成图3的加热板121的第一空气层310的各种实施例的示例性视图。
67.当第一空气层310在主体121a的高度方向30上形成为多个层时,可以使用多个薄金属板形成,如在主体121a的高度方向30上形成单层的情况那样。例如,当第一空气层310包括参考图6所述的第一层310a和第二层310b时,第一金属板510可以接合到主体121a上,第二金属板520可以接合到第一金属板510上,并且第三金属板可以接合到第二金属板520上。这里,可以在第一金属板510和第二金属板520之间形成由第一金属板510和第二金属板520包围的第一层310a,并且可以在第二金属板520和第三金属板之间形成由第二金属板520和第三金属板包围的第二层310b。
68.当第一空气层310在主体121a的高度方向30上形成为多个层时,这些层可以形成为具有相同的尺寸。然而,当前实施例不限于此。这些层也可以形成为具有不同的尺寸。替代地,一些层可以形成为具有相同的尺寸,而其它一些层可以形成为具有不同的尺寸。
69.替代地,第一空气层310可以包括处于不同水平处的多个层,并且该水平可以是基于与主体121a的高度方向30平行的方向的。
70.与第一空气层310类似,第二空气层320可以通过用空气填充空的空间来形成。第二空气层320可以形成在主体121a内部的侧部中。具体地,第二空气层320可在主体121a中邻近主体121a的外表面形成。当加热板121中除了第一空气层310之外还包括第二空气层320时,由于第一空气层310和第二空气层320的隔热效应,在基板的烘烤工艺中可以进一步提高基板的温度均匀性。
71.如上所述,主体121a可包括用于驱气和排气流的四个空间410、420、430和440。如图7所示,第二空气层320可以形成在与四个空间410、420、430和440之一的第四空间440相同的线上。图7是示出构成图3的加热板121的第二空气层320的布置结构的第一示例性视图。
72.与第一空气层310类似,第二空气层320可以形成为阻挡空气流外泄。第二空气层320可以与第四空间440分开。
73.第一空间410至第四空间440是形成为允许空气流动的空间。这里,第四空间440可以直接或间接地连接到第一空间410、第二空间420、第三空间430和外部,使得空气可以排放到外部,并且可以设置在第三空间430的侧方。另一方面,第二空气层320可以与第四空间440完全分离。因此,可以阻止空气流外泄。
74.第二空气层320可以形成在第四空间440的上方和下方。这里,形成在第四空间440上方的第二空气层320被定义为第三层320a,而形成在第四空间440下方的第二空气层320被定义为第四层320b。然而,当前实施例不限于此。第二空气层320也可以被配置为仅包括
第三层320a和第四层320b中的一个。
75.当从第四空间440分离出第三层320a和第四层320b时,可以原样保持第四空间440的尺寸。换句话说,分离后第三层320a的高度h1、第四层320b的高度h2和第四空间440的高度h3之和可以等于分离前第四空间440的高度h4(h1+h2+h3=h4)。
76.为了提高隔热性能,第三层320a和第四层320b可以在主体121a的高度方向上延伸,以具有比上述情况更大的面积。参考图8的示例,第三层320a可以在主体121a的向上方向上延伸(h1'》h1)。在这种情况下,第三层320a可以延伸到接近第一空气层310的水平,或者可以延伸到与第一空气层310接触的水平。第四层320b可以在主体121a的向下方向上延伸(h2'》h2)。在这种情况下,第四层320b可以延伸到接近第一空间410的水平,或者可以延伸到与第二空间420相等的水平。图8是示出构成图3的加热板121的第二空气层320的布置结构的第二示例性视图。
77.第三层320a和第四层320b中的每一个可以在主体121a的宽度方向(第一方向10)上形成为单层。然而,为了提高隔热性能,第三层320a和第四层320b中的每一个也可以在主体121a的宽度方向(第一方向10)上形成为多个层。例如,第三层320a和第四层320b中的每一个可以包括如图9的示例中所示的处于不同水平处的两个层。这里,水平可以是基于与主体121a的高度方向30平行的方向的。图9是示出构成图3的加热板121的第二空气层320的布置结构的第三示例性视图。
78.替代地,第三层320a和第四层320b中的每一个可包括处于不同水平处的多个层,且该水平可以是基于与主体121a的高度方向30垂直的方向(即,平行于主体121a的宽度方向10的方向)的。
79.当第三层320a和第四层320b中的每一个在主体121a的宽度方向10上包括多个层时,第三层320a的层数可以等于第四层320b的层数。然而,当前实施例不限于此。第三层320a的层数也可以不同于第四层320b的层数。例如,为了提高其上安装有基板的加热板121的上表面的隔热性能,第三层320a的层数可以大于第四层320b的层数。
80.当第三层320a在主体121a的宽度方向10上包括多个层时,这些层可以形成为具有相同的尺寸。然而,当前实施例不限于此。这些层也可以形成为具有不同的尺寸。替代地,一些层可以形成为具有相同的尺寸,而其它一些层可以形成为具有不同的尺寸。
81.类似地,当第四层320b在主体121a的宽度方向10上包括多个层时,这些层可以形成为具有相同的尺寸。然而,当前实施例不限于此。这些层也可以形成为具有不同的尺寸。替代地,一些层可以形成为具有相同的尺寸,而其它一些层可以形成为具有不同的尺寸。
82.如上所述,第二空气层320可以从第四空间440分离出。然而,与第一空气层310类似,也可以使用两个薄金属板形成第二空气层320。例如,参考图10,第四金属板530可以接合到主体121a的侧表面上,而第五金属板540可以接合到第四金属板530上。这里,可以在第四金属板530和第五金属板540之间形成由第四金属板530和第五金属板540包围的空间。这样形成的空间可以是第二空气层320。图10是用于解释构成图3的加热板121的第二空气层320的形成方法的示例性视图。
83.加热板121还可以仅包括第一空气层310和第二空气层320中的一个。
84.上面已经参照图3至图10描述了加热板121的内部结构。本公开涉及用于烘烤室的隔热的空气层的形成,更具体地,涉及一种其中形成能够使腔室表面隔热的空气层从而改
善烘烤工艺中的基板的温度均匀性的结构。
85.传统的烘烤室不是为了隔热的目的而构造的。因此,损失到外部的热量增加,从而降低内部温度均匀性性能。可以通过增加腔室的厚度来减少热传递。然而,这带来的效果远不及隔热,并且由于热容的增加而增加了升高温度所需的时间。
86.根据本公开,可以形成在传统烘烤室的上表面和侧表面上空气层,而不改变烘烤室的内部空间(即,原样保持传统烘烤室的内部空间)。
87.具体地,上表面上的空气绝缘层可以在两个薄金属板之间形成,并且可以尽可能地密封,使得其不受空气流的影响,从而改善隔热性能。此外,侧表面上的空气绝缘层可以是通过在保持现有结构的情况下分离空间而形成为不具有空气运动的附加绝缘层。因此,在本公开中,与现有结构相比,减少了形成腔室的金属材料的使用,从而降低了热容并提高了温度升高速率。
88.上述本公开的特征概述如下。
89.首先,在烘烤室中形成有具有空气层的绝缘结构,在该空气层中流体流动被最小化。
90.第二,使用两个薄金属板形成上空气层。
91.第三,通过使用现有的内部结构分离空间来形成侧空气层。
92.第四,使整个腔室的重量最小化以降低热容。
93.此外,上述本公开的效果概述如下。
94.首先,由于腔室的主体变为形成有空气层的双重结构,所以可以提高使用空气层的腔室主体的隔热效果。
95.第二,可行性试验结果表明,温度分布均匀性提高了约30%。
96.第三,与现有结构相比,可以通过降低腔室的重量来降低热容,并且也可以降低温度升高速率。
97.虽然已经参考本公开的示例性实施例具体地示出和描述了本公开,但是本领域的普通技术人员将理解,在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下,可以在其中进行形式和细节上的各种改变。示例性实施例应该被认为仅仅是描述性的,而不是为了限制的目的。

技术特征:
1.一种基板处理装置,包括:壳体,提供对基板进行处理的空间;加热单元,设置在所述壳体中并加热所述基板;冷却单元,设置在所述壳体中并冷却所述基板;以及传送单元,用于移动所述基板,其中,所述加热单元包括:主体,其中包括加热器;第一空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第一方向作为其纵向而形成;以及第二空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第二方向作为其纵向而形成。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述第二方向垂直于所述第一方向。3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述第一空气层邻近所述主体的上表面设置。4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述第二空气层邻近所述主体的侧表面设置。5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,在所述主体的内部形成有用于驱气和排气的空间,并且所述第一空气层设置在用于驱气和排气的所述空间的上部中。6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述第一空气层密封在顺序地接合到所述主体上的两个不同金属板之间。7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述第一空气层包括处于不同水平处的多个层。8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,所述水平是基于与所述主体的宽度方向平行的方向的。9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,在所述主体的内部形成有用于驱气和排气的空间且用于驱气和排气的所述空间包括第一空间、第二空间、第三空间和第四空间,其中,所述第二空间连接到所述第一空间并且设置在所述第一空间的上方,所述第三空间连接到所述第二空间并且设置在所述第二空间的上方,所述第四空间连接到所述第三空间并且设置在所述第三空间的侧方,并且所述第二空气层设置在与所述第四空间相同的水平处。10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,所述水平是基于与所述主体的高度方向平行的方向的。11.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,所述第二空气层从所述第四空间分离出。12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其中,所述第二空气层不连接到所述第一空间至所述第四空间。13.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,所述第二空气层包括:第三层,设置在所述第四空间上方;以及第四层,设置在所述第四空间下方。14.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,所述第二空气层包括处于不同水平处
的多个层,并且所述水平是基于与所述主体的高度方向平行的方向的。15.一种基板处理装置,包括:壳体,提供对基板进行处理的空间;加热单元,设置在所述壳体中并加热所述基板;冷却单元,设置在所述壳体中并冷却所述基板;以及传送单元,用于移动所述基板,其中,所述加热单元包括:主体,其中包括加热器并且具有用于驱气和排气的空间;第一空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第一方向作为其纵向而形成;以及第二空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第二方向作为其纵向而形成,其中,用于驱气和排气的所述空间包括第一空间、第二空间、第三空间和第四空间,其中,所述第二空间连接到所述第一空间并且设置在所述第一空间的上方,所述第三空间连接到所述第二空间并且设置在所述第二空间的上方,所述第四空间连接到所述第三空间并且设置在所述第三空间的侧方,所述第一空气层设置在所述第三空间和所述第四空间的上方,并且所述第二空气层设置在与所述第四空间相同的水平处,但是从所述第四空间分离出。16.一种用于对基板进行热处理的加热单元,所述加热单元包括:加热板,包括主体和加热器,所述主体提供在其上安置所述基板的表面,所述加热器安装在所述主体的内部;盖,当所述基板被热处理时,所述盖覆盖所述加热板的顶部;以及致动器,用于移动所述盖,其中,所述加热板包括:第一空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第一方向作为其纵向而形成;以及第二空气层,设置在所述主体的内部以用于隔热,并且以第二方向作为其纵向而形成。17.根据权利要求16所述的加热单元,其中,所述第二方向垂直于所述第一方向。18.根据权利要求16所述的加热单元,其中,在所述主体的内部形成有用于驱气和排气的空间,并且所述第一空气层设置在用于驱气和排气的所述空间的上部中。19.根据权利要求16所述的加热单元,其中,在所述主体的内部形成有用于驱气和排气的空间且用于驱气和排气的所述空间包括第一空间、第二空间、第三空间和第四空间,其中,所述第二空间连接到所述第一空间并设置在所述第一空间的上方,所述第三空间连接到所述第二空间并设置在所述第二空间的上方,所述第四空间连接到所述第三空间并设置在所述第三空间的侧方,并且所述第二空气层设置在与所述第四空间相同的水平处。20.根据权利要求16所述的加热单元,应用于对所述基板执行光刻工艺之时。

技术总结
提供了一种包括用于隔热的空气层的加热单元和包括加热单元的基板处理装置。基板处理装置包括:壳体,提供对基板进行处理的空间;加热单元,设置在壳体中并加热基板;冷却单元,设置在壳体中并冷却基板;以及传送单元,用于移动基板,其中加热单元包括:主体,其中包括加热器;第一空气层,设置在主体的内部以用于隔热,并且以第一方向作为其纵向而形成;以及第二空气层,设置在主体的内部以用于隔热,并且以第二方向作为其纵向而形成。二方向作为其纵向而形成。二方向作为其纵向而形成。


技术研发人员:吴镇泽 徐锺锡 李承汉 朴崠雲
受保护的技术使用者:细美事有限公司
技术研发日:2023.02.17
技术公布日:2023/8/23
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